本實用新型涉及半導體設備領域，具體地，涉及一種半導體設備中的工藝盤組件，以及一種包括該工藝盤組件的半導體設備。背景技術：半導體設備通常由工藝腔和設置在工藝腔內(nèi)的工藝盤組成，工藝盤用于承載待加工的工件，工件與工藝腔中通入的工藝氣體發(fā)生化學反應或者由工藝氣體形成沉積物沉積在工件表面，完成晶片的外延等半導體工藝。為了保證工藝盤上熱量的均勻性，通常采用電機等設備驅動工藝盤旋轉，目前的工藝盤驅動機構通常包括滑動軸、襯套和石英轉軸。其中，石英轉軸用于驅動工藝盤旋轉，襯套套設在滑動軸上，石英轉軸套設在襯套上，且滑動軸、襯套和石英轉軸三者軸線重合，襯套通過貼合面之間的摩擦作用將滑動軸的扭矩傳遞至石英轉...

工藝盤組件還包括升降機構11，升降機構11與軸承座10連接，用于驅動軸3承座沿傳動筒4的軸線方向運動。在本實用新型的實施例中，傳動筒4通過軸承軸向固定于軸承座10內(nèi)，因此升降機構11可以帶動傳動筒4升降，進而帶動工藝盤轉軸1和工藝盤01在腔室中升降。推薦地，如圖2至4所示，工藝盤組件還包括波浪管6，波浪管6套設在傳動筒4的外側，波浪管6的一端與軸承座10固定連接，波浪管6的另一端用于與工藝腔密封連接。需要說明的是，波浪管6的上端與工藝腔(圖未示)的腔室連通，波浪管6的下端與傳動機構之間不連通，由于將波浪管氣孔61輸入的工藝氣體導入腔室中以及將反應后的氣體由波浪管氣孔61導出。在軸承座1...

工藝盤組件還包括升降機構11，升降機構11與軸承座10連接，用于驅動軸3承座沿傳動筒4的軸線方向運動。在本實用新型的實施例中，傳動筒4通過軸承軸向固定于軸承座10內(nèi)，因此升降機構11可以帶動傳動筒4升降，進而帶動工藝盤轉軸1和工藝盤01在腔室中升降。推薦地，如圖2至4所示，工藝盤組件還包括波浪管6，波浪管6套設在傳動筒4的外側，波浪管6的一端與軸承座10固定連接，波浪管6的另一端用于與工藝腔密封連接。需要說明的是，波浪管6的上端與工藝腔(圖未示)的腔室連通，波浪管6的下端與傳動機構之間不連通，由于將波浪管氣孔61輸入的工藝氣體導入腔室中以及將反應后的氣體由波浪管氣孔61導出。在軸承座1...

PbS）很早就用于無線電檢波，氧化亞銅（Cu2O）用作固體整流器，閃鋅礦（ZnS）是熟知的固體發(fā)光材料，碳化硅（SiC）的整流檢波作用也較早被利用。硒（Se）是**早發(fā)現(xiàn)并被利用的元素半導體，曾是固體整流器和光電池的重要材料。元素半導體鍺（Ge）放大作用的發(fā)現(xiàn)開辟了半導體歷史新的一頁，從此電子設備開始實現(xiàn)晶體管化。中國的半導體研究和生產(chǎn)是從1957年***制備出高純度（～）的鍺開始的。采用元素半導體硅（Si）以后，不僅使晶體管的類型和品種增加、性能提高，而且迎來了大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路的時代。以砷化鎵（GaAs）為**的Ⅲ－Ⅴ族化合物的發(fā)現(xiàn)促進了微波器件和光電器件的迅速發(fā)展。半導體材...

