則會(huì)在無(wú)門極信號(hào)的情況下開通。即使此時(shí)加于晶閘管模塊的正向電壓低于其陽(yáng)極峰值電壓，也可能發(fā)生這種情況。因?yàn)榫чl管模塊可以看作是由三個(gè)pn結(jié)組成。在晶閘管模塊處于阻斷狀態(tài)下，因各層相距很近，其j2結(jié)結(jié)面相當(dāng)于一個(gè)電容c0。當(dāng)晶閘管陽(yáng)極電壓變化時(shí)，便會(huì)有充電電流流過電容c0，并通過j3結(jié)，這個(gè)電流起了門極觸發(fā)電流作用。如果晶閘管模塊在關(guān)斷時(shí)，陽(yáng)極電壓上升速度太快，則c0的充電電流越大，就有可能造成門極在沒有觸發(fā)信號(hào)的情況下，晶閘管誤導(dǎo)通現(xiàn)象，即常說的硬開通，這是不允許的。因此，對(duì)加到晶閘管模塊上的陽(yáng)極電壓上升率應(yīng)有一定的限制。為了限制電路電壓上升率過大，確保晶閘管模塊安全運(yùn)行，常在晶閘管兩端并聯(lián)r...

一個(gè)是晶閘管模塊電壓故障，也就是我們常說的跌落。電壓故障分為早期故障、中期故障和晚期故障。二是線路情況，造成過電壓，對(duì)晶閘管模塊實(shí)行的安全措施失效。晶閘管模塊被電流燒壞時(shí)，陰極表面通常會(huì)有較大的燒痕，甚至芯片、外殼等金屬大面積熔化。di/dt引起的晶閘管模塊燒損很容易判斷。一般在澆口或出料口附近會(huì)燒出一個(gè)小黑點(diǎn)。我們知道，晶閘管模塊的等效電路是由兩個(gè)晶閘管組成，用與門極對(duì)應(yīng)的晶閘管來(lái)觸發(fā)。目的是在觸發(fā)信號(hào)到來(lái)時(shí)放大，然后盡快接通主晶閘管。但是如果短時(shí)間內(nèi)電流過大，主晶閘管沒有完全導(dǎo)通，大電流主要流過相當(dāng)于門極的晶閘管，但是這個(gè)晶閘管的載流能力很小，導(dǎo)致這個(gè)晶閘管燒壞。表面上看，是在閘門或卸料閘...

大家使用的是單向晶閘管模塊，也就是人們常說的普通晶閘管，它是由四層半導(dǎo)體材料組成的，有三個(gè)PN結(jié)，對(duì)外有三個(gè)電極〕：層P型半導(dǎo)體引出的電極叫陽(yáng)極A，第三層P型半導(dǎo)體引出的電極叫控制極G，第四層N型半導(dǎo)體引出的電極叫陰極K。從晶閘管的電路符號(hào)〔圖2(b)〕可以看到，它和二極管一樣是一種單方向?qū)щ姷钠骷?，關(guān)鍵是多了一個(gè)控制極G，這就使它具有與二極管完全不同的工作特性。二、晶閘管模塊的主要工作特性為了能夠直觀地認(rèn)識(shí)晶閘管的工作特性，大家先看這塊示教板。晶閘管VS與小燈泡EL串聯(lián)起來(lái)，通過開關(guān)S接在直流電源上。注意陽(yáng)極A是接電源的正極，陰極K接電源的負(fù)極，控制極G通過按鈕開關(guān)SB接在3V直流電源的正極...

利用過零觸發(fā)電路控制雙向晶閘管模塊的通斷。這樣，可以在負(fù)載上獲得完整的正弦波，但其缺點(diǎn)是適用于時(shí)間常數(shù)大于開關(guān)周期的系統(tǒng)，如恒溫裝置。過電壓會(huì)對(duì)晶閘管模塊造成怎樣的損壞？過電壓會(huì)損壞晶閘管。如果要保護(hù)晶閘管不受損壞，應(yīng)了解過電壓產(chǎn)生的原因，以免損壞。對(duì)于以下正高電氣，過電壓會(huì)對(duì)晶閘管模塊造成什么樣的損壞？以及產(chǎn)生電壓過點(diǎn)的原因是什么呢？對(duì)過電壓非常敏感。當(dāng)正向電壓超過udrm的某個(gè)值時(shí)，晶閘管會(huì)被誤導(dǎo)導(dǎo)，導(dǎo)致電路故障；當(dāng)施加的反向電壓超過一定的urrm值時(shí)，將立即損壞。因此，這么看來(lái)還是非常有必要去研究過電壓產(chǎn)生的原因以及控制過電壓的方法。1.過電壓保護(hù)過電的原因就是操作過電壓，并且根據(jù)過電壓...

