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  • 安徽生產(chǎn)整流橋GBU810
    安徽生產(chǎn)整流橋GBU810

    本實用新型涉及半導體器件領域,特別是涉及一種合封整流橋的封裝結構及電源模組。背景技術:目前照明領域led驅動照明正在大規(guī)模代替節(jié)能燈的應用,由于用量十分巨大,對于成本的要求比較高。隨著系統(tǒng)成本的一再降低,主流的拓撲架構基本已經(jīng)定型,很難再節(jié)省某個元器件...

    2023-12-28
  • 山東肖特基二極管MBR6045PT
    山東肖特基二極管MBR6045PT

    肖特基二極管在開關電源中發(fā)揮著十分重要的作用,它可以擴大交流電轉化為直流電的范圍,提高開關電源的效率,還可以節(jié)省成本,增加使用壽命。除了在常規(guī)的電子設備中應用之外,肖特基二極管在開關電源中也發(fā)揮著非常重要的作用。在開關電源中,肖特基二極管可以將輸入...

    2023-12-28
  • 廣東肖特基二極管MBRF30200CT
    廣東肖特基二極管MBRF30200CT

    用多級結終端擴展技術制作出擊穿電壓高達KVNi/4H-SiC肖特基二極管,外延的摻雜濃度為×10cm,厚度為115μm,此肖特基二極管利用多級結終端擴展技術來保護肖特基結邊緣以防止它提前擊穿。[1]國內的SiC功率器件研究方面因為受到SiC單晶材料和外...

    2023-12-28
  • 廣東代工整流橋GBU402
    廣東代工整流橋GBU402

    作為本實施例的一種實現(xiàn)方式,如圖5所示,所述整流橋設置于火線基島16及零線基島17上。具體地,所述整流橋采用兩個n型二極管及兩個p型二極管實現(xiàn),其中,第五整流二極管dz5及第六整流二極管dz6為n型二極管,所述第七整流二極管dz7及第八整流二極管dz8...

    2023-12-27
  • 山東銷售整流橋GBU2502
    山東銷售整流橋GBU2502

    在現(xiàn)代電力電子技術中,整流橋是一種非常重要的組件。它主要用于將交流電(AC)轉換為直流電(DC),以滿足各種電子設備的需求。本文將介紹整流橋的基本概念、工作原理、類型和應用。一、整流橋的基本概念整流橋,又稱為二極管橋式整流器,是由四個二極管組成的一...

    2023-12-27
  • 山東整流橋GBU810
    山東整流橋GBU810

    ASEMI堅稱品質13年追神舟,超越簡便的整流橋優(yōu)劣斷定!10月17日7時30分,劃開天際的神舟十一號,敞開航天夢的國產(chǎn)創(chuàng)新!學會整流橋優(yōu)劣斷定的方式,看ASEMI出口品質直追神十一!如何學會整流橋優(yōu)劣斷定的方式?看ASEMI出口品質直追神十一!這一講...

    2023-12-27
  • 四川快恢復二極管MUR1640CTR
    四川快恢復二極管MUR1640CTR

    下降開關速度或采用緩沖電路可以減低尖峰電壓。增加緩沖電路會增加電路成本并且使電路設計變繁復。這都是我們所不期望的。本文介紹了迅速軟恢復二極管及其模塊。該模塊電壓范圍從400V到1200V,額定電流從60A~400A不等。設計上該模塊使用外延二極管芯片,...

    2023-12-26
  • 江西快恢復二極管MUR2060CT
    江西快恢復二極管MUR2060CT

    并能提高產(chǎn)品質量和勞動生產(chǎn)率的高頻逆變裝置將逐步替代目前我國正在大量生產(chǎn)、體積龐大、效率低和對電網(wǎng)污染嚴重的晶閘管工頻電源,對加速我國電力電子產(chǎn)品的更新?lián)Q代周期將起到?jīng)Q定性作用?,F(xiàn)以高頻逆變焊機和高頻逆變開關型電鍍整流裝置為例,說明FRED的應用情況。...

    2023-12-26
  • 整流橋GBU2508
    整流橋GBU2508

    電磁爐上使用的整流橋有以下要求1:整流橋的選型需要依據(jù)電磁爐的功率進行選取。如3000W的電磁爐,整流橋的輸入電流約15A,再加上70%~80%的降額設計,整流橋的電流應選擇20A以上。耐壓值方面,220V交流電整流后最高電壓約311V,考慮220...

    2023-12-26
  • 廣東快恢復二極管MURF2060CT
    廣東快恢復二極管MURF2060CT

    電解用整流器的輸出功率極大,每個整流臂往往由十幾個乃至數(shù)十個整流元件并聯(lián)組成,均流問題十分突出。關于電流不平衡的產(chǎn)生原因和解決措施,可參看本站有關電力電子快恢復二極管串、并聯(lián)技術的文章,此處提示結構設計中的一些注意點。1)當并聯(lián)快恢復二極管數(shù)很多,...