本實用新型涉及治具領域，尤其涉及一種針對半導體零件的抓數(shù)治具。背景技術：半導體零件即半導體晶體，晶體是脆性的，加工過程中會在邊緣形成碎石塊似的崩碎。如有較大應力加載到晶體的解理方向上，會造成很大的崩碎面積，破壞中間已加工好的表面。因此，在加工端面前，應對半導體晶體進行端面邊緣的倒角，使得在加工端面時，不容易產(chǎn)生破壞性的崩口。然而，在實際加工時，大部分的晶體多多少少的會發(fā)生不影響晶體性能的輕微崩口，以及極少部分會發(fā)生破壞性的崩口，為了防止破壞后的晶體被繼續(xù)使用，因此，我們需要制作一個治具，用于檢測晶體的崩口尺寸，將破壞嚴重的晶體剔除。技術實現(xiàn)要素：本實用新型的目的在于克服現(xiàn)有技術存在的以...

碳化硅的自擴散系數(shù)小，在不添加燒結助劑的情況下，很難燒結，即使在高溫高壓下也很難燒結出致密的組織。而采用金屬元素的氧化物為燒結助劑能夠降低燒結溫度，促進燒結體組織致密化，從而提高碳化硅陶瓷的力學性能。***分散劑包括四甲基氫氧化銨、聚乙烯吡咯烷酮、丙烯酸銨、丙烯酸鈉、聚乙烯醇及聚乙烯醇縮丁醛中的至少一種。***分散劑能夠使碳化硅微粉和稀土元素的氯化物在***溶劑中混合均勻，從而利于后續(xù)的噴霧及熱處理過程。具體地，步驟s110包括：步驟s112：將金屬元素的氯化物、***分散劑、***溶劑及碳化硅微粉混合，得到***漿料。具體地，金屬元素的氯化物的加入量按金屬元素的氧化物的質量為碳化硅微...

表1實施例和對比例的碳化硅陶瓷的力學性能數(shù)據(jù)從上表1中可以看出，實施例得到的碳化硅陶瓷的抗彎強度均在400mpa左右，實施例2得到的碳化硅陶瓷的抗彎強度甚至高達451mpa，遠高于對比例得到的碳化硅陶瓷的抗彎強度。實施例得到的碳化硅陶瓷的顯微硬度至少為2441hv，致密度均在3g/cm3以上，而對比例得到的碳化硅陶瓷的抗顯微硬度和致密度均較低。由此可以看出，采用實施例中的碳化硅陶瓷的制備方法得到的碳化硅陶瓷的力學性能較好。以上所述實施例的各技術特征可以進行任意的組合，為使描述簡潔，未對上述實施例中的各個技術特征所有可能的組合都進行描述，然而，只要這些技術特征的組合不存在矛盾，都應當認為...

以避免軸承座10與工藝腔碰撞導致傳送組件精度下降。為進一步提高傳動筒4的穩(wěn)定性，避免外界物質進入軸承座10，推薦地，如圖3、圖4所示，工藝盤組件還包括密封襯套5，密封襯套5環(huán)繞設置在傳動筒4的外壁上。需要說明的是，密封襯套5與軸承座之間為固定連接關系，如圖4所示，推薦地，密封襯套5的內(nèi)壁上還設置有用于容納密封圈的密封圈槽，在傳動筒4轉動時，與軸承座固定連接的密封襯套5持續(xù)地與傳動筒4摩擦。為提高密封襯套5的耐磨性能，推薦地，密封襯套5為不銹鋼材料。在實驗研究中，發(fā)明人還發(fā)現(xiàn)，現(xiàn)有的半導體設備工藝效果不佳的原因在于，個別軸套類部件上的密封件在傳動機構的運動過程中會逐漸沿軸向移動，偏離預定...