并且其工作過程可以控制、被應(yīng)用于可控整流、交流調(diào)壓、無(wú)觸點(diǎn)電子開關(guān)、逆變及變頻等電子電路中，是典型的小電流控制大電流的設(shè)備。下面正高來(lái)詳細(xì)講解晶閘管模塊的發(fā)展歷史。半導(dǎo)體的出現(xiàn)成為20世紀(jì)現(xiàn)代物理學(xué)其中一項(xiàng)重大的突破，標(biāo)志著電子技術(shù)的誕生。而由于不同領(lǐng)域的實(shí)際需要，促使半導(dǎo)體器件自此分別向兩個(gè)分支快速發(fā)展，其中一個(gè)分支即是以集成電路為的微電子器件，特點(diǎn)為小功率、集成化，作為信息的檢出、傳送和處理的工具;而另一類就是電力電子器件，特點(diǎn)為大功率、快速化。1955年，美國(guó)通用電氣公司研發(fā)了世界上個(gè)以硅單晶為半導(dǎo)體整流材料的硅整流器(SR)，1957年又開發(fā)了全球較早用于功率轉(zhuǎn)換和控制的可控硅整流器(...

流過晶閘管的電流保持為零的時(shí)間,必須小于其關(guān)斷時(shí)間；晶閘管原理及大中小功率晶閘管用途晶閘管是目前應(yīng)用較為普遍的電力電工元件，具有良好的通斷、整流、調(diào)壓、變頻等功能。晶閘管的工作原理和用途都有哪些，正高為您做詳細(xì)分析。普通晶閘管用途就是可控整流。大家熟悉的二極管整流電路屬于不可控整流電路。如果把二極管換成晶閘管，就可以構(gòu)成可控整流電路。以簡(jiǎn)單的單相半波可控整流電路為例，在正弦交流電壓U2的正半周期間，如果VS的控制極沒有輸入觸發(fā)脈沖Ug，VS仍然不能導(dǎo)通，只有在U2處于正半周，在控制極外加觸發(fā)脈沖Ug時(shí)，晶閘管被觸發(fā)導(dǎo)通。畫出它的波形（c）及（d），只有在觸發(fā)脈沖Ug到來(lái)時(shí)，負(fù)載RL上才有電壓U...

其原因是當(dāng)可控硅模塊控制一個(gè)連接電感性負(fù)載的電路斷開或閉合時(shí)，其線圈中的電流通路被切斷，其變化率極大，因此在電感上產(chǎn)生一個(gè)高電壓，這個(gè)電壓通過電源的內(nèi)阻加在開關(guān)觸點(diǎn)的兩端，然后感應(yīng)電壓一次次放電直到感應(yīng)電壓低于放電所必須的電壓為止，在這一過程中將產(chǎn)生極大的脈沖束。這些脈沖束疊加在供電電壓上，并且把干擾傳給供電線或以輻射形式傳向周圍空間，這種脈沖具有很高的幅度，很寬的頻率，因而具有感性負(fù)載的開關(guān)點(diǎn)是一個(gè)很強(qiáng)的噪聲源。1.為防止或減小噪聲，對(duì)于移相控制式交流調(diào)壓一般的處理方法有電感電容濾波電路，阻容阻尼電路和雙向二極管阻尼電路及其它電路。電感電容濾波電路，由電感電容構(gòu)成諧振回路，其低通截止頻率為f...

由普通晶閘管模塊相繼衍生出了快速晶閘管模塊、光控晶閘管模塊、不對(duì)稱晶閘管模塊及雙向晶閘管模塊等各種特性的晶閘管模塊，形成一個(gè)龐大的晶閘管家族。以上，是正高對(duì)晶閘管模塊發(fā)展歷史的講解，希望對(duì)于關(guān)注晶閘管的人們起到一定的幫助。正高講解晶閘管損壞的原因診斷晶閘管作為重要的元器件，晶閘管能夠更好的控制設(shè)備電流導(dǎo)通，給設(shè)備提供安全的運(yùn)行保障。但是，很多晶閘管設(shè)備運(yùn)行過程中，受外部因素的影響容易發(fā)生損壞故障。接下來(lái)，正高結(jié)合晶閘管損壞的原因分析診斷方法。當(dāng)晶閘管損壞后需要檢查分析其原因時(shí)，可把管芯從冷卻套中取出，打開芯盒再取出芯片，觀察其損壞后的痕跡，以判斷是何原因。如下就是幾種常見的晶閘管損壞原因的判別...