    2023-12-26
  • 山東代工整流橋GBU25005
    山東代工整流橋GBU25005

    整流橋作為一種重要的電力電子元件,在許多領域都有廣泛的應用。以下是整流橋的主要應用領域:電源供應器:電源供應器是整流橋重要的應用領域之一。在電源供應器中,整流橋將交流電轉換為直流電,為電子設備提供穩(wěn)定的電力供應。充電器:充電器是整流橋的另一個重要應用領域。在充...

    2023-12-25
  • 上海肖特基二極管MBR3045CT
    上海肖特基二極管MBR3045CT

    肖特基(Schottky)二極管又稱肖特基勢壘二極管(簡稱SBD),它屬一種低功耗、超高速半導體器件。特點為反向恢復時間極短(可以小到幾納秒),正向導通壓降可以低至。其多用作高頻、低壓、大電流整流二極管、續(xù)流二極管、保護二極管,也有用在微波通信等肖...

    2023-12-25
  • 江蘇肖特基二極管MBRF30150CT
    江蘇肖特基二極管MBRF30150CT

    有效提高了焊接在線路板本體上的二極管本體的穩(wěn)定性;2.通過設置的緩沖墊以及氣孔結構,在對二極管本體的外壁面進行穩(wěn)定套接時,避免了半環(huán)套管對二極管本體產(chǎn)生直接擠壓,而且設置的多個氣孔可以保證二極管本體的散熱性能。附圖說明圖1為本實用新型的整體結構側視立面...

    2023-12-25
  • 浙江生產(chǎn)整流橋GBU2506
    浙江生產(chǎn)整流橋GBU2506

    TO263封裝的快恢復二極管和肖特基二極管產(chǎn)品上線,歡迎新老客戶下單。此產(chǎn)品電流從5安培至30安培;耐壓包括200V,400V,600V,800V等;封裝有TO263-2L和TO263-3L,其中TO263-3L又包括共陰、共陽、左串聯(lián)、右串聯(lián)四種類型。產(chǎn)...

    2023-12-25
  • 浙江肖特基二極管MBRB30200CT
    浙江肖特基二極管MBRB30200CT

    由于肖特基勢壘高度低于PN結勢壘高度,故其正向導通門限電壓和正向壓降都比PN結二極管低(約低)。肖特基二極管是一種多數(shù)載流子導電器件,不存在少數(shù)載流子壽命和反向恢復問題。穩(wěn)壓二極管,英文名稱Zenerdiode,又叫齊納二極管。利用pn結反向擊穿狀態(tài),...

    2023-12-25
  • 安徽快恢復二極管MURF3040CT
    安徽快恢復二極管MURF3040CT

    緩沖電路的形式很多,如圖1所示的電路是基本的也是行之有效的一種緩沖保護電路。緩沖電路由電感LS、電容CS、電阻RS和二極管VDS組成。其中LS是串聯(lián)電感。用來限制晶體管VT開通時的電流上升率,由CS、RS、VDS構成并聯(lián)緩沖電路,主要用來在VT關斷...

    2023-12-25
  • 代工整流橋GBU6005
    代工整流橋GBU6005

    整流橋(D25XB60)內部主要是由四個二極管組成的橋路來實現(xiàn)把輸入的交流電壓轉化為輸出的直流電壓。在整流橋的每個工作周期內,同一時間只有兩個二極管進行工作,通過二極管的單向導通功能,把交流電轉換成單向的直流脈動電壓。對一般常用的小功率整流橋(如:RE...

    2023-12-24
  • 上海快恢復二極管MUR2060CTR
    上??旎謴投O管MUR2060CTR

    模塊化構造提高了產(chǎn)品的密集性、安全性和可靠性,同時也可下降設備的生產(chǎn)成本,縮短新產(chǎn)品進入市場的周期,提高企業(yè)的市場競爭力。由于電路的聯(lián)線已在模塊內部完成,因此,縮短了電子器件之間的連線,可實現(xiàn)優(yōu)化布線和對稱性構造的設計,使設備線路的寄生電感和電容參數(shù)下...

    2023-12-24
  • 安徽肖特基二極管MBR2045CT
    安徽肖特基二極管MBR2045CT

    整流二極管一種將交流電能轉變?yōu)橹绷麟娔艿陌雽w器件。一般而言它涵蓋一個PN結,有陽極和陰極兩個端子。二極管舉足輕重的屬性就是單方向導電性。在電路中,電流只能從二極管的陽極注入,陰極流出。整流二極管是運用PN結的單向導電屬性,把交流電變?yōu)槊}動直流電。整流...

    2023-12-24
  • TO220封裝的肖特基二極管MBRF20150CT
    TO220封裝的肖特基二極管MBRF20150CT

    [1]碳化硅肖特基二極管碳化硅功率器件的發(fā)展現(xiàn)狀碳化硅器件的出現(xiàn)的改善了半導體器件的性能,滿足國民經(jīng)濟和建設的需要,目前,美國、德國、瑞典、日本等發(fā)達國家正競相投入巨資對碳化硅材料和器件進行研究。美國部從20世紀90年代就開始支持碳化硅功率器件的研究,...

