三極管是一種控制元件，主要用來(lái)控制電流的大小，以共發(fā)射極接法為例（信號(hào)從基極輸入，從集電極輸出，發(fā)射極接地），當(dāng)基極電壓UB有一個(gè)微小的變化時(shí)，基極電流IB也會(huì)隨之有一小的變化，受基極電流IB的控制，集電極電流IC會(huì)有一個(gè)很大的變化，基極電流IB越大，集電極電...

三極管的分類(lèi)：晶體三極管按材料分類(lèi)：鍺管和硅管。晶體三極管按工作頻率分類(lèi)：小于3MHz為低頻;3MHz。晶體三極管按輸出功率分類(lèi)：小于1W為小功率管;1W。晶體三極管按結(jié)構(gòu)分類(lèi)：NPN型和PNP型，區(qū)分兩種三極管的關(guān)鍵是看發(fā)射極的箭頭指向。NPN型三極管： 由...

您對(duì)三極管工作原理、三極管放大電路原理和三極管的作用這些知識(shí)了解嗎？本文將要為大家介紹三極管的作用的相關(guān)知識(shí)，如果您對(duì)這些知識(shí)感興趣的話，那本文就再適合您不過(guò)了。接著就和我一同去了解三極管的相關(guān)信息和資料吧！三極管工作原理。晶體三極管(以下簡(jiǎn)稱(chēng)三極管)按材料分...

MOS管的工作原理，在開(kāi)關(guān)電源中常用MOS管的漏極開(kāi)路電路，如圖2漏極原封不動(dòng)地接負(fù)載，叫開(kāi)路漏極，開(kāi)路漏極電路中不管負(fù)載接多高的電壓，都能夠接通和關(guān)斷負(fù)載電流。是理想的模擬開(kāi)關(guān)器件。這就是MOS管做開(kāi)關(guān)器件的原理。當(dāng)然MOS管做開(kāi)關(guān)使用的電路形式比較多了。N...

三極管放大作用，集電極電流受基極電流的控制(假設(shè)電源能夠提供給集電極足夠大的電流的話)，并且基極電流很小的變化，會(huì)引起集電極電流很大的變化，且變化滿足一定的比例關(guān)系：集電極電流的變化量是基極電流變化量的β倍，即電流變化被放大了β倍，所以我們把β叫做三極管的放大...

三極管的構(gòu)造，三極管有三個(gè)區(qū)域，分別被命名為發(fā)射結(jié)、基極和集電結(jié)。它的基本原理是利用半導(dǎo)體材料中P型和N型材料間的PN結(jié)和PNP結(jié)的特性來(lái)實(shí)現(xiàn)信號(hào)放大。三極管的白色瓷體上標(biāo)注著三個(gè)觸點(diǎn)，分別為發(fā)射極、基極和集電極。三極管的工作原理，三極管的工作原理很復(fù)雜，但可...

用萬(wàn)用表判斷半導(dǎo)體三極管的極性和類(lèi)型（用指針式萬(wàn)用表）：a.先選量程：R﹡100或R﹡1K檔位。b.判別半導(dǎo)體三極管基極：用萬(wàn)用表黑表筆固定三極管的某一個(gè)電極，紅表筆分別接半導(dǎo)體三極管另外兩各電極，觀察指針偏轉(zhuǎn)，若兩次的測(cè)量阻值都大或是都小，則改腳所接就是基極...

半導(dǎo)體三極管的好壞檢測(cè)：a.先選量程：R﹡100或R﹡1K檔位；b.測(cè)量PNP型半導(dǎo)體三極管的發(fā)射極和集電極的正向電阻值。紅表筆接基極，黑表筆接發(fā)射極，所測(cè)得阻值為發(fā)射極正向電阻值，若將黑表筆接集電極（紅表筆不動(dòng)），所測(cè)得阻值便是集電極的正向電阻值，正向電阻值...

頻率倍增用二極管，頻率倍增用二極管英文名稱(chēng)為Frequency doubled diode，對(duì)二極管的頻率倍增作用而言，有依靠變?nèi)荻O管的頻率倍增和依靠階躍（即急變）二極管的頻率倍增。頻率倍增用的變?nèi)荻O管稱(chēng)為可變電抗器，可變電抗器雖然和自動(dòng)頻率控制用的變?nèi)荻?..

在高電壓或大電流的情況下,如果手頭沒(méi)有承受高電壓或整定大電濾的整流元件,可以把二極管串聯(lián)或并聯(lián)起來(lái)使用，二極管并聯(lián)的情況:兩只二極管并聯(lián)、每只分擔(dān)電路總電流的一半口三只二極管并聯(lián),每只分擔(dān)電路總電流的三分之一?？傊?有幾只二極管并聯(lián),"流經(jīng)每只二極管的電流就等...

mos管，mos管是金屬（metal）-氧化物（oxide）-半導(dǎo)體（semiconductor）場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱(chēng)是金屬-絕緣體（insulator）-半導(dǎo)體，MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在...