上述碳化硅陶瓷的制備方法能夠獲得具有較好的力學性能的碳化硅陶瓷。附圖說明圖1為一實施方式的碳化硅陶瓷的制備方法的工藝流程圖。具體實施方式為了便于理解本發(fā)明，下面將結合具體實施方式對本發(fā)明進行更***的描述。具體實施方式中給出了本發(fā)明的較佳的實施例。但是，本發(fā)明可以以許多不同的形式來實現(xiàn)，并不限于本文所描述的實施例。相反地，提供這些實施例的目的是使對本發(fā)明的公開內(nèi)容的理解更加透徹***。除非另有定義，本文所使用的所有的技術和科學術語與屬于本發(fā)明的技術領域的技術人員通常理解的含義相同。本文中在本發(fā)明的說明書中所使用的術語只是為了描述具體地實施例的目的，不是旨在于限制本發(fā)明。請參閱圖1，一實...

表1實施例和對比例的碳化硅陶瓷的力學性能數(shù)據(jù)從上表1中可以看出，實施例得到的碳化硅陶瓷的抗彎強度均在400mpa左右，實施例2得到的碳化硅陶瓷的抗彎強度甚至高達451mpa，遠高于對比例得到的碳化硅陶瓷的抗彎強度。實施例得到的碳化硅陶瓷的顯微硬度至少為2441hv，致密度均在3g/cm3以上，而對比例得到的碳化硅陶瓷的抗顯微硬度和致密度均較低。由此可以看出，采用實施例中的碳化硅陶瓷的制備方法得到的碳化硅陶瓷的力學性能較好。以上所述實施例的各技術特征可以進行任意的組合，為使描述簡潔，未對上述實施例中的各個技術特征所有可能的組合都進行描述，然而，只要這些技術特征的組合不存在矛盾，都應當認為...

為提高上述包括工藝盤轉軸1、驅動襯套2和驅動軸3在內(nèi)的傳動結構的密閉性，推薦地，工藝盤組件還包括傳動筒4，驅動軸3和驅動襯套2設置在傳動筒4內(nèi)，且驅動軸3背離工藝盤轉軸1的一端與傳動筒4固定連接，傳動筒4用于帶動驅動軸3轉動。需要說明的是，上述傳動筒4的方案即為前面所述的“驅動軸體部320與其它在軸承中固定的轉軸結構固定連接”的方案，如圖3、圖13所示，傳動筒4的外壁上可以包括外凸臺結構42，外凸臺結構42環(huán)繞設置在傳動筒4的外壁上，在實際使用中，外凸臺結構42的上下兩面(這里的上下是指圖中的上下關系)分別用于與滾針軸承連接，以實現(xiàn)軸向定位；外凸臺結構42的外側面用于與深溝球軸承的內(nèi)圈...

***漿料中的金屬元素的氯化物在環(huán)氧丙烷的作用下沉淀。步驟s116：將第二漿料進行噴霧，然后在真空條件、700℃～900℃下進行加熱處理，得到預處理顆粒。具體地，在閉式噴霧塔中將第二漿料進行噴霧。步驟s116中加熱處理的時間為1h～4h。將第二漿料噴霧后再進行加熱處理，使得稀土元素或鍶元素的氯化物轉化為氧化物且均勻分布在碳化硅表面。采用上述步驟能夠使稀土元素或鍶元素均勻沉降在碳化硅顆粒的表面，在后續(xù)處理過程中，稀土元素或鍶元素會存在于晶界處，具有促進燒結、降低氣孔率的作用，從而提高碳化硅陶瓷的抗彎強度等力學性能。而傳統(tǒng)的碳化硅陶瓷的制備過程中，通常將金屬元素的氧化物作為助燒劑直接與碳化...

并實現(xiàn)對工藝盤的角度進行調整，進一步推薦地，當采用上述配合面軸向錯開的設計時，驅動通孔211與驅動連接部310之間為過盈配合，第二襯套部220的圓柱面與安裝孔之間為過盈配合。在本實用新型的實施例中，設置工藝盤轉軸1、驅動襯套2與驅動軸3之間均為過盈配合，從而使得工藝盤轉軸1和驅動襯套2能夠在安裝后保持與驅動軸3之間的同軸度。并且，*通過調整驅動軸3的朝向即可微調工藝盤轉軸1的角度，并**終實現(xiàn)對工藝盤的角度進行調整。為避免驅動通孔211與驅動連接部310之間的配合面尺寸的偏差導致零件損壞，推薦地，如圖6所示，驅動通孔211的內(nèi)壁上形成有避讓槽211a，避讓槽211a與驅動通孔211內(nèi)壁...