這兩種操作方式的區(qū)別在于：晶閘管模塊由電流控制，而IGBT模塊由電壓變化控制系統(tǒng)開關(guān)。IGBT可以關(guān)閉，但晶閘管只能在零時(shí)關(guān)閉，并且IGBT的工作頻率高于晶閘管模塊。在中國(guó)，IGBT是一種全控型電壓可以創(chuàng)新、推動(dòng)經(jīng)濟(jì)發(fā)展的半導(dǎo)體開關(guān)，可對(duì)晶閘管的開關(guān)量進(jìn)行控制；晶閘管工作者需要我們通過電流脈沖數(shù)據(jù)技術(shù)驅(qū)動(dòng)的管理系統(tǒng)開放，一旦有一個(gè)企業(yè)開關(guān)量很小，門極就不能關(guān)斷，就需要在主電路的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)中將電流關(guān)斷或很小的電流關(guān)斷。可控硅模組像開關(guān)技術(shù)一樣開關(guān)電流，像閘門一樣阻止水流。其重要作用就是我們有一個(gè)“門”字；所以，晶閘管有兩種工作狀態(tài)，一種是引導(dǎo)狀態(tài)，另一種是電流狀態(tài)；晶閘管的狀態(tài)及其變化方式，它有自...

晶閘管模塊才能導(dǎo)通。具有短路發(fā)射結(jié)結(jié)構(gòu)的晶閘管模塊，用控制極電流觸發(fā)時(shí)，控制極電流首先也是從短路點(diǎn)流向陰極。只是當(dāng)控制極電流足夠大，在短路點(diǎn)電阻上的電壓降足夠大，PN結(jié)正偏導(dǎo)通電流時(shí)，才同沒有短路發(fā)射結(jié)的元件一樣，可被觸發(fā)導(dǎo)通。因此，快速晶閘管模塊的抗干擾能力較好?？焖倬чl管模塊的生產(chǎn)和應(yīng)用都進(jìn)展很快。目前，已有了電流幾百安培、耐壓1千余伏，關(guān)斷時(shí)間為20微妙的大功率快速晶閘管模塊，同時(shí)還做出了工作頻率可達(dá)幾十千赫茲供高頻逆變用的元件。其產(chǎn)品主要應(yīng)用于大功率直流開關(guān)、大功率中頻感應(yīng)加熱電源、超聲波電源、激光電源、雷達(dá)調(diào)制器及直流電動(dòng)車輛調(diào)速等領(lǐng)域。晶閘管模塊的檢測(cè)方法你知道多少？晶閘管模塊的應(yīng)...

這是制造廠家安裝不慎所造成的。它導(dǎo)致電壓擊穿。以上，是正高對(duì)晶閘管損壞原因診斷說明，希望對(duì)于晶閘管故障排除起到一定的借鑒。場(chǎng)效應(yīng)管和晶閘管有什么區(qū)別和聯(lián)系關(guān)鍵是場(chǎng)效應(yīng)管可以工作在開關(guān)狀態(tài)，更可以工作在放大狀態(tài)。而晶閘管只能工作在開關(guān)狀態(tài)，而且一般的晶閘管不能工作在直流電路，因?yàn)椴荒茏孕嘘P(guān)斷（gto是例外）。場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FieldEffectTransistor縮寫(FET)）簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極性晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。具有輸入電阻高（108～109Ω）、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn)，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和...

即俗稱底板是否帶電。絕緣型的模塊多用在交流焊機(jī)中，應(yīng)用于點(diǎn)焊、電阻焊機(jī)中的晶閘管模塊MTX系列;應(yīng)用于CO2氣體保護(hù)焊機(jī)、WSM普通焊機(jī)等MTG系列模塊。晶閘管模塊串聯(lián)和并聯(lián)的區(qū)別有哪些？晶閘管模塊的存在起到很重要的作用，在一些特殊情況時(shí)，就需要將晶閘管模塊進(jìn)行串聯(lián)或者并聯(lián)，從而達(dá)到要求，接下來(lái)正高電氣來(lái)說說晶閘管模塊串聯(lián)和并聯(lián)的區(qū)別有哪些？當(dāng)晶閘管模塊額定電壓小于要求時(shí)，可以串聯(lián)。采用晶閘管模塊串聯(lián)希望器件分壓相等，但因特性差異，使器件電壓分配不均勻。當(dāng)晶閘管模塊靜態(tài)不均壓，串聯(lián)的晶閘管模塊流過的漏電流相同，但因靜態(tài)伏安特性的分散性，各器件分壓不等。這是應(yīng)選用參數(shù)和特性盡量一致的晶閘管模塊，...