晶體二極管為一個(gè)由p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體形成的p-n結(jié)，在其界面處兩側(cè)形成空間電荷層，并建有自建電場(chǎng)。當(dāng)不存在外加電壓時(shí)，由于p-n結(jié)兩邊載流子濃度差引起的擴(kuò)散電流和自建電場(chǎng)引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)。 當(dāng)外界有正向電壓偏置時(shí)，外界電場(chǎng)和自建電場(chǎng)的互相...

小噪音場(chǎng)效應(yīng)管致力于攻克信號(hào)傳輸中的噪聲干擾難題，在音頻、射頻等對(duì)信號(hào)質(zhì)量要求近乎苛刻的領(lǐng)域發(fā)揮著關(guān)鍵作用。在信號(hào)傳輸過(guò)程中，電子的熱運(yùn)動(dòng)等因素會(huì)產(chǎn)生噪聲，如同噪音污染一般，嚴(yán)重影響信號(hào)的完整性。小噪音場(chǎng)效應(yīng)管通過(guò)改進(jìn)制造工藝，優(yōu)化內(nèi)部結(jié)構(gòu)，從根源上減少電...

發(fā)光二極管，發(fā)光二極管名稱(chēng)名稱(chēng)為L(zhǎng)ight-emitting diode，簡(jiǎn)稱(chēng)LED。是一種常用的發(fā)光器件，通過(guò)電子與空穴復(fù)合釋放能量發(fā)光。發(fā)光二極管可高效地將電能轉(zhuǎn)化為光能，在現(xiàn)代社會(huì)具有普遍的用途，如照明、平板顯示、醫(yī)療器件等。發(fā)光二極管與普通二極管一樣是...

1874年，德國(guó)物理學(xué)家卡爾·布勞恩在卡爾斯魯厄理工學(xué)院發(fā)現(xiàn)了晶體的整流能力。因此1906年開(kāi)發(fā)出的頭一代二極管——“貓須二極管”是由方鉛礦等礦物晶體制成的。早期的二極管還包含了真空管，真空管二極管具有兩個(gè)電極 ，一個(gè)陽(yáng)極和一個(gè)熱式陰極。在半導(dǎo)體性能被發(fā)現(xiàn)后，...

二極管伏安特性曲線說(shuō)明：1.反向特性，二極管兩端加上反向電壓時(shí)，在開(kāi)始很大范圍內(nèi)，二極管相當(dāng)于非常大的電阻，反向電流很小，且不隨反向電壓而變化。此時(shí)的電流稱(chēng)之為反向飽和電流IR，見(jiàn)圖中OC（OC′）段。2.溫度對(duì)特性的影響，由于二極管的主要是一個(gè)PN結(jié)，它的導(dǎo)...

下面介紹的是三極管工作原理，一起來(lái)看看吧。三極管有哪三極？1、NPN型三極管的三極：NPN型三極管，由三塊半導(dǎo)體構(gòu)成，其中兩塊N型和一塊P型半導(dǎo)體組成，P型半導(dǎo)體在中間，兩塊N型半導(dǎo)體在兩側(cè)。有一個(gè)箭頭的電極是發(fā)射極e，箭頭朝外的是NPN型三極管。箭頭方向也表...

穩(wěn)壓二極管和普通二極管應(yīng)用場(chǎng)景區(qū)別，由于穩(wěn)壓二極管具有穩(wěn)定的電壓支撐作用，因此它主要應(yīng)用于需要高精度控制電壓的電路中。例如，在通信設(shè)備中，穩(wěn)壓二極管可以確保電路中的電壓穩(wěn)定，從而保證通信質(zhì)量；在電源設(shè)備中，穩(wěn)壓二極管可以穩(wěn)定輸出電壓，保護(hù)電子設(shè)備免受電壓波動(dòng)的...

場(chǎng)效應(yīng)管由于它只靠半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子導(dǎo)電，又稱(chēng)單極型晶體管。FET 英文為Field Effect Transistor，簡(jiǎn)寫(xiě)成FET。場(chǎng)效應(yīng)管分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）和絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管（MOS管）兩大類(lèi)。按溝道材料型和絕緣柵型各分N溝道和P溝道兩種；按導(dǎo)...

VMOS場(chǎng)效應(yīng)管，VMOS場(chǎng)效應(yīng)管（VMOSFET）簡(jiǎn)稱(chēng)VMOS管或功率場(chǎng)效應(yīng)管，其全稱(chēng)為V型槽MOS場(chǎng)效應(yīng)管。它是繼MOSFET之后新發(fā)展起來(lái)的高效、功率開(kāi)關(guān)器件。它不只繼承了MOS場(chǎng)效應(yīng)管輸入阻抗高（≥108W）、驅(qū)動(dòng)電流小（左右0.1μA左右），還具有耐...

三極管是一種控制元件，主要用來(lái)控制電流的大小，以共發(fā)射極接法為例（信號(hào)從基極輸入，從集電極輸出，發(fā)射極接地），當(dāng)基極電壓UB有一個(gè)微小的變化時(shí)，基極電流IB也會(huì)隨之有一小的變化，受基極電流IB的控制，集電極電流IC會(huì)有一個(gè)很大的變化，基極電流IB越大，集電極電...