驅動軸3通過非圓柱體的驅動連接部310與異形孔之間的配合將扭矩傳遞至驅動襯套2，從而能夠在工藝盤組件進行變速運動時，避免驅動軸3與驅動襯套2之間發(fā)生相對滑動，保證了驅動襯套2與驅動軸3之間的對位精度，進而提高了工藝盤轉軸1旋轉角度的控制精度。為實現(xiàn)驅動襯套2與工藝盤轉軸1的匹配，同時提高驅動襯套2與工藝盤轉軸1之間的對位精度，推薦地，如圖5至圖12所示，驅動襯套2的外壁上形成有至少一個定位凸起222，對應的，安裝孔的側壁上形成有至少一個定位槽，定位凸起222一一對應地插入定位槽中。如圖11、圖12所示為本實用新型的實施例中驅動襯套2插入工藝盤轉軸1的底端安裝孔時，定位凸起222插入定位...

附圖標記說明01：工藝盤1：工藝盤轉軸2：驅動襯套210：***襯套部211：驅動通孔211a：避讓槽220：第二襯套部221：軸通孔222：定位凸起3：驅動軸310：驅動連接部320：驅動軸體部311：定位平面312：圓柱面4：傳動筒41：內(nèi)凸臺結構42：外凸臺結構43：擋環(huán)槽5：密封襯套6：波浪管7：擋環(huán)8：調平件9：傳動架91：傳動法蘭92：法蘭連接件10：軸承座101：上法蘭102：下法蘭11：升降機構12：電機13：定位塊具體實施方式以下結合附圖對本實用新型的具體實施方式進行詳細說明。應當理解的是，此處所描述的具體實施方式*用于說明和解釋本實用新型，并不用于限制本實用新型。本...

半導體是1種介于導電與不導電之間的1種材料，是可用來制作半導體器件以及集成電路的材料。在現(xiàn)在社會中半導體材料的利用很***，下面小編簡單介紹下半導體材料的利用吧。半導體材料的利用不同的半導體器件對于半導體材料有不同的形態(tài)請求，包含單晶的切片、磨片、拋光片、薄膜等。半導體材料的不同形態(tài)請求對于應不同的工藝。經(jīng)常使用的半導體材料工藝有提純、單晶的以及薄膜外延生長。半導體材料所有的半導體材料都需要對于原料進行提純，請求的純度在六個“九”以上，**高達一一個“九”以上。提純的法子分兩大類，1類是不扭轉材料的化學組成進行提純，稱為物理提純;另外一類是把元素先變?yōu)榛衔镞M行提純，再將提純后的化合物...

所述第二基準塊與**基準塊一體成型；所述**基準塊的一側設置有**基準面，所述第二基準塊上設置有第二基準面，所述第二基準面垂直于**基準面，所述**基準面和第二基準面的連接處設置有與**基準塊和第二基準塊連接的圓弧避讓槽；所述**基準塊和第二基準塊遠離圓弧避讓槽的一側設置有圓弧基準臺，所述圓弧基準臺的圓心位于**基準面與第二基準面的連接處。采用此技術方案，設置的**基準面和第二基準面有助于半導體零件的貼合；設置的圓弧避讓槽不*有助于抓數(shù)治具的加工，而且有助于半導體零件的貼合；設置的圓弧基準臺有助于通過圓弧的切邊抓數(shù)以計算或抓取半導體零件的尺寸以及導角的尺寸。作為推薦，所示抓數(shù)治具還設置...

