PVT法通過感應(yīng)加熱碳化硅粉料，在密閉生長(zhǎng)腔室內(nèi)高溫低壓下使其升華產(chǎn)生反應(yīng)氣體，通過固—?dú)夥磻?yīng)產(chǎn)生碳化硅單晶反應(yīng)源，在生長(zhǎng)腔室頂部設(shè)置碳化硅籽晶，氣相組分在籽晶表面原子沉積，生長(zhǎng)為碳化硅單晶。HT-CVD法在2000-2500℃下，使用高純度氣體在高溫區(qū)形成碳...

氧化鋁陶瓷材料有著諸多優(yōu)異性能，如強(qiáng)度高、耐磨損、耐高溫高壓、電阻率大、價(jià)格便宜等，廣泛應(yīng)用于電子、機(jī)械以及化工等領(lǐng)域。氧化鋁粉體的性能主要包括兩部分，一部分是內(nèi)在性能，包括化學(xué)成分與物相組成；另一部分為外在性能，包括α相轉(zhuǎn)化率、平均粒度、粒度分布、粉體形貌等...

在需要高功率的場(chǎng)景中，常將多顆SiC功率半導(dǎo)體封裝到模塊中，實(shí)現(xiàn)芯片互連和與其他電路的連接。SiC功率模塊封裝包括芯片、絕緣基板、散熱基板等組件。按封裝芯片類型，可分為混合模塊和全SiC模塊，前者是替換硅基IGBT中的二極管，后者全用SiC芯片，兩者在效率、尺...

氮化硅(Si3N4)采用氮化硅制成的新款陶瓷基板的撓曲強(qiáng)度比采用Al2O3和AlN制成的基板高。Si3N4的斷裂韌性甚至超過了氧化鋯摻雜陶瓷。功率模塊內(nèi)使用的覆銅陶瓷基板的可靠性一直受制于陶瓷較低的撓曲強(qiáng)度，而后者會(huì)降低熱循環(huán)能力。對(duì)于那些整合了極端熱和機(jī)械應(yīng)...

高性能氮化鋁粉體是制備高熱導(dǎo)率氮化鋁陶瓷基片的關(guān)鍵，目前國(guó)外氮化鋁粉制造工藝已經(jīng)相當(dāng)成熟，商品化程度也很高。但掌握高性能氮化鋁粉生產(chǎn)技術(shù)的廠家并不多，主要分布在日本、德國(guó)和美國(guó)。其中，日本德山氮化鋁粉體采用的是“氧化鋁粉碳熱還原法”工藝制備，該方法是以超細(xì)氧化...

碳化硅襯底的電學(xué)性能決定了下游芯片功能與性能的優(yōu)劣，為滿足不同芯片功能需求，需制備不同電學(xué)性能的碳化硅襯底。按照電學(xué)性能的不同，碳化硅襯底可分為兩類：高電阻率（電阻率≥105Ω·cm）的半絕緣型碳化硅襯底，以及低電阻率（電阻率區(qū)間為15~30mΩ·cm）的導(dǎo)電...

碳化硅作為第三代半導(dǎo)體的代表性材料之一，展現(xiàn)了突出的性能優(yōu)勢(shì)，具有極高的產(chǎn)業(yè)價(jià)值，被當(dāng)下業(yè)內(nèi)專jia稱為“黃金投資賽道”。我國(guó)“十四五”規(guī)劃已將碳化硅半導(dǎo)體納入重點(diǎn)支持領(lǐng)域，是國(guó)?家戰(zhàn)略性需求的重要行業(yè)。我們通過對(duì)碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈的基本情況及碳化硅襯底、外延、功率...