    2023-12-24
  • 上??旎謴投O管MUR3040CTR
    上??旎謴投O管MUR3040CTR

    電解用整流器的輸出功率極大,每個整流臂往往由十幾個乃至數(shù)十個整流元件并聯(lián)組成,均流問題十分突出。關于電流不平衡的產(chǎn)生原因和解決措施,可參看本站有關電力電子快恢復二極管串、并聯(lián)技術的文章,此處提示結構設計中的一些注意點。1)當并聯(lián)快恢復二極管數(shù)很多,...

    2023-12-24
  • 代工整流橋GBU1010
    代工整流橋GBU1010

    整流橋就是將整流管封在一個殼內了。分全橋和半橋。全橋是將連接好的橋式整流電路的四個二極管封在一起;半橋是將兩個二極管橋式整流的一半封在一起;用兩個半橋可組成一個橋式整流電路。一個半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路。選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓....

    2023-12-24
  • TO263封裝的肖特基二極管MBR40100PT
    TO263封裝的肖特基二極管MBR40100PT

    二極管本體2為具有溝槽式的常用肖特基二極管,其會焊接在線路板本體1,以及設置在線路板本體1上的二極管本體2和穩(wěn)定桿6,穩(wěn)定桿6的數(shù)量為兩個并以二極管本體2的豎向中軸線為中心左右對稱設置,二極管本體2的外壁套設有半環(huán)套管3和第二半環(huán)套管4,半環(huán)套管3和第...

    2023-12-24
  • 廣東代工整流橋GBU802
    廣東代工整流橋GBU802

    所述第二電感l(wèi)2連接于所述合封整流橋的封裝結構1的電源地管腳bgnd與信號地管腳gnd之間。需要說明的是,本實施例增加所述電源地管腳bgnd實現(xiàn)整流橋的接地端與所述邏輯電路122的接地端分開,通過外置電感實現(xiàn)emi濾波,減小電磁干擾。同樣適用于實施例一...

    2023-12-24
  • 廣東快恢復二極管MUR3040CA
    廣東快恢復二極管MUR3040CA

    3—二極管芯片,4一下過渡層,5—連接橋,6—主電極,61—過孔,7—絕緣體,8—軟彈性膠,9一外殼,91一定位凹槽,具體實施方式見圖1所示的非絕緣雙塔型二極管模塊,包括底板l、二極管芯片3、主電極6以及外殼9,底板1使用鍍鎳銅板或其它導電板,而二極管...

    2023-12-24
  • 安徽整流橋GBU6005
    安徽整流橋GBU6005

    一.三菱整流橋三菱型號(三相橋模塊)技術指標三菱型號(三相橋模塊)技術指標RM10TA-M(H)20A/400V(800V)/6URM20TPM-24(2H)40A/1200V(1600V)/6URM10TA-24S(2H)20A/1200V(1600...

    2023-12-24
  • 湖南肖特基二極管MBR6045PT
    湖南肖特基二極管MBR6045PT

    肖特基二極管的基本結構是重摻雜的N型4H-SiC片、4H-SiC外延層、肖基觸層和歐姆接觸層。由于電子遷移率比空穴高,采用N型Si、SiC或GaAs為材料,以獲得良好的頻率特性,肖特基接觸金屬一般選用金、鉬、鎳、鋁等。金屬-半導體器件和PiN結二極管類...

    2023-12-23
  • 四川銷售整流橋GBU1508
    四川銷售整流橋GBU1508

    本實施例中所提供的圖示以示意方式說明本實用新型的基本構想,遂圖式中顯示與本實用新型中有關的組件而非按照實際實施時的組件數(shù)目、形狀及尺寸繪制,其實際實施時各組件的型態(tài)、數(shù)量及比例可為一種隨意的改變,且其組件布局型態(tài)也可能更為復雜。實施例一如圖1所示,本實...

    2023-12-23
  • 銷售整流橋GBU608
    銷售整流橋GBU608

    三相整流橋是將數(shù)個整流管封在一個殼內,從而組成的一個完整整流電路。中文名三相整流橋性質整流橋屬性三相正向電流有5A、10A、20A等多種規(guī)格目錄1原理2全橋全波整流3半橋半波整流4命名規(guī)則三相整流橋原理編輯當功率更進一步增加或由于其他緣故要求多相整流時...

    2023-12-23
  • 陜西肖特基二極管MBR3060CT
    陜西肖特基二極管MBR3060CT

    反向漏電流的組成主要由兩部分:一是來自肖特基勢壘的注入;二是耗盡層產(chǎn)生電流和擴散電流。[2]二次擊穿產(chǎn)生二次擊穿的原因主要是半導體材料的晶格缺陷和管內結面不均勻等引起的。二次擊穿的產(chǎn)生過程是:半導體結面上一些薄弱點電流密度的增加,導致這些薄弱點上的溫度...

    2023-12-23
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