***漿料中的金屬元素的氯化物在環(huán)氧丙烷的作用下沉淀。步驟s116：將第二漿料進行噴霧，然后在真空條件、700℃～900℃下進行加熱處理，得到預處理顆粒。具體地，在閉式噴霧塔中將第二漿料進行噴霧。步驟s116中加熱處理的時間為1h～4h。將第二漿料噴霧后再進行加熱處理，使得稀土元素或鍶元素的氯化物轉化為氧化物且均勻分布在碳化硅表面。采用上述步驟能夠使稀土元素或鍶元素均勻沉降在碳化硅顆粒的表面，在后續(xù)處理過程中，稀土元素或鍶元素會存在于晶界處，具有促進燒結、降低氣孔率的作用，從而提高碳化硅陶瓷的抗彎強度等力學性能。而傳統(tǒng)的碳化硅陶瓷的制備過程中，通常將金屬元素的氧化物作為助燒劑直接與碳化...

圓弧避讓槽6，圓弧基準臺7，底座8，半導體零件9。具體實施方式下面結合附圖對本實用新型作進一步的描述：參照圖1至圖3所示，一種針對半導體零件的抓數(shù)治具，包括抓數(shù)治具1，所述抓數(shù)治具1包括設置的**基準塊2以及與**基準塊2垂直連接的第二基準塊3，所述第二基準塊3與**基準塊2一體成型；所述**基準塊2的一側設置有**基準面4，所述第二基準塊3上設置有第二基準面5，所述第二基準面5垂直于**基準面4，所述**基準面4和第二基準面5的連接處設置有與**基準塊2和第二基準塊3連接的圓弧避讓槽6；所述**基準塊2和第二基準塊3遠離圓弧避讓槽6的一側設置有圓弧基準臺7，所述圓弧基準臺7的圓心位于...

應使用子程序[1]。CNC加工(3張)CNC加工CNC優(yōu)缺點編輯CNC數(shù)控加工有下列優(yōu)點：①大量減少工裝數(shù)量，加工形狀復雜的零件不需要復雜的工裝。如要改變零件的形狀和尺寸，只需要修改零件加工程序，適用于新產(chǎn)品研制和改型。②加工質量穩(wěn)定，加工精度高，重復精度高，適應飛行器的加工要求。③多品種、小批量生產(chǎn)情況下生產(chǎn)效率較高，能減少生產(chǎn)準備、機床調整和工序檢驗的時間，而且由于使用**佳切削量而減少了切削時間。④可加工常規(guī)方法難于加工的復雜型面，甚至能加工一些無法觀測的加工部位。數(shù)控加工的缺點是機床設備費用昂貴，要求維修人員具有較高水平。CNC加工數(shù)控加工編輯數(shù)控加工是指用數(shù)控的加工工具進行的...

本實用新型涉及治具領域，尤其涉及一種針對半導體零件的抓數(shù)治具。背景技術：半導體零件即半導體晶體，晶體是脆性的，加工過程中會在邊緣形成碎石塊似的崩碎。如有較大應力加載到晶體的解理方向上，會造成很大的崩碎面積，破壞中間已加工好的表面。因此，在加工端面前，應對半導體晶體進行端面邊緣的倒角，使得在加工端面時，不容易產(chǎn)生破壞性的崩口。然而，在實際加工時，大部分的晶體多多少少的會發(fā)生不影響晶體性能的輕微崩口，以及極少部分會發(fā)生破壞性的崩口，為了防止破壞后的晶體被繼續(xù)使用，因此，我們需要制作一個治具，用于檢測晶體的崩口尺寸，將破壞嚴重的晶體剔除。技術實現(xiàn)要素：本實用新型的目的在于克服現(xiàn)有技術存在的以...