希望本文能對(duì)您有所幫助?？煽毓枘K與固態(tài)繼電器很相似，說到它們倆很多人都分不清楚，就更不知道它們兩者有什么區(qū)別和作用，下面正高小編來(lái)教您如何區(qū)分一下，并看看他們有什么區(qū)別？所謂單相固態(tài)繼電器，它只相當(dāng)于一個(gè)開關(guān)，不能起到任何調(diào)節(jié)電流的作用，而晶閘管模塊可以控制導(dǎo)通角，可以調(diào)節(jié)電流的大小，并且在一定程度上，單相固態(tài)繼電器可以用可控硅作主要元件。不同的是，固態(tài)繼電器的動(dòng)作電壓和控制電壓通過電路的內(nèi)部部分，如光耦分開，如果你不明白，相信你可以看看一個(gè)固定繼電器的內(nèi)部。此外，晶閘管模塊可以是單向或雙向、過零觸發(fā)或移相觸發(fā)。當(dāng)然，固態(tài)繼電器也是如此。可以說，晶閘管模塊和單相固態(tài)繼電器的用途和形式都是同一...

總是在靠近控制極的陰極區(qū)域首先導(dǎo)通，然后逐漸向外擴(kuò)展，直到整個(gè)面積導(dǎo)通。大面積的晶閘管模塊需要50~100微秒以上才能多面積導(dǎo)通。初始導(dǎo)通面積小時(shí)，必須限制初始電流的上升速度，否則將發(fā)生局部過熱現(xiàn)象，影響元件的性能，甚至燒壞。高頻工作時(shí)這種現(xiàn)象更為嚴(yán)重。為此，仿造了集成電路的方法，在晶閘管同一硅片上做出一個(gè)放大觸發(fā)信號(hào)用的小晶閘管?？刂茦O觸發(fā)小晶閘管模塊后，小晶閘管模塊的初始導(dǎo)通電流將橫向經(jīng)過硅片流向主晶閘管陰極，觸發(fā)主晶閘管。從而實(shí)際強(qiáng)觸發(fā)，加速了元件的導(dǎo)通，提高了耐電流上升率的能力。三、能耐較高的電壓上升率(dv/dt)晶閘管模塊是由三個(gè)P-N結(jié)組成的。每個(gè)結(jié)相當(dāng)于一個(gè)電容器。結(jié)電壓急劇變...

可以有效地增加社工負(fù)荷電阻，減少陽(yáng)極電流，使其接近于0。Gtoff管具有切換特性和切換特性。通過對(duì)IGBT柵源極進(jìn)行電壓變換，實(shí)現(xiàn)IGBT在柵源極加電壓+12V時(shí)對(duì)IGBT的通導(dǎo)，在柵源極不加控制系統(tǒng)電壓時(shí)對(duì)IGBT進(jìn)行技術(shù)開發(fā)或加負(fù)壓時(shí)對(duì)IGBT的關(guān)斷，加負(fù)壓是中國(guó)企業(yè)員工為了自身的一個(gè)更可靠的信息安全。IGBT的開關(guān)由柵極驅(qū)動(dòng)電壓控制。在MOSFET中，當(dāng)柵極正時(shí)，通道形成，并為PNP晶體管提供基極電流，使IGBT通電。這時(shí)，從P區(qū)調(diào)到N區(qū)，來(lái)降低高壓電阻的電阻Rdr值，以上就是小編想說的可晶閘管模塊和IGBT模塊的區(qū)別希望對(duì)你有所幫助。在通常的應(yīng)用過程中，晶閘管模塊有時(shí)會(huì)因?yàn)槟承┰蚨?..