碳化硅主驅(qū)芯片可靠性驗(yàn)證要求極高，需7-8年才能實(shí)現(xiàn)從設(shè)計(jì)到量產(chǎn)。國(guó)外廠商技術(shù)和產(chǎn)量的優(yōu)勢(shì)，并通過車企驗(yàn)證，基本壟斷了碳化硅主驅(qū)芯片供應(yīng)端。國(guó)內(nèi)企業(yè)尚處于可靠性驗(yàn)證起始階段，未實(shí)現(xiàn)批量供應(yīng)。國(guó)產(chǎn)主驅(qū)芯片需克服可靠性驗(yàn)證和批量化生產(chǎn)兩大難關(guān)，確保大規(guī)模供應(yīng)的同時(shí)...

激光合金化是在高能束激光作用下,將一種或多種合金元素與基材表面快速熔凝,即利用激光改變金屬及合金表面的化學(xué)成分,該方法具有以下優(yōu)點(diǎn):1)在金屬零件的局部表面處理后能獲得高級(jí)合金的性能;2)改性層深度和寬度得到精密控制;3)由于激光加熱層溫度梯度大故結(jié)合層窄,結(jié)...

自磨機(jī)適合處理塊度大、硬度高的礦石，介質(zhì)為礦石自身，磨礦成本低，但效率較低。半自磨機(jī)通過加入鋼球提高磨礦效率，適用于較大規(guī)模礦石的初級(jí)磨礦階段。球磨機(jī)適用于細(xì)磨階段，適用范圍廣，適合各種礦石，但鋼球消耗較大。這些設(shè)備在選礦流程中的配置需根據(jù)礦石的性質(zhì)、礦石粒度...

金剛石具有堅(jiān)硬性，故制成的工具特別適合加工硬脆材料尤其非金屬材料，如石材、墻地磚、玻璃、陶瓷、混凝土、耐火材料、磁性材料、半導(dǎo)體、寶石等；也可以用于加工有色金屬、合金、木材，如銅、鋁、硬質(zhì)合金、淬火鋼、鑄鐵、復(fù)合耐磨木板等。第十七屆中國(guó)國(guó)際粉末冶金及硬質(zhì)合金展...

陶瓷間接增材制造也稱為“多步”成型方法。第壹道工序是通過光固化、激光燒結(jié)、粘結(jié)劑噴射、材料噴射和擠出制備無模具的陶瓷生坯，主要的工藝類型包括SLA、DLP、TPP、SLS、BinderJetting、NPJ、FDM/PEP等；第二道工序是對(duì)陶瓷生坯進(jìn)行高溫脫脂...

半導(dǎo)體材料作為一種在常溫下導(dǎo)電性能介于絕緣體與導(dǎo)體之間的特殊物質(zhì)，在現(xiàn)代科技產(chǎn)業(yè)中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用，被譽(yù)為現(xiàn)代工業(yè)的“糧食”。從研究和規(guī)?；瘧?yīng)用的時(shí)間順序來看，半導(dǎo)體材料可分為三代。與以硅（Si）、鍺（Ge）為dai表的一代半導(dǎo)體和以砷化鎵（GaAs）為d...

目前金屬材料的發(fā)展已從純金屬、純合金向更復(fù)雜的加工及材料體系發(fā)展。隨著材料設(shè)計(jì)、工藝技術(shù)及使用性能試驗(yàn)的進(jìn)步，傳統(tǒng)的金屬材料得到快速發(fā)展，新的高性能金屬材料開始被市場(chǎng)認(rèn)可，如快速冷凝非晶和微晶材料、高比強(qiáng)和高比模的鋁鋰合金、有序金屬間化合物及機(jī)械合金化合金、氧...

SPS技術(shù)具有燒結(jié)溫度低、保溫時(shí)間短、升溫速率快、燒結(jié)壓力可調(diào)控、可實(shí)現(xiàn)多場(chǎng)耦合(電－力－熱)等突出的優(yōu)點(diǎn)。除Al2O3、ZrO2等常見陶瓷外，SPS技術(shù)也可用于許多難燒結(jié)材料的制備，如ZrB2、HfB2、ZrC、TiN等超高溫陶瓷以及W，Ｒe，Ta，Mo等難...