然后將碳化硅顆粒在真空條件、700℃下進行熱處理4h，得到預處理顆粒。(2)將第二分散劑聚乙烯醇溶解在水中形成溶液，將***碳源石墨和預處理顆粒在該溶液中均勻分散，再以環(huán)氧樹脂與酚醛樹脂的混合物作為粘結劑加入其中，進行球磨，球磨過程中的轉速為100轉/分，球磨時間為5h，得到第三漿料，將第三漿料在噴霧造粒塔中噴霧，得到平均尺寸為60微米的造粒粉。(3)將造粒粉均勻填滿模具，進行模壓成型，成型壓強為70mpa，保壓時間為90s，脫模，然后置入真空包裝袋中，抽真空，**后置于等靜壓機中等靜壓成型，成型壓力為200mpa，保壓時間為60s，得到***預制坯。(4)將***預制坯放置于真空排膠...

以避免軸承座10與工藝腔碰撞導致傳送組件精度下降。為進一步提高傳動筒4的穩(wěn)定性，避免外界物質進入軸承座10，推薦地，如圖3、圖4所示，工藝盤組件還包括密封襯套5，密封襯套5環(huán)繞設置在傳動筒4的外壁上。需要說明的是，密封襯套5與軸承座之間為固定連接關系，如圖4所示，推薦地，密封襯套5的內(nèi)壁上還設置有用于容納密封圈的密封圈槽，在傳動筒4轉動時，與軸承座固定連接的密封襯套5持續(xù)地與傳動筒4摩擦。為提高密封襯套5的耐磨性能，推薦地，密封襯套5為不銹鋼材料。在實驗研究中，發(fā)明人還發(fā)現(xiàn)，現(xiàn)有的半導體設備工藝效果不佳的原因在于，個別軸套類部件上的密封件在傳動機構的運動過程中會逐漸沿軸向移動，偏離預定...

再進行等靜壓成型的兩步成型方式能夠得到密度更大、更均勻的***預制坯。步驟s140：將***預制坯以℃/min～℃/min的速率升溫至900℃，保溫2h～4h，進行排膠。具體地，排膠過程在真空排膠爐中進行。通過上述排膠過程能夠除去***預制坯中的粘結劑、分散劑等有機物質。步驟s150：將***預制坯與第二碳源混合加熱，使第二碳源呈液態(tài)，然后加壓至3mpa～7mpa，得到第二預制坯。具體地，第二碳源包括石墨、炭黑、石油焦、糠醛、聚碳硅烷、瀝青、酚醛樹脂及環(huán)氧樹脂中的至少一種。在本實施方式中，第二碳源與***碳源可以相同，也可以不同。具體地，步驟s150包括：將***預制坯與第二碳源在28...

自然界中的物質，根據(jù)其導電性能的差異可劃分為導電性能良好的導體（如銀、銅、鐵等）、幾乎不能導電的絕緣體（如橡膠、陶瓷、塑料等）和半導體（如鍺、硅、砷化鎵等）。半導體是導電能力介于導體和絕緣體之間的一種物質。它的導電能力會隨溫度、光照及摻入雜質的不同而***變化，特別是摻雜可以改變半導體的導電能力和導電類型，這是其***應用于制造各種電子元器件和集成電路的基本依據(jù)。半導體材料的特點半導體材料是一類具有半導體性能，用來制作半導體器件的電子材料。常用的重要半導體的導電機理是通過電子和空穴這兩種載流子來實現(xiàn)的，因此相應的有N型和P型之分。半導體材料通常具有一定的禁帶寬度，其電特性易受外界條件（...

作為推薦，所述圓弧基準臺7的半經(jīng)設置在1mm的倍數(shù)。采用此技術方案，便于測量以及計算。作為推薦，所述抓數(shù)治具1的長度設置在40-60mm，寬度設置在30-50mm。采用此技術方案，尺寸小，便于使用，以及保存。作為推薦，所述**基準塊2的寬度和第二基準塊3的寬度一致，其寬度設置在8-12mm。采用此技術方案，有助于減少**基準塊2和第二基準塊3的變形。作為推薦，所述抓數(shù)治具1的表面粗糙度設置在。采用此技術方案，表面光滑便于使用，以提升半導體零件9的抓數(shù)精度。具體實施例在使用前，先將半導體零件的一側貼附于**基準面，然后，移動半導體零件，將半導體零件的另一側靠緊到第二基準面，如圖2所示；在...