如果平板式晶閘管模塊陽(yáng)極和陰極之間施加的是交流電壓或脈動(dòng)直流電壓，則平板式晶閘管模塊將在零電壓下自行關(guān)閉。歸類總結(jié)起來(lái)就是：1.用較小功率控制較大功率，功率方法倍數(shù)可達(dá)到的幾十萬(wàn)倍。2.控制系統(tǒng)靈敏，反應(yīng)快，平板式晶閘管模塊的導(dǎo)通和截止到了微秒級(jí)3.損耗小，平板式晶閘管模塊本身的壓降只有約1伏特4.體積小、重量輕以上就是平板式晶閘管模塊的優(yōu)勢(shì)以及特點(diǎn)，希望通過這篇文章可以對(duì)您有所幫助。晶閘管模塊的八個(gè)優(yōu)點(diǎn)晶閘管模塊應(yīng)用于溫度調(diào)節(jié)、調(diào)光、勵(lì)磁、電鍍、電解、焊接、穩(wěn)壓電源等行業(yè)，也可用于交流電機(jī)軟起動(dòng)和直流電機(jī)調(diào)速。你知道晶閘管模塊的優(yōu)點(diǎn)嗎？下面晶閘管生產(chǎn)廠家正高電氣來(lái)講解一下晶閘管模塊的八大優(yōu)點(diǎn)...

由普通晶閘管模塊相繼衍生出了快速晶閘管模塊、光控晶閘管模塊、不對(duì)稱晶閘管模塊及雙向晶閘管模塊等各種特性的晶閘管模塊，形成一個(gè)龐大的晶閘管家族。以上，是正高對(duì)晶閘管模塊發(fā)展歷史的講解，希望對(duì)于關(guān)注晶閘管的人們起到一定的幫助。正高講解晶閘管損壞的原因診斷晶閘管作為重要的元器件，晶閘管能夠更好的控制設(shè)備電流導(dǎo)通，給設(shè)備提供安全的運(yùn)行保障。但是，很多晶閘管設(shè)備運(yùn)行過程中，受外部因素的影響容易發(fā)生損壞故障。接下來(lái)，正高結(jié)合晶閘管損壞的原因分析診斷方法。當(dāng)晶閘管損壞后需要檢查分析其原因時(shí)，可把管芯從冷卻套中取出，打開芯盒再取出芯片，觀察其損壞后的痕跡，以判斷是何原因。如下就是幾種常見的晶閘管損壞原因的判別...

晶閘管模塊在通電情況下，只要有某種正向陽(yáng)極電壓，晶閘管模塊就會(huì)保持通電，也就是說，晶閘管模塊通電之后，門極就失去作用。門極用于觸發(fā)。晶閘管模塊導(dǎo)通時(shí)，當(dāng)主回路電壓（或電流）降至接近零時(shí)，晶閘管模塊就會(huì)關(guān)閉。晶閘管模塊與IGBT模塊的區(qū)別是什么？SCR別稱可控晶閘管，在高壓力、大電流應(yīng)用情況中，SCR是主流的功率電子元器件，IGBT模塊進(jìn)步迅猛，并有替代SCR的趨向。單片機(jī)容量大、功耗低的電子設(shè)備仍然占主導(dǎo)地位。具有出色工作性能的晶閘管衍生產(chǎn)品功能主要器件有許多，雙向、逆導(dǎo)、門極關(guān)斷和光控晶閘管等。晶閘管模塊的外形如下：IGBT晶閘管，結(jié)構(gòu)為絕緣柵雙極型場(chǎng)效應(yīng)晶體管，可由傳導(dǎo)管觸發(fā)，因此我們稱之...

晶閘管也是在電器元器件中普遍存在的一種產(chǎn)品。軟啟動(dòng)器中可控硅模塊是比較重要的一環(huán)，所以保護(hù)好可控硅模塊能夠的延長(zhǎng)軟啟動(dòng)器的使用壽命?？煽毓枘K與其它功率器件一樣，工作時(shí)由于自身功耗而發(fā)熱。如果不采取適當(dāng)措施將這種熱量散發(fā)出去，就會(huì)引起模塊管芯PN結(jié)溫度急劇上升。致使器件特性惡化，直至完全損壞。晶閘管的功耗主要由導(dǎo)通損耗、開關(guān)損耗、門極損耗三部分組成。在工頻或400Hz以下頻率的應(yīng)用中主要的是導(dǎo)通損耗。散熱器的常用散熱方式有：自然風(fēng)冷、強(qiáng)迫風(fēng)冷、熱管冷卻、水冷、油冷等。正常工作情況的軟啟動(dòng)器設(shè)備有，主要以熱量的形式散失在環(huán)境當(dāng)中，所以我們要先解決軟啟動(dòng)器工作環(huán)境的溫度問題，若工作環(huán)境的溫度過高則...

