馬達(dá)控制應(yīng)用馬達(dá)控制應(yīng)用是功率MOSFET大有用武之地的另一個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域。典型的半橋式控制電路采用2個(gè)MOSFET (全橋式則采用4個(gè))，但這兩個(gè)MOSFET的關(guān)斷時(shí)間(死區(qū)時(shí)間)相等。對(duì)于這類(lèi)應(yīng)用，反向恢復(fù)時(shí)間(trr) 非常重要。在控制電感式負(fù)載(比如馬達(dá)繞...

場(chǎng)效應(yīng)管主要參數(shù)：一、飽和漏源電流。飽和漏源電流IDSS：是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管中，柵極電壓UGS＝0時(shí)的漏源電流。二、夾斷電壓，夾斷電壓Up是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管中，使漏源間剛截止時(shí)的柵極電壓。三、開(kāi)啟電壓。開(kāi)啟電壓UT是指加強(qiáng)型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)...

電流放大原理，下面的分析只對(duì)于NPN型硅三極管.我們把從基極B流至發(fā)射極E的電流叫做基極電流Ib;把從集電極C流至發(fā)射極E的電流叫做集電極電流 Ic.這兩個(gè)電流的方向都是流出發(fā)射極的,所以發(fā)射極E上就用了一個(gè)箭頭來(lái)表示電流的方向.三極管的放大作用就是：集電極電...

反向擊穿按機(jī)理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況。在高摻雜濃度的情況下，因勢(shì)壘區(qū)寬度很小，反向電壓較大時(shí)，破壞了勢(shì)壘區(qū)內(nèi)共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)，使價(jià)電子脫離共價(jià)鍵束縛，產(chǎn)生電子-空穴對(duì)，致使電流急劇增大，這種擊穿稱(chēng)為齊納擊穿。如果摻雜濃度較低，勢(shì)壘區(qū)寬度較寬，不容易產(chǎn)生齊納擊...

場(chǎng)效應(yīng)管（Field-Effect Transistor，簡(jiǎn)稱(chēng)FET）是電子技術(shù)中普遍使用的一種半導(dǎo)體器件，具有高輸入阻抗、噪聲低和低功耗等優(yōu)點(diǎn)。場(chǎng)效應(yīng)管的用途：一、場(chǎng)效應(yīng)管可應(yīng)用于放大。由于場(chǎng)效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解...

晶體三極管的種類(lèi)：硅管和鍺管（按半導(dǎo)體材料分），鍺管比硅管的起始工工作電壓低、飽和壓降較低。三極管導(dǎo)通時(shí)，發(fā)射極和集電極的電壓鍺管比硅管更低。因?yàn)殒N材料制成的PN結(jié)比硅材料制成的PN結(jié)的正向?qū)妷旱?，前者?.2～0.3V，后者為0.6～0.7V。所以鍺三極...

可以通過(guò)手動(dòng)調(diào)節(jié)晶體表面上的導(dǎo)線，以獲得較佳的信號(hào)。這個(gè)較為麻煩的設(shè)備在20世紀(jì)20年代由熱離子二極管所取代。20世紀(jì)50年代，高純度的半導(dǎo)體材料出現(xiàn)。因?yàn)樾鲁霈F(xiàn)的鍺二極管價(jià)格便宜，晶體收音機(jī)重新開(kāi)始被大規(guī)模使用。貝爾實(shí)驗(yàn)室還開(kāi)發(fā)了鍺二極管微波接收器。20世紀(jì)...

場(chǎng)效應(yīng)管注意事項(xiàng)：為了防止場(chǎng)效應(yīng)管柵極感應(yīng)擊穿，要求一切測(cè)試儀器、工作臺(tái)、電烙鐵、線路本身都必須有良好的接地；管腳在焊接時(shí)，先焊源極；在連入電路之前，管的全部引線端保持互相短接狀態(tài)，焊接完后才把短接材料去掉；從元器件架上取下管時(shí)，應(yīng)以適當(dāng)?shù)姆绞酱_保人體接地如采...

三極管的分類(lèi)：三極管的應(yīng)用十分普遍，種類(lèi)繁多，分類(lèi)方式也多種多樣。根據(jù)結(jié)構(gòu)：NPN型三極管；PNP型三極管。根據(jù)功率：小功率三極管；中等功率三極管；大功率三極管。根據(jù)工作頻率：低頻三極管；高頻三極管。根據(jù)封裝形式：金屬封裝型，塑料封裝型。6、根據(jù)PN結(jié)材料：鍺...

三極管具有電流放大作用，能以基極電流微小的變化量來(lái)控制集電極電流較大的變化量，也用作無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)。三極管的簡(jiǎn)介，三極管，也稱(chēng)雙極型晶體管、晶體三極管，是一種控制電流的半導(dǎo)體器件，是半導(dǎo)體基本元器件之一，是電子電路的主要元件，具有電流放大作用，三極管是在一塊半導(dǎo)體...

