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來源： 發(fā)布時間：2025-05-30

深溝槽工藝對寄生電容的抑制

SGT MOSFET 的深溝槽結構深度可達 5-10μm（是傳統(tǒng)平面 MOSFET 的 3 倍以上），通過垂直導電通道減少電流路徑的橫向擴展，從而降低寄生電容。具體而言，柵-漏電容（Cgd）和柵-源電容（Cgs）分別減少 40% 和 30%，使得器件的開關損耗（Eoss=0.5×Coss×V2）大幅下降。以 PANJIT 的 100V SGT 產(chǎn)品為例，其 Qgd（米勒電荷）從傳統(tǒng)器件的 15nC 降至 7nC，開關頻率可支持 1MHz 以上的 LLC 諧振拓撲，適用于高頻快充和通信電源場景。 SGT MOSFET 獨特的屏蔽柵溝槽結構，優(yōu)化了器件內(nèi)部電場分布，相較于傳統(tǒng) MOSFET，大幅提升了擊穿電壓能力.浙江60VSGTMOSFET銷售電話

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SGT MOSFET 的性能優(yōu)勢

SGT MOSFET 的優(yōu)勢在于其低導通損耗和快速開關特性。由于屏蔽電極的存在，器件在關斷時能有效分散漏極電場，從而降低柵極電荷（Q<sub>g</sub>）和反向恢復電荷（Q<sub>rr</sub>），提升開關頻率（可達MHz級別）。此外，溝槽設計減少了電流路徑的橫向電阻，使R<sub>DS(on)</sub>低于平面MOSFET。例如，在40V/100A的應用中，SGT MOSFET的導通電阻可降低30%以上，直接減少熱損耗并提高能效。同時，其優(yōu)化的電容特性（如C<sub>ISS</sub>、C<sub>OSS</sub>）降低了驅動電路的功耗，適用于高頻DC-DC轉換器和同步整流拓撲 廣東TO-252SGTMOSFET供應商虛擬現(xiàn)實設備的電源模塊選用 SGT MOSFET，滿足設備對高效、穩(wěn)定電源的需求.

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多溝槽協(xié)同設計與元胞優(yōu)化

為實現(xiàn)更高功率密度，SGTMOSFET采用多溝槽協(xié)同設計：1場板溝槽，通過引入與漏極相連的場板，平衡體內(nèi)電場分布，抑制動態(tài)導通電阻（RDS(on)）的電流崩塌效應；2源極接觸溝槽，縮短源極金屬與硅片的接觸距離，降低接觸電阻（Rcontact）3柵極分割溝槽，將柵極分割為多個單一單元，減少柵極電阻（Rg）和柵極延遲時間（td）。通過0.13μm超細元胞工藝，元胞密度提升50%，RDS(on)進一步降低至33mΩ·mm2（100V產(chǎn)品）。

SGT MOSFET 的基本結構與工作原理

SGT（Shielded Gate Trench）MOSFET 是一種先進的功率半導體器件，其結構采用溝槽柵（Trench Gate）設計，并在柵極周圍引入屏蔽層（Shield Electrode），以優(yōu)化電場分布并降低導通電阻（R<sub>DS(on)</sub>）。與傳統(tǒng)平面MOSFET相比，SGT MOSFET通過垂直溝槽結構增加了單元密度，從而在相同芯片面積下實現(xiàn)更高的電流處理能力。其工作原理基于柵極電壓控制溝道形成：當柵極施加正向電壓時，P型體區(qū)反型形成N溝道，電子從源極流向漏極；而屏蔽電極則通過接地或負偏置抑制柵極-漏極間的高電場，從而降低米勒電容（C<sub>GD</sub>）和開關損耗。這種結構特別適用于高頻、高功率密度應用，如電源轉換器和電機驅動 5G 基站電源用 SGT MOSFET，高負荷穩(wěn)定供電，保障信號持續(xù)穩(wěn)定傳輸。

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隨著物聯(lián)網(wǎng)技術的發(fā)展，眾多物聯(lián)網(wǎng)設備需要高效的電源管理。SGT MOSFET 可應用于物聯(lián)網(wǎng)傳感器節(jié)點的電源電路中。這些節(jié)點通常依靠電池供電，SGT MOSFET 的低功耗與高轉換效率特性，能比較大限度地延長電池使用壽命，減少更換電池的頻率，確保物聯(lián)網(wǎng)設備長期穩(wěn)定運行，促進物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。在智能家居環(huán)境監(jiān)測傳感器中，SGT MOSFET 可高效管理電源，使傳感器在低功耗下持續(xù)采集溫度、濕度等數(shù)據(jù)，并將數(shù)據(jù)穩(wěn)定傳輸至控制中心。其低功耗特性使傳感器可使用小型電池長期工作，無需頻繁更換，降低用戶維護成本，保障智能家居系統(tǒng)穩(wěn)定運行，推動物聯(lián)網(wǎng)技術在智能家居領域的深入應用與普及。醫(yī)療設備選 SGT MOSFET，低電磁干擾，確保檢測結果準確。浙江80VSGTMOSFET答疑解惑

SGT MOSFET 成本效益高，高性能且價格實惠。浙江60VSGTMOSFET銷售電話

與競品技術的對比相比傳統(tǒng)平面MOSFET和超結MOSFET，SGT MOSFET在中等電壓范圍（30V-200V）具有更好的優(yōu)勢。例如，在60V應用中，其R<sub>DS(on)</sub>比超結器件低15%，但成本低于GaN器件。與SiC MOSFET相比，SGT硅基方案在200V以下性價比更高，適合消費電子和工業(yè)自動化。然而，在超高壓（>900V）或超高頻（>10MHz）場景，GaN和SiC仍是更推薦擇。在中低壓市場中，SGT MOSFET需求很大，相比Trench MOSFET成本降低，性能提高，對客戶友好。浙江60VSGTMOSFET銷售電話