浦東新區(qū)碳化硅價(jià)格怎么樣

碳化硅，是一種無(wú)機(jī)物，化學(xué)式為SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物，莫桑石。在C、N、B等非氧化物高技術(shù)耐火原料中，碳化硅為應(yīng)用較普遍、較經(jīng)濟(jì)的一種，可以稱為金鋼砂或耐火砂。 中國(guó)工業(yè)生產(chǎn)的碳化硅分為黑色碳化硅和綠色碳化硅兩種，均為六方晶體，比重為3.20～3.25，顯微硬度為2840～3320kg/mm2。碳化硅是由美國(guó)人艾奇遜在1891年電熔金剛石實(shí)驗(yàn)時(shí)，在實(shí)驗(yàn)室偶然發(fā)現(xiàn)的一種碳化物，當(dāng)時(shí)誤認(rèn)為是金剛石的混合體，故取名金剛砂，1893年艾奇遜研究出來(lái)了工業(yè)冶煉碳化硅的方法，也就是大家常說(shuō)的艾奇遜爐，一直沿用至今，以碳質(zhì)材料為爐芯體的電阻爐，通電加熱石英SiO2和碳的混合物生成碳化硅。 碳化硅有黑碳化硅和綠碳化硅兩個(gè)常用的基本品種。浦東新區(qū)碳化硅價(jià)格怎么樣

許多物質(zhì)化合物以稱為多晶型物的不同晶體結(jié)構(gòu)存在。碳化硅在這方面非常獨(dú)特，因?yàn)檠芯咳藛T已經(jīng)鑒定出250多種不同的碳化硅多晶型物。3C-SiC和4H-SiC由于其優(yōu)越的半導(dǎo)體性能而成為較常用的多型體。本文使用的SiC晶體管基于4H-SiC。用eV表示的能隙是結(jié)晶固體中電子的導(dǎo)帶底部和價(jià)帶頂部之間的差。半導(dǎo)體表現(xiàn)出1 eV

在模塊層面上，SiC主要有兩個(gè)好處：更小的芯片尺寸和更低的動(dòng)態(tài)損耗。在系統(tǒng)層面上，這些優(yōu)勢(shì)可被以多種方式利用。低動(dòng)態(tài)損耗帶來(lái)輸出功率的明顯增加，將提供減輕重量和減小體積的機(jī)會(huì)。值得一提的是，無(wú)需額外的冷卻能力就可實(shí)現(xiàn)功率的增加。因?yàn)榕c硅器件相比，SiC帶來(lái)實(shí)際的損耗減少，可能在相同的冷卻條件下得到更高的輸出功率。低的功率損耗能提高能效，允許設(shè)計(jì)高效率的逆變器，例如用于太陽(yáng)能和UPS應(yīng)用。此外，低動(dòng)態(tài)損耗使得SiC器件非常適用于20kHz以上的較高開(kāi)關(guān)頻率。利用高開(kāi)關(guān)頻率，可以減少LC濾波器的成本和尺寸。根據(jù)所使用的芯片面積，在4kHz的低開(kāi)關(guān)頻率下也可以展示SiC的優(yōu)點(diǎn)。SiC的其它優(yōu)點(diǎn)涉及到增強(qiáng)的散熱和正溫度系數(shù)，這對(duì)并聯(lián)的的SiC芯片很重要。所有這一切都使得SiC在普遍的可能應(yīng)用范圍內(nèi)成為非常有吸引力的材料。

中國(guó)碳化硅出口市場(chǎng)以亞洲和北美洲為主，出口份額分別占到全球出口份額的70.25%和23.76%，共出口到59個(gè)國(guó)別和地區(qū)，比2011年增加了6個(gè)。出口數(shù)量在千噸以上的國(guó)別和地區(qū)依次為日本、美國(guó)、韓國(guó)、、泰國(guó)、新加坡、印度、土耳其、墨西哥和德國(guó)，這10個(gè)國(guó)家和地區(qū)的合計(jì)出口數(shù)量為15.26萬(wàn)噸，占出口總量的92.64%。其中位列前四名的國(guó)別和地區(qū)出口數(shù)量占比分別為30.55%、23.25%、15.5%和13.63%，四個(gè)國(guó)別和地區(qū)的出口量之和占出口總量的82.93%。除韓國(guó)出口數(shù)量同比增長(zhǎng)85.5%外，土耳其和德國(guó)的數(shù)量同比增長(zhǎng)引人注目，但主銷國(guó)別和地區(qū)數(shù)量同比還是有較大程度下滑，其中對(duì)日本和美國(guó)的出口數(shù)量下滑幅度均達(dá)約40%。由于天然含量甚少，碳化硅主要多為人造。

其中碳化硅和氮化鎵是目前商業(yè)前景較明朗的半導(dǎo)體材料，堪稱半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)內(nèi)新一代“黃金賽道”。歷史上人類一次發(fā)現(xiàn)碳化硅是在1891年，美國(guó)人艾奇遜在電溶金剛石的時(shí)候發(fā)現(xiàn)一種碳的化合物，這就是碳化硅初次合成和發(fā)現(xiàn)。在經(jīng)歷了百年的探索之后，特別是進(jìn)入21世紀(jì)以后，人類終于理清了碳化硅的優(yōu)點(diǎn)和特性，并利用碳化硅特性，做出各種新器件，碳化硅行業(yè)得到較快發(fā)展。相比傳統(tǒng)的硅材料，碳化硅的禁帶寬度是硅的3倍；導(dǎo)熱率為硅的4-5倍；擊穿電壓為硅的8倍；電子飽和漂移速率為硅的2倍。種種特性意味著碳化硅特別適于制造耐高溫、耐高壓，耐大電流的高頻大功率的器件。碳化硅，是一種無(wú)機(jī)物，化學(xué)式為SiC。靜安區(qū)碳化硅多少錢

在任何已能達(dá)到的壓力下，它都不會(huì)熔化，且具有相當(dāng)?shù)偷幕瘜W(xué)活性。浦東新區(qū)碳化硅價(jià)格怎么樣

電動(dòng)汽車的電動(dòng)機(jī)是有源負(fù)載，其轉(zhuǎn)速范圍很寬，且在行駛過(guò)程中需要頻繁地加速和減速，工作條件比一般的調(diào)速系統(tǒng)要復(fù)雜，因此，其驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)是決定電動(dòng)汽車性能的關(guān)鍵所在。隨著電動(dòng)汽車的發(fā)展，對(duì)電力電子功率驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)提出了更高的要求，即更輕、更緊湊、更高效、更可靠。常用的半導(dǎo)體材料，尤其是各種電子產(chǎn)品中的處理器、存儲(chǔ)器等芯片，通常都是基于硅晶體(單晶硅或多晶硅)制造出來(lái)的。而實(shí)際上還有一類半導(dǎo)體是基于化合物晶體制造的，SiC(碳化硅)半導(dǎo)體就是其中之一。浦東新區(qū)碳化硅價(jià)格怎么樣

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