溝道增強(qiáng)型MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理：vGS對(duì)iD及溝道的控制作用① vGS=0 的情況，增強(qiáng)型MOS管的漏極d和源極s之間有兩個(gè)背靠背的PN結(jié)。當(dāng)柵——源電壓vGS=0時(shí)，即使加上漏——源電壓vDS，而且不論vDS的極性如何，總有一個(gè)PN結(jié)處于反偏狀態(tài)，...

二極管是否損壞如何判斷：?jiǎn)呜?fù)導(dǎo)電性能的檢測(cè)及好壞的判斷，通常，鍺材料二極管的正向電阻值為1kΩ左右，反向電阻值為300左右。硅材料二極管的電阻值為5kΩ左右，反向電阻值為（無(wú)窮大）。正向電阻越小越好，反向電阻越大越好。正、反向電阻值相差越懸殊，說(shuō)明二極管的單向...

在1884年，愛(ài)迪生被授予了此項(xiàng)發(fā)明的專(zhuān)業(yè)技術(shù)。由于當(dāng)時(shí)這種裝置實(shí)際上并不能看出實(shí)用價(jià)值，這項(xiàng)專(zhuān)業(yè)技術(shù)更多地是為了防止別人聲稱(chēng)較早發(fā)現(xiàn)了這一所謂“愛(ài)迪生效應(yīng)”。20年后，約翰·弗萊明（愛(ài)迪生前雇員）發(fā)現(xiàn)了這一效應(yīng)的實(shí)用價(jià)值，它可以用來(lái)制作精確檢波器。1904年...

場(chǎng)效應(yīng)管由源極（Source）、漏極（Drain）和柵極（Gate）三個(gè)主要部分組成。在JFET中，柵極和通道之間通過(guò)PN結(jié)隔離；而在MOSFET中，柵極和通道之間由一層絕緣材料（通常是二氧化硅）隔離。當(dāng)在柵極施加適當(dāng)?shù)碾妷簳r(shí)，會(huì)在柵極下方的半導(dǎo)體中形成一個(gè)導(dǎo)...

三極管，全稱(chēng)應(yīng)為半導(dǎo)體三極管，也稱(chēng)雙極型晶體管、晶體三極管，是一種控制電流的半導(dǎo)體器件其作用是把微弱信號(hào)放大成幅度值較大的電信號(hào)， 也用作無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)。晶體三極管，是半導(dǎo)體基本元器件之一，具有電流放大作用，是電子電路的主要元件。三極管是在一塊半導(dǎo)體基片上制作兩個(gè)...

MOS管參數(shù)：功率MOSFET的一定較大額定值：注①：漏源較大電壓VDSS，可視為反向施加在體二極管兩端的電壓值，故只有一個(gè)方向。注②：柵源較大電壓VGSS，即施加在柵極電極與源極電極之間的電壓，由于柵極與P型半導(dǎo)體襯底中加了SiO2絕緣層，只要電壓一定值超過(guò)...

測(cè)試步驟：MOS管的檢測(cè)主要是判斷MOS管漏電、短路、斷路、放大。其步驟如下：假如有阻值沒(méi)被測(cè)MOS管有漏電現(xiàn)象。1、把連接?xùn)艠O和源極的電阻移開(kāi)，萬(wàn)用表紅黑筆不變，假如移開(kāi)電阻后表針慢慢逐步退回到高阻或無(wú)限大，則MOS管漏電，不變則完好。2、然后一根導(dǎo)線把MO...

二極管應(yīng)用：1.整流，整流二極管主要用于整流電路，即把交流電變換成脈動(dòng)的直流電。整流二極管都是面結(jié)型，因此結(jié)電容較大，使其工作頻率較低，一般為3kHZ以下。2.開(kāi)關(guān)，二極管在正向電壓作用下電阻很小，處于導(dǎo)通狀態(tài)，相當(dāng)于一只接通的開(kāi)關(guān)；在反向電壓作用下，電阻很大...

MOS管參數(shù)：功率MOSFET的一定較大額定值：注①：漏源較大電壓VDSS，可視為反向施加在體二極管兩端的電壓值，故只有一個(gè)方向。注②：柵源較大電壓VGSS，即施加在柵極電極與源極電極之間的電壓，由于柵極與P型半導(dǎo)體襯底中加了SiO2絕緣層，只要電壓一定值超過(guò)...

場(chǎng)效應(yīng)管工作原理用一句話說(shuō)，就是“漏極-源極間流經(jīng)溝道的ID， 用柵極與溝道間的pn結(jié)形成的反偏的柵極電壓進(jìn)行控制”。更正確地說(shuō)，ID流經(jīng)通路的寬度，即溝道截面積，它是由pn結(jié)反偏的變化，產(chǎn)生耗盡層擴(kuò)展變化控制的緣故。在VGS=0的非飽和區(qū)域，表示的過(guò)渡層的擴(kuò)...