PMCHINA2025將與第17屆中國(guó)國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)（IACECHINA）、2025上海國(guó)際線圈、變壓器、電感、電機(jī)與磁性材料展覽會(huì)（MMICCHINA)、2025上海國(guó)際增材制造應(yīng)用技術(shù)展覽會(huì)（AMCHINA)和2025上海國(guó)際粉體加工與處理展覽會(huì)（PO...

目前常用的電子封裝陶瓷材料中，氧化鋁具有較為優(yōu)異的綜合性能，是目前電子行業(yè)中應(yīng)用zuì廣的陶瓷材料。其中電子陶瓷應(yīng)用zuì廣的是4N高純氧化鋁，整體純度99.99%。高純氧化鋁如何更好地應(yīng)用在電子陶瓷領(lǐng)域？首先是從微觀形貌上講，關(guān)于電子陶瓷領(lǐng)域hé心的應(yīng)用，業(yè)...

目前，陶瓷注射成型技術(shù)開始向精密化發(fā)展，研究與開發(fā)的重點(diǎn)由過去的高溫非氧化物陶瓷(如氮化硅、碳化硅)擴(kuò)展為氧化物陶瓷(如氧化鋯、氧化鋁)、功能陶瓷、生物陶瓷產(chǎn)品，種類越來越多，其主要應(yīng)用領(lǐng)域如下。一、光通訊用精密陶瓷部件主要有光纖連接器用氧化鋯多晶陶瓷插芯和陶...

在相對(duì)較低的溫度下保溫一段時(shí)間，然后再在較高的溫度下保溫，zuì后自然冷卻。用此工藝可以降低燒結(jié)溫度和縮短燒結(jié)時(shí)間，此方式可以用于燒結(jié)細(xì)晶鈦酸鋇陶瓷。高壓燒結(jié)有兩種方式，第一種為高壓成型常壓燒結(jié)，第二種為高壓氣氛燒結(jié)。第十七屆中國(guó)國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)；同期展會(huì)：...

分級(jí)技術(shù)和設(shè)備的發(fā)展趨勢(shì)；(1)加強(qiáng)理論研究，注意學(xué)科交叉、積極借鑒其他學(xué)科知識(shí)。(2)注重研究超細(xì)粉體在各種介質(zhì)中的分散技術(shù)及相應(yīng)設(shè)備，研究超微細(xì)粉體的團(tuán)聚機(jī)理、探索消chú團(tuán)聚的有xiào途徑。(3)加強(qiáng)專用設(shè)備的研究，發(fā)展高xiào低耗、高精細(xì)和大處理量...

如今，增材制造領(lǐng)域應(yīng)用zuì廣泛的鈦合金材料是Ti-6Al-4V，這種合金zuì初是為鍛造制造而開發(fā)的。雖然這種材料已成功用于增材制造工藝，但在機(jī)械性能方面仍有改進(jìn)空間。具體來說，3D打印的Ti-6Al-4V已被證明具有柱狀前β晶粒，這可能導(dǎo)致各向異性。為了解...

傳統(tǒng)熔煉鑄造法制造的高速鋼，其鋼錠不可避免會(huì)產(chǎn)生合金成分不均和粗大萊氏體偏析，這已成為其組織結(jié)構(gòu)的瓶頸，長(zhǎng)期困擾著冶金學(xué)家。正是粉末冶金工藝成功解決了傳統(tǒng)冶金工藝這一問題，消chú了宏觀偏析，使晶粒細(xì)化，性能顯著提高且各向同性，為生產(chǎn)超高合金含量高速鋼提供了可...

碳化硅襯底的電學(xué)性能決定了下游芯片功能與性能的優(yōu)劣，為滿足不同芯片功能需求，需制備不同電學(xué)性能的碳化硅襯底。按照電學(xué)性能的不同，碳化硅襯底可分為兩類：高電阻率（電阻率≥105Ω·cm）的半絕緣型碳化硅襯底，以及低電阻率（電阻率區(qū)間為15~30mΩ·cm）的導(dǎo)電...

