浦東新區(qū)碳化硅介紹

來源: 發(fā)布時間:2023-05-18

碳化硅、氮化鎵的市場潛力還遠(yuǎn)未被全部挖掘:5G、智慧交通、新能源已經(jīng)成為全球發(fā)展的方向,但作為上游材料的氮化鎵、碳化硅的市場潛力其實還遠(yuǎn)未被全部挖掘。因為如果從產(chǎn)業(yè)鏈中游來看,我國第三代半導(dǎo)體器件市場有著巨大的增長空間,或能成為倒逼上游材料發(fā)展的一大動力。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展至今經(jīng)歷了三個階段,一代半導(dǎo)體材料以硅為反映;第二代半導(dǎo)體材料砷化鎵也已經(jīng)普遍應(yīng)用;而以氮化鎵和碳化硅、氧化鋅、氧化鋁、金剛石等寬禁帶為反映的第三代半導(dǎo)體材料,相較前兩代產(chǎn)品性能優(yōu)勢顯著。 碳化硅以特殊工藝制取的黃綠色晶體,用以制作的磨具適于軸承的超精加工。浦東新區(qū)碳化硅介紹

隨著電動汽車以及其他系統(tǒng)的增長,碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體市場正在經(jīng)歷需求的突然激增。這便是SiC的用武之地?;诘墸℅aN)的功率半導(dǎo)體也正在出現(xiàn)。GaN和SiC都是寬帶隙技術(shù)。硅的帶隙為1.1 eV。 相比之下,SiC的帶隙為3.3 eV,GaN的帶隙為3.4 eV。SiC是一種基于硅和碳的復(fù)合半導(dǎo)體材料。在生產(chǎn)流程中,專門的SiC襯底被開發(fā)出來,然后在晶圓廠中進(jìn)行加工,得到基于SiC的功率半導(dǎo)體。許多基于SiC的功率半導(dǎo)體和競爭技術(shù)都是專門用晶體管,它們可以在高電壓下開關(guān)器件的電流。它們用于電力電子領(lǐng)域,可以實現(xiàn)系統(tǒng)中電力的轉(zhuǎn)換和控制。 浦東新區(qū)碳化硅介紹具有的耐高溫性、導(dǎo)熱性而成為隧道窯或梭式窯的主選窯具材料之一。

2012年全年中國黑碳化硅產(chǎn)能沒有正常釋放,一方面是成交緩慢,庫存消耗慢,占壓資金量大,另一方面是下游玩業(yè)消費(fèi)商回款時間長,欠款現(xiàn)象嚴(yán)重,導(dǎo)致某些企業(yè)資金鏈緊張。2012年中國黑碳化硅的主產(chǎn)地為寧夏和甘肅,青海和新疆的原有產(chǎn)能逐漸被淘汰,加上湖北丹江口弘源的冶煉產(chǎn)能,共計76.9萬噸, 2012年總產(chǎn)量約為34萬噸,黑碳化硅冶煉企業(yè)的產(chǎn)能利用率約為44.5%。中國綠碳化硅冶煉的主產(chǎn)地是甘肅、青海、新疆和四川。四川主要靠水力發(fā)電站供電,受到枯水期電力短缺的影響,一年的生產(chǎn)時間只在4-10月份,較長能堅持6個月的生產(chǎn),但四川的冶煉爐幾乎沒有正常開工,主要因為市場需求疲軟,庫存難以消耗。

第三代半導(dǎo)體材料有非常獨(dú)特優(yōu)異的性能優(yōu)勢。寬禁帶,單個器件可以承載上萬伏電壓;熱導(dǎo)率高,工作可靠性強(qiáng);載流子遷移率高、工作頻率大,省電節(jié)能;把這些優(yōu)異性能全部整合在碳化硅材料之上,其性能就會指數(shù)級地提升,用途也會更為普遍。碳化硅晶片是5G芯片較理想的襯底。而5G通訊即將帶來的生活的便捷高效,帶來物聯(lián)方式的變革,將推動整個經(jīng)濟(jì)社會的大變革。碳化硅材料應(yīng)用還可以推動碳達(dá)峰、碳中和。比如未來新能源汽車對燃油汽車的替代等,都會帶來極大的市場變革。要制成碳化硅微粉還要經(jīng)過水選過程,要做成碳化硅制品還要經(jīng)過成型與結(jié)燒的過程。

全SiC模塊的功率密度比IGBT模塊要高得多,甚至在開關(guān)頻率低于5kHz時。因此,通過使用更大的芯片面積來優(yōu)化用于低開關(guān)頻率的全SiC模塊是可能的。 只要SiC芯片尺寸合適,SiC器件可以在普遍的開關(guān)頻率范圍內(nèi)提供更高的輸出電流和輸出功率。大功率要求功率芯片和模塊大量并聯(lián)。目前,可以獲得額定電流高達(dá)200A的硅IGBT和傳統(tǒng)續(xù)流二極管,SiC MOSFET和肖特基二極管的較大額定電流迄今為止小于100A。因此,不得不并聯(lián)大量的SiC晶片以實現(xiàn)大額定功率??紤]到SiC器件的快速開關(guān)特性和振蕩趨勢,需要低電感模塊設(shè)計和DCB基板上優(yōu)化的芯片布局。在下文中,1200V、900A全SiC模塊與1300A的常規(guī)硅模塊相對比。 IGBT模塊利用2塊并聯(lián)的DCB基板,每個基板配有并聯(lián)的9個75A溝道IGBT,連同5個100A CAL續(xù)流二極管。碳化硅的工業(yè)制法是用優(yōu)良石英砂和石油焦在電阻爐內(nèi)煉制。黃浦區(qū)碳化硅工廠

碳化硅(SiC)因其很大的硬度而成為一種重要的磨料,但其應(yīng)用范圍卻超過一般的磨料。浦東新區(qū)碳化硅介紹

碳化硅主要有四大應(yīng)用領(lǐng)域,即:功能陶瓷、高級耐火材料、磨料及冶金原料。碳化硅粗料已能大量供應(yīng),不能算高新技術(shù)產(chǎn)品,而技術(shù)含量極高 的納米級碳化硅粉體的應(yīng)用短時間不可能形成規(guī)模經(jīng)濟(jì)。 ⑴ 作為磨料,可用來做磨具,如砂輪、油石、磨頭、砂瓦類等。 ⑵ 作為冶金脫氧劑和耐高溫材料。 ⑶ 高純度的單晶,可用于制造半導(dǎo)體、制造碳化硅纖維。 主要用途:用于3-12英寸單晶硅、多晶硅、砷化鉀、石英晶體等線切割。太陽能光伏產(chǎn)業(yè)、半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)、壓電晶體產(chǎn)業(yè)工程性加工材料。 浦東新區(qū)碳化硅介紹

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