場(chǎng)效應(yīng)管注意事項(xiàng)：（1）為了安全使用場(chǎng)效應(yīng)管，在線路的設(shè)計(jì)中不能超過(guò)管的耗散功率，較大漏源電壓、較大柵源電壓和較大電流等參數(shù)的極限值。（2）各類(lèi)型場(chǎng)效應(yīng)管在使用時(shí)，都要嚴(yán)格按要求的偏置接入電路中，要遵守場(chǎng)效應(yīng)管偏置的極性。如結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管柵源漏之間是PN結(jié)，N溝...

場(chǎng)效應(yīng)管由源極（Source）、漏極（Drain）和柵極（Gate）三個(gè)主要部分組成。在JFET中，柵極和通道之間通過(guò)PN結(jié)隔離；而在MOSFET中，柵極和通道之間由一層絕緣材料（通常是二氧化硅）隔離。當(dāng)在柵極施加適當(dāng)?shù)碾妷簳r(shí)，會(huì)在柵極下方的半導(dǎo)體中形成一個(gè)導(dǎo)...

三極管的參數(shù)。三極管主要性能參數(shù)：直流參數(shù)： 1、共射直流電流放大系數(shù)β;2、ICBO是發(fā)射極開(kāi)路時(shí)，集電結(jié)的反向飽和電流;3、ICEO是基極開(kāi)路時(shí)，集電極與發(fā)射極之間的穿透電流。交流參數(shù)： 1、共射交流電流放大系數(shù)β;2、特征頻率fT，頻率升高，β降為1時(shí)對(duì)...

三極管的介紹：主要參數(shù)：1 電流放大系數(shù)： ⑴直流電流放大系數(shù)； ⑵交流電流放大系數(shù)； ⑶共基極電流放大系數(shù)。2 頻率特性參數(shù)： ⑴共基極截止頻率fa； ⑵共發(fā)射極截止頻率fb； ⑶特性頻率ft； ⑷較高振蕩頻率fm；3 極間反向電流： ⑴集電極－基極反向截...

阻尼二極管，阻尼二極管英文名稱(chēng)為Damping diode，它具有較高的反向工作電壓和峰值電流，較小的正向壓降，高頻高壓整流二極管，可用作電視線路掃描電路中的阻尼和升壓整流器。阻尼二極管主要用于黑白或彩電線路掃描電路的阻尼、整流電路，可以是硅二極管或鍺二極管。...

MOSFET的作用如下：1.可應(yīng)用于放大。由于場(chǎng)效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。2.很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級(jí)放大器的輸入級(jí)作阻抗變換。3.可以用作可變電阻。4.可以方便地用作恒流源。5.可以用作電子...

值得注意的是，隨著電子技術(shù)的不斷發(fā)展，穩(wěn)壓二極管和普通二極管也在不斷升級(jí)和優(yōu)化。新型的穩(wěn)壓二極管具有更高的精度和更低的功耗，能夠滿(mǎn)足更高要求的電路應(yīng)用；而新型普通二極管則具有更快的響應(yīng)速度和更高的可靠性，能夠更好地適應(yīng)復(fù)雜的電路環(huán)境?？傊?，穩(wěn)壓二極管和普通二極...

下面對(duì)二極管伏安特性曲線加以說(shuō)明：正向特性，二極管兩端加正向電壓時(shí)，就產(chǎn)生正向電流，當(dāng)正向電壓較小時(shí)，正向電流極小（幾乎為零），這一部分稱(chēng)為死區(qū)，相應(yīng)的A（A′）點(diǎn)的電壓稱(chēng)為死區(qū)電壓或門(mén)檻電壓（也稱(chēng)閾值電壓），硅管約為0.5V，鍺管約為0.1V，如圖中OA（O...

三極管的起源，1947年12月23日，巴丁博士、布萊頓博士和肖克萊博士發(fā)現(xiàn)，在他們發(fā)明的器件中通過(guò)的一部分微量電流，竟然可以控制另一部分流過(guò)的大得多的電流，因而產(chǎn)生了放大效應(yīng)，這個(gè)器件就叫晶體管。三極管的發(fā)展沿革，在晶體管電子流出端的襯底外，沉積一層對(duì)應(yīng)材料，...

三極管的分類(lèi)：三極管的應(yīng)用十分普遍，種類(lèi)繁多，分類(lèi)方式也多種多樣。根據(jù)結(jié)構(gòu)：NPN型三極管；PNP型三極管。根據(jù)功率：小功率三極管；中等功率三極管；大功率三極管。根據(jù)工作頻率：低頻三極管；高頻三極管。根據(jù)封裝形式：金屬封裝型，塑料封裝型。6、根據(jù)PN結(jié)材料：鍺...