2025上海國(guó)際粉體加工與處理展覽會(huì)。同期舉辦：粉末冶金及硬質(zhì)合金展、先進(jìn)陶瓷展、磁性材料展、增材制造展；同期同地舉辦。五展聯(lián)動(dòng)，串聯(lián)相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈，吸引更多的觀眾群體，形成既匯聚更多參展企業(yè)同臺(tái)競(jìng)技，又滿足觀眾和買家多樣化需求的“一站式”商貿(mào)交流平臺(tái)。展覽面積將...

第十七屆中國(guó)國(guó)際粉末冶金及硬質(zhì)合金展覽會(huì)將與第17屆中國(guó)國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)、2025上海國(guó)際線圈、變壓器、電感、電機(jī)與磁性材料展覽會(huì)、2025上海國(guó)際增材制造應(yīng)用技術(shù)展覽會(huì)和2025上海國(guó)際粉體加工與處理展覽會(huì)；同期同地舉辦。五展聯(lián)動(dòng)，串聯(lián)相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈，吸引更廣...

PM CHINA 2025將與第17屆中國(guó)國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)（IACE CHINA）、2025上海國(guó)際線圈、變壓器、電感、電機(jī)與磁性材料展覽會(huì)（MMIC CHINA)、2025上海國(guó)際增材制造應(yīng)用技術(shù)展覽會(huì)（AM CHINA)和2025上海國(guó)際粉體加工與處理展...

燃?xì)廨啓C(jī)關(guān)鍵部件的核芯原材料：燃?xì)廨啓C(jī)的基本結(jié)構(gòu)與航空燃?xì)鉁u輪發(fā)動(dòng)機(jī)類似，也是由壓氣機(jī)、燃燒室和渦輪(又稱燃?xì)馔钙?等組成，主要的區(qū)別在于燃?xì)廨啓C(jī)是將燃?xì)獍l(fā)生器的可用功輸出為轉(zhuǎn)子的扭矩。燃?xì)廨啓C(jī)按照體量及功率大小可分為重型燃?xì)廨啓C(jī)及輕型燃?xì)廨啓C(jī)。重型燃?xì)廨啓C(jī)主...

陶瓷涂層制備方法；氣相沉積法氣相沉積法分為物理氣相沉積法(PVD)和化學(xué)氣相沉積法(CVD)。PVD技術(shù)出現(xiàn)于20世紀(jì)70年代末，它是用物理方法在真空條件下將材料氣化成離子、原子或者分子沉積在基體表面形成一層保護(hù)膜，其工藝過程包括蒸發(fā)、傳輸、反應(yīng)、和沉積。PV...

盡管增材制造在太空領(lǐng)域前景廣闊，但由于缺乏專有材料和3D打印應(yīng)用的標(biāo)準(zhǔn)，增材制造的采用仍然受到諸多限制。許多熱加工專家正在加入研究機(jī)構(gòu)和原始設(shè)備制造商的行列，借助新的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，以及有助于實(shí)現(xiàn)投資回報(bào)率的生產(chǎn)就緒型解決方案，將增材制造引入主流制造業(yè)。由于需要反復(fù)...

硅微粉是由結(jié)晶石英、熔融石英等為原料，經(jīng)研磨、精密分級(jí)、除雜等工藝加工而成的二氧化硅粉體，廣泛應(yīng)用于覆銅板、環(huán)氧塑封料、電工絕緣材料、橡膠、塑料、涂料、膠黏劑、人造石、蜂窩陶瓷、化妝品等多個(gè)領(lǐng)域。2025上海國(guó)際粉體加工與處理展覽會(huì)。同期舉辦：粉末冶金及硬質(zhì)合...