USB測試DDR測試檢查

DDR測試

DDRDIMM內(nèi)存條測試處理內(nèi)存條測試儀重要的部分是自動處理機。處理機一般采用鍍金連接器以保證與內(nèi)存條良好的電接觸。在頻率為266MHz時，2英寸長的連接器將會造成測試信號極大衰減。為解決上述難題，一種新型處理機面市了。它采用普通手動測試儀的插槽。測試儀可以模擬手動插入，平穩(wěn)地插入待測內(nèi)存條的插槽；一旦測試完成，內(nèi)存條又可以平穩(wěn)地從插槽中拔出。

克勞德高速數(shù)字信號測試實驗室

地址：深圳市南山區(qū)南頭街道中祥路8號君翔達大廈A棟2樓H區(qū) DDR測試USB眼圖測試設(shè)備？USB測試DDR測試檢查

8.PCBLayout在實際的PCB設(shè)計時，考慮到SI的要求，往往有很多的折中方案。通常，需要優(yōu)先考慮對于那些對信號的完整性要求比較高的。畫PCB時，當(dāng)考慮以下的一些相關(guān)因素，那么對于設(shè)計PCB來說可靠性就會更高。1）首先，要在相關(guān)的EDA工具里設(shè)置好拓撲結(jié)構(gòu)和相關(guān)約束。2）將BGA引腳突圍，將ADDR/CMD/CNTRL引腳布置在DQ/DQS/DM字節(jié)組的中間，由于所有這些分組操作，為了盡可能少的信號交叉，一些的管腳也許會被交換到其它區(qū)域布線。3）由串?dāng)_仿真的結(jié)果可知，盡量減少短線（stubs）長度。通常，短線（stubs）是可以被削減的，但不是所有的管腳都做得到的。在BGA焊盤和存儲器焊盤之間也許只需要兩段的走線就可以實現(xiàn)了，但是此走線必須要很細，那么就提高了PCB的制作成本，而且，不是所有的走線都只需要兩段的，除非使用微小的過孔和盤中孔的技術(shù)。終，考慮到信號完整性的容差和成本，可能選擇折中的方案。解決方案DDR測試故障DDR3總線的解碼方法；

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除了DDR以外，近些年隨著智能移動終端的發(fā)展，由DDR技術(shù)演變過來的LPDDR(Low-PowerDDR,低功耗DDR)也發(fā)展很快。LPDDR主要針對功耗敏感的應(yīng)用場景，相對于同一代技術(shù)的DDR來說會采用更低的工作電壓，而更低的工作電壓可以直接減少器件的功耗。比如LPDDR4的工作電壓為1.1V,比標(biāo)準(zhǔn)的DDR4的1.2V工作電壓要低一些，有些廠商還提出了更低功耗的內(nèi)存技術(shù)，比如三星公司推出的LPDDR4x技術(shù)，更是把外部I/O的電壓降到了0.6V。但是要注意的是，更低的工作電壓對于電源紋波和串?dāng)_噪聲會更敏感，其電路設(shè)計的挑戰(zhàn)性更大。除了降低工作電壓以外，LPDDR還會采用一些額外的技術(shù)來節(jié)省功耗，比如根據(jù)外界溫度自動調(diào)整刷新頻率(DRAM在低溫下需要較少刷新)、部分陣列可以自刷新，以及一些對低功耗的支持。同時，LPDDR的芯片一般體積更小，因此占用的PCB空間更小。

對于DDR2和DDR3，時鐘信號是以差分的形式傳輸?shù)?，而在DDR2里，DQS信號是以單端或差分方式通訊取決于其工作的速率，當(dāng)以高度速率工作時則采用差分的方式。顯然，在同樣的長度下，差分線的切換時延是小于單端線的。根據(jù)時序仿真的結(jié)果，時鐘信號和DQS也許需要比相應(yīng)的ADDR/CMD/CNTRL和DATA線長一點。另外，必須確保時鐘線和DQS布在其相關(guān)的ADDR/CMD/CNTRL和DQ線的當(dāng)中。由于DQ和DM在很高的速度下傳輸，所以，需要在每一個字節(jié)里，它們要有嚴(yán)格的長度匹配，而且不能有過孔。差分信號對阻抗不連續(xù)的敏感度比較低，所以換層走線是沒多大問題的，在布線時優(yōu)先考慮布時鐘線和DQS。用DDR的BGA探頭引出測試信號；

4）將Vref的去耦電容靠近Vref管腳擺放；Vtt的去耦電容擺放在遠的一個SDRAM外端；VDD的去耦電容需要靠近器件擺放。小電容值的去耦電容需要更靠近器件擺放。正確的去耦設(shè)計中，并不是所有的去耦電容都是靠近器件擺放的。所有的去耦電容的管腳都需要扇出后走線，這樣可以減少阻抗，通常，兩端段的扇出走線會垂直于電容布線。5）當(dāng)切換平面層時，盡量做到長度匹配和加入一些地過孔，這些事先應(yīng)該在EDA工具里進行很好的仿真。通常，在時域分析來看，差分線的正負兩根線要做到延時匹配，保證其誤差在+/-2ps，而其它的信號要做到+/-10ps。DDR關(guān)于信號建立保持是的定義；解決方案DDR測試故障

DDR的信號測試和協(xié)議測試；USB測試DDR測試檢查

3.互聯(lián)拓撲對于DDR2和DDR3，其中信號DQ、DM和DQS都是點對點的互聯(lián)方式，所以不需要任何的拓撲結(jié)構(gòu)，然而例外的是，在multi-rankDIMMs（DualInLineMemoryModules）的設(shè)計中并不是這樣的。在點對點的方式時，可以很容易的通過ODT的阻抗設(shè)置來做到阻抗匹配，從而實現(xiàn)其波形完整性。而對于ADDR/CMD/CNTRL和一些時鐘信號，它們都是需要多點互聯(lián)的，所以需要選擇一個合適的拓撲結(jié)構(gòu)，圖2列出了一些相關(guān)的拓撲結(jié)構(gòu)，其中Fly-By拓撲結(jié)構(gòu)是一種特殊的菊花鏈，它不需要很長的連線，甚至有時不需要短線（Stub）。對于DDR3，這些所有的拓撲結(jié)構(gòu)都是適用的，然而前提條件是走線要盡可能的短。Fly-By拓撲結(jié)構(gòu)在處理噪聲方面，具有很好的波形完整性，然而在一個4層板上很難實現(xiàn)，需要6層板以上，而菊花鏈?zhǔn)酵負浣Y(jié)構(gòu)在一個4層板上是容易實現(xiàn)的。另外，樹形拓撲結(jié)構(gòu)要求AB的長度和AC的長度非常接近（如圖2）?？紤]到波形的完整性，以及盡可能的提高分支的走線長度，同時又要滿足板層的約束要求，在基于4層板的DDR3設(shè)計中，合理的拓撲結(jié)構(gòu)就是帶有少短線（Stub）的菊花鏈?zhǔn)酵負浣Y(jié)構(gòu)。USB測試DDR測試檢查