另一個(gè)應(yīng)用是對(duì)交流電機(jī)進(jìn)行調(diào)速,如海上石油鉆井平臺(tái)電網(wǎng)串級(jí)調(diào)速和變頻調(diào)速中使用的各種形式的變頻裝置等。這是目前的技術(shù)發(fā)展方向，國(guó)外的交流調(diào)違拖動(dòng)裝置發(fā)展非常迅速。斬波調(diào)壓利用晶閘管模塊作為直流開關(guān)，控制晶閘管的通斷比和通斷頻率，將一固定直流電壓變換成可調(diào)的直流電壓稱斬波電壓。它主要用于直流拖動(dòng)的脈沖調(diào)速，在地鐵、電車、電氣機(jī)車及作為碼頭和廠內(nèi)運(yùn)輸?shù)碾娖寇嚿鲜褂?，串電阻的調(diào)速方法，控制方便，節(jié)能明顯。電力電子開關(guān)利用晶閘管模塊作為電子開關(guān)，代替頻繁通斷的接觸器和繼電器。具有無(wú)火花、無(wú)磨損、無(wú)噪音及壽命長(zhǎng)的特點(diǎn)，并可得到較好的開關(guān)性能及節(jié)能效果。常做成交流調(diào)壓器，用于海上石油鉆井平臺(tái)的調(diào)光;作成調(diào)...

大家使用的是單向晶閘管模塊，也就是人們常說的普通晶閘管，它是由四層半導(dǎo)體材料組成的，有三個(gè)PN結(jié)，對(duì)外有三個(gè)電極〕：層P型半導(dǎo)體引出的電極叫陽(yáng)極A，第三層P型半導(dǎo)體引出的電極叫控制極G，第四層N型半導(dǎo)體引出的電極叫陰極K。從晶閘管的電路符號(hào)〔圖2(b)〕可以看到，它和二極管一樣是一種單方向?qū)щ姷钠骷?，關(guān)鍵是多了一個(gè)控制極G，這就使它具有與二極管完全不同的工作特性。二、晶閘管模塊的主要工作特性為了能夠直觀地認(rèn)識(shí)晶閘管的工作特性，大家先看這塊示教板。晶閘管VS與小燈泡EL串聯(lián)起來(lái)，通過開關(guān)S接在直流電源上。注意陽(yáng)極A是接電源的正極，陰極K接電源的負(fù)極，控制極G通過按鈕開關(guān)SB接在3V直流電源的正極...

確保電路正常工作而沒有元器件被損壞。這也是多元件在運(yùn)行的時(shí)候都會(huì)配上一個(gè)電容或電阻，以減少元件電流或電壓，從而讓元件能正常的工作。因此，晶閘管模塊運(yùn)行都要并聯(lián)一個(gè)RC串聯(lián)網(wǎng)絡(luò)來(lái)保護(hù)它正常的工作，以達(dá)到效率高運(yùn)行，經(jīng)濟(jì)可靠。怎么使用智能晶閘管調(diào)壓模塊隨著科技與社會(huì)的不斷發(fā)展，智能晶閘管模塊越來(lái)越被大眾所認(rèn)知，因?yàn)樗跈C(jī)器上也發(fā)揮著重要的作用，所以在行業(yè)的應(yīng)用中也是越來(lái)越多，接觸比較早的使用過它的肯定是在熟悉不過了，但是對(duì)于剛接觸它的來(lái)講，肯定是很陌生的，所以在使用上肯定就是有點(diǎn)困難的。那么就由淄博正高電氣有限公司的小編帶大家去了解下使用方法吧。1.首先要先保證com端必須為正，各個(gè)功能端相對(duì)，如...