為地方財政收入做出積極的貢獻。3、項目達產(chǎn)年投資利潤率，投資利稅率，全部投資回報率，全部投資回收期，固定資產(chǎn)投資回收期（含建設期），項目具有較強的盈利能力和抗風險能力。民營企業(yè)貼近市場、嗅覺敏銳、機制靈活，在推進企業(yè)技術創(chuàng)新能力建設方面起到重要作用。認定國家技術創(chuàng)新示范企業(yè)和培育工業(yè)設計企業(yè)，有助于企業(yè)技術創(chuàng)新能力進一步升級。同時，大量民營企業(yè)走在科技、產(chǎn)業(yè)、時尚的**前沿，能夠綜合運用科技成果和工學、美學、心理學、經(jīng)濟學等知識，對工業(yè)產(chǎn)品的功能、結構、形態(tài)及包裝等進行整合優(yōu)化創(chuàng)新，服務于工業(yè)設計，豐富產(chǎn)品品種、提升產(chǎn)品附加值，進而創(chuàng)造出新技術、新模式、新業(yè)態(tài)。經(jīng)過多年的積累，我省制造...

***漿料中的金屬元素的氯化物在環(huán)氧丙烷的作用下沉淀。步驟s116：將第二漿料進行噴霧，然后在真空條件、700℃～900℃下進行加熱處理，得到預處理顆粒。具體地，在閉式噴霧塔中將第二漿料進行噴霧。步驟s116中加熱處理的時間為1h～4h。將第二漿料噴霧后再進行加熱處理，使得稀土元素或鍶元素的氯化物轉化為氧化物且均勻分布在碳化硅表面。采用上述步驟能夠使稀土元素或鍶元素均勻沉降在碳化硅顆粒的表面，在后續(xù)處理過程中，稀土元素或鍶元素會存在于晶界處，具有促進燒結、降低氣孔率的作用，從而提高碳化硅陶瓷的抗彎強度等力學性能。而傳統(tǒng)的碳化硅陶瓷的制備過程中，通常將金屬元素的氧化物作為助燒劑直接與碳化...

得到排膠后的***預制坯。(5)將排膠后的***預制坯升溫至300℃，加入第二碳源酚醛樹脂，加熱2h，然后抽真空1h，再以氮氣加壓至5mpa，進行壓力浸滲，讓高含碳液體滲入預制坯的孔隙中，降溫得到第二預制坯。(6)將第二預制坯放置于真空排膠爐中，以每分鐘℃的速度升溫至900℃，保溫3h，排膠后，機加工得到排膠后的第二預制坯。(7)將排膠后的第二預制坯和硅粉按質量比為1∶2在石墨坩堝中混合，然后放置于真空高溫燒結爐中進行反應燒結，燒結溫度為1600℃，保溫時間為3h，冷卻后，得到碳化硅陶瓷。實施例3本實施例的碳化硅陶瓷的制備過程具體如下：(1)以氧化鈰與碳化硅微粉的質量比為5∶100，得...

有機半導體材料可分為有機物，聚合物和給體受體絡合物三類。有機半導體芯片等產(chǎn)品的生產(chǎn)能力差，但是擁有加工處理方便，結實耐用，成本低廉，耐磨耐用等特性。3、非晶半導體材料非晶半導體按鍵合力的性質分為共價鍵非晶半導體和離子鍵非晶半導體兩類，可用液相快冷方法和真空蒸汽或濺射的方法制備。在工業(yè)上，非晶半導體材料主要用于制備像傳感器，太陽能鋰電池薄膜晶體管等非晶體半導體器件。4、化合物半導體材料化合物半導體材料種類繁多，按元素在周期表族來分類，分為三五族，二六族，四四族等。如今化合物半導體材料已經(jīng)在太陽能電池，光電器件，超高速器件，微波等領域占據(jù)重要位置，且不同種類具有不同的應用。總之，半導體材料...