當(dāng)滿足 MOS 管的導(dǎo)通條件時(shí)，MOS 管的 D 極和 S 極會(huì)導(dǎo)通，這個(gè)時(shí)候體二極管是截止?fàn)顟B(tài)。因?yàn)?MOS 管導(dǎo)通內(nèi)阻很小，不足以使寄生二極管導(dǎo)通。MOS管的導(dǎo)通條件，PMOS增強(qiáng)型管：UG-US|UGSTH| ， UGSTH是開(kāi)啟電壓；NMOS增強(qiáng)型管：...

三極管具有放大信號(hào)、開(kāi)關(guān)電路和穩(wěn)壓等多種功能，對(duì)電子設(shè)備的正常運(yùn)行起著至關(guān)重要的作用。放大信號(hào)，三極管可以將微弱的輸入信號(hào)放大成較大的輸出信號(hào)。它通過(guò)調(diào)節(jié)輸入電流或電壓的變化，使輸出信號(hào)得以放大。這種放大作用在無(wú)線電、音頻設(shè)備和通信系統(tǒng)中起著關(guān)鍵作用。在無(wú)線電...

MOS管的三個(gè)管腳之間有寄生電容存在，這不是我們需要的，而是由于制造工藝限制產(chǎn)生的。寄生電容的存在使得在設(shè)計(jì)或選擇驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候要麻煩一些，但沒(méi)有辦法避免，后邊再詳細(xì)介紹。在MOS管原理圖上可以看到，漏極和源極之間有一個(gè)寄生二極管。這個(gè)叫體二極管，在驅(qū)動(dòng)感性負(fù)...

雙柵極場(chǎng)效應(yīng)管擁有兩個(gè)獨(dú)特的柵極，這一創(chuàng)新設(shè)計(jì)極大地拓展了其功能邊界，使其如同擁有兩個(gè)控制開(kāi)關(guān)的精密儀器。兩個(gè)柵極可分別承擔(dān)不同的控制任務(wù)，例如一個(gè)柵極專(zhuān)注于信號(hào)輸入，如同信息的入口；另一個(gè)柵極負(fù)責(zé)增益控制，能夠根據(jù)信號(hào)強(qiáng)度靈活調(diào)整放大倍數(shù)。在電視調(diào)諧器中，復(fù)...

晶體二極管分類(lèi)如下：1、臺(tái)面型二極管，PN結(jié)的制作方法雖然與擴(kuò)散型相同，但是，只保留PN結(jié)及其必要的部分，把不必要的部分用藥品腐蝕掉。其剩余的部分便呈現(xiàn)出臺(tái)面形，因而得名。初期生產(chǎn)的臺(tái)面型，是對(duì)半導(dǎo)體材料使用擴(kuò)散法而制成的。因此，又把這種臺(tái)面型稱(chēng)為擴(kuò)散臺(tái)面型。...

場(chǎng)效應(yīng)管注意事項(xiàng)：為了防止場(chǎng)效應(yīng)管柵極感應(yīng)擊穿，要求一切測(cè)試儀器、工作臺(tái)、電烙鐵、線路本身都必須有良好的接地；管腳在焊接時(shí)，先焊源極；在連入電路之前，管的全部引線端保持互相短接狀態(tài)，焊接完后才把短接材料去掉；從元器件架上取下管時(shí)，應(yīng)以適當(dāng)?shù)姆绞酱_保人體接地如采...

三極管放大作用，集電極電流受基極電流的控制(假設(shè)電源能夠提供給集電極足夠大的電流的話)，并且基極電流很小的變化，會(huì)引起集電極電流很大的變化，且變化滿足一定的比例關(guān)系：集電極電流的變化量是基極電流變化量的β倍，即電流變化被放大了β倍，所以我們把β叫做三極管的放大...

二極管的反向性，外加反向電壓不超過(guò)一定范圍時(shí)，通過(guò)二極管的電流是少數(shù)載流子漂移運(yùn)動(dòng)所形成反向電流。由于反向電流很小，二極管處于截止?fàn)顟B(tài)。這個(gè)反向電流又稱(chēng)為反向飽和電流或漏電流，二極管的反向飽和電流受溫度影響很大。擊穿，外加反向電壓超過(guò)某一數(shù)值時(shí)，反向電流會(huì)突然...

在過(guò)渡層由于沒(méi)有電子、空穴的自由移動(dòng)，在理想狀態(tài)下幾乎具有絕緣特性，通常電流也難流動(dòng)。但是此時(shí)漏極-源極間的電場(chǎng)，實(shí)際上是兩個(gè)過(guò)渡層接觸漏極與門(mén)極下部附近，由于漂移電場(chǎng)拉去的高速電子通過(guò)過(guò)渡層。因漂移電場(chǎng)的強(qiáng)度幾乎不變產(chǎn)生ID的飽和現(xiàn)象。其次，VGS向負(fù)的方向...