總是在靠近控制極的陰極區(qū)域首先導(dǎo)通，然后逐漸向外擴(kuò)展，直到整個(gè)面積導(dǎo)通。大面積的晶閘管模塊需要50~100微秒以上才能多面積導(dǎo)通。初始導(dǎo)通面積小時(shí)，必須限制初始電流的上升速度，否則將發(fā)生局部過熱現(xiàn)象，影響元件的性能，甚至燒壞。高頻工作時(shí)這種現(xiàn)象更為嚴(yán)重。為此，仿造了集成電路的方法，在晶閘管同一硅片上做出一個(gè)放大觸發(fā)信號(hào)用的小晶閘管?？刂茦O觸發(fā)小晶閘管模塊后，小晶閘管模塊的初始導(dǎo)通電流將橫向經(jīng)過硅片流向主晶閘管陰極，觸發(fā)主晶閘管。從而實(shí)際強(qiáng)觸發(fā)，加速了元件的導(dǎo)通，提高了耐電流上升率的能力。三、能耐較高的電壓上升率(dv/dt)晶閘管模塊是由三個(gè)P-N結(jié)組成的。每個(gè)結(jié)相當(dāng)于一個(gè)電容器。結(jié)電壓急劇變...

確保電路正常工作而沒有元器件被損壞。這也是多元件在運(yùn)行的時(shí)候都會(huì)配上一個(gè)電容或電阻，以減少元件電流或電壓，從而讓元件能正常的工作。因此，晶閘管模塊運(yùn)行都要并聯(lián)一個(gè)RC串聯(lián)網(wǎng)絡(luò)來(lái)保護(hù)它正常的工作，以達(dá)到效率高運(yùn)行，經(jīng)濟(jì)可靠。怎么使用智能晶閘管調(diào)壓模塊隨著科技與社會(huì)的不斷發(fā)展，智能晶閘管模塊越來(lái)越被大眾所認(rèn)知，因?yàn)樗跈C(jī)器上也發(fā)揮著重要的作用，所以在行業(yè)的應(yīng)用中也是越來(lái)越多，接觸比較早的使用過它的肯定是在熟悉不過了，但是對(duì)于剛接觸它的來(lái)講，肯定是很陌生的，所以在使用上肯定就是有點(diǎn)困難的。那么就由淄博正高電氣有限公司的小編帶大家去了解下使用方法吧。1.首先要先保證com端必須為正，各個(gè)功能端相對(duì)，如...

減少N一區(qū)的電阻Rdr值，使高耐壓的IGBT也具有低的通態(tài)壓降。在柵極上加負(fù)電壓時(shí)，MOSFET內(nèi)的溝道消失，PNP晶體管的基極電流被切斷，IGBT即關(guān)斷。以上就是晶閘管模塊和IGBT模塊的不同之處，您了解了嗎？晶閘管模塊強(qiáng)觸發(fā)的優(yōu)點(diǎn)晶閘管模塊相信大家都不陌生了，晶閘管模塊是一種電流控制型的雙極型半導(dǎo)體器件，它求門極驅(qū)動(dòng)單元類似于一個(gè)電流源，能向晶閘管模塊的門極提供一個(gè)特別陡直的尖峰電流脈沖，以保證在任何時(shí)刻均能可靠觸發(fā)晶閘管。晶閘管模塊的門極觸發(fā)脈沖特性對(duì)晶閘管模塊的額定值和特性參數(shù)有非常強(qiáng)烈的影響。采用強(qiáng)觸發(fā)方式可以使器件的開通時(shí)間縮短、開通損耗減小、器件耐受di/dt的能力增強(qiáng)。一.觸發(fā)...

使用的形式、性質(zhì)角度沒有區(qū)別，因?yàn)楣虘B(tài)繼電器也是可控硅做的（三極管的固態(tài)繼電器除外）。那么他們之間有什么區(qū)別呢？沒有一件事，兩個(gè)名字。它們的區(qū)別在于晶閘管是晶閘管，固態(tài)繼電器是晶閘管+同步觸發(fā)驅(qū)動(dòng)。這就是區(qū)別?，F(xiàn)在有一種“智能硅控制模塊”，它將可控硅元件和同步觸發(fā)驅(qū)動(dòng)集成在一個(gè)模塊中。這種可控硅整流器與固態(tài)繼電器沒有區(qū)別。當(dāng)然，它和形狀是有區(qū)別的。負(fù)邏輯控制和反等功。固態(tài)繼電器輸入輸出電路的隔離耦合方式。相信通過以上的介紹，大家應(yīng)該對(duì)可控硅模塊和單相固態(tài)繼電器有一個(gè)非常清晰的了解。如果你想?yún)^(qū)分它們，它們也很好的區(qū)分。你可以直接從形狀上看出區(qū)別。晶閘管模塊的優(yōu)缺點(diǎn)以及分類晶閘管模塊的優(yōu)點(diǎn)：1）用...

不論在體積、容量、功能、智能化程度以及可靠性等方面與傳統(tǒng)裝置相比都有很大優(yōu)勢(shì)，且安裝、使用特別方便。毫無(wú)疑問，有了這種模塊，今后將會(huì)使配電系統(tǒng)內(nèi)的各種電氣控制發(fā)生重大變化。智能晶閘管模塊一般由電力晶閘管，移相觸發(fā)器，軟件控制的單片機(jī)，電流、電壓、溫度傳感器以及操作鍵盤，LED或LCD顯示等部分組成。它有相當(dāng)高的智能水平和適應(yīng)性。因此，它在配電系統(tǒng)內(nèi)的電氣控制中迅速得到推廣應(yīng)用。在電源和控制方面更有著大范圍的應(yīng)用。另外還有在固態(tài)接觸器、繼電器，工業(yè)電熱控溫、各種半導(dǎo)體設(shè)備精密控溫，中、高頻熱處理電源，電焊設(shè)備（整流焊機(jī)、二次整流焊機(jī)、逆變焊機(jī)），激光電源，勵(lì)磁電源，電鍍、電解電源，機(jī)械電子設(shè)備電...

這是制造廠家安裝不慎所造成的。它導(dǎo)致電壓擊穿。以上，是正高對(duì)晶閘管損壞原因診斷說明，希望對(duì)于晶閘管故障排除起到一定的借鑒。場(chǎng)效應(yīng)管和晶閘管有什么區(qū)別和聯(lián)系關(guān)鍵是場(chǎng)效應(yīng)管可以工作在開關(guān)狀態(tài)，更可以工作在放大狀態(tài)。而晶閘管只能工作在開關(guān)狀態(tài)，而且一般的晶閘管不能工作在直流電路，因?yàn)椴荒茏孕嘘P(guān)斷（gto是例外）。場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FieldEffectTransistor縮寫(FET)）簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極性晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。具有輸入電阻高（108～109Ω）、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn)，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和...

采用強(qiáng)觸發(fā)方式可以使器件的開通時(shí)間縮短、開通損耗減小、器件耐受di/dt的能力增強(qiáng)。下面，對(duì)正高晶閘管的強(qiáng)觸發(fā)予以詳細(xì)介紹：一.觸發(fā)脈沖幅值對(duì)晶閘管開通的影響晶閘管的門極觸發(fā)電流幅值對(duì)元件的開通速度有十分明顯的影響，高的門極觸發(fā)電流可以明顯降低器件的開通時(shí)間。在觸發(fā)脈沖幅值為器件IGT時(shí)，器件雖可開通，但器件開通時(shí)間延遲明顯，會(huì)高達(dá)數(shù)十微妙，這對(duì)于整機(jī)設(shè)備的可靠控制、安全運(yùn)行是不利的。二.觸發(fā)脈沖上升時(shí)間(陡度)對(duì)晶閘管開通的影響觸發(fā)脈沖上升時(shí)間(陡度)對(duì)晶閘管的開通速度也有明顯的影響，觸發(fā)脈沖上升時(shí)間越長(zhǎng)，效果就等于降低了門極觸發(fā)電流。觸發(fā)脈沖越陡，上升時(shí)間越短的情況下，晶閘管的開通時(shí)間也越...

使用的形式、性質(zhì)角度沒有區(qū)別，因?yàn)楣虘B(tài)繼電器也是可控硅做的（三極管的固態(tài)繼電器除外）。那么他們之間有什么區(qū)別呢？沒有一件事，兩個(gè)名字。它們的區(qū)別在于晶閘管是晶閘管，固態(tài)繼電器是晶閘管+同步觸發(fā)驅(qū)動(dòng)。這就是區(qū)別?，F(xiàn)在有一種“智能硅控制模塊”，它將可控硅元件和同步觸發(fā)驅(qū)動(dòng)集成在一個(gè)模塊中。這種可控硅整流器與固態(tài)繼電器沒有區(qū)別。當(dāng)然，它和形狀是有區(qū)別的。負(fù)邏輯控制和反等功。固態(tài)繼電器輸入輸出電路的隔離耦合方式。相信通過以上的介紹，大家應(yīng)該對(duì)可控硅模塊和單相固態(tài)繼電器有一個(gè)非常清晰的了解。如果你想?yún)^(qū)分它們，它們也很好的區(qū)分。你可以直接從形狀上看出區(qū)別。晶閘管模塊的優(yōu)缺點(diǎn)以及分類晶閘管模塊的優(yōu)點(diǎn)：1）用...