場效應管使用優(yōu)勢：場效應管是電壓控制元件，而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號源取較少電流的情況下，應選用場效應管；而在信號電壓較低，又允許從信號源取較多電流的條件下，應選用晶體管。場效應管是利用多數(shù)載流子導電，所以稱之為單極型器件，而晶體管是既有多數(shù)載流子，也利用少數(shù)載流子導電，被稱之為雙極型器件。有些場效應管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負，靈活性比三極管好。場效應管能在很小電流和很低電壓的條件下工作，而且它的制造工藝可以很方便地把很多場效應管集成在一塊硅片上，因此場效應管在大規(guī)模集成電路中得到了普遍的應用。場效應管的電阻特性取決于柵極電壓，可實現(xiàn)精確控制。徐州高穩(wěn)定場效應管規(guī)格...

下面對MOS失效的原因總結(jié)以下六點，然后對1，2重點進行分析：1：雪崩失效（電壓失效），也就是我們常說的漏源間的BVdss電壓超過MOSFET的額定電壓，并且超過達到了一定的能力從而導致MOSFET失效。2：SOA失效（電流失效），既超出MOSFET安全工作區(qū)引起失效，分為Id超出器件規(guī)格失效以及Id過大，損耗過高器件長時間熱積累而導致的失效。3：體二極管失效：在橋式、LLC等有用到體二極管進行續(xù)流的拓撲結(jié)構(gòu)中，由于體二極管遭受破壞而導致的失效。4：諧振失效：在并聯(lián)使用的過程中，柵極及電路寄生參數(shù)導致震蕩引起的失效。5：靜電失效：在秋冬季節(jié)，由于人體及設備靜電而導致的器件失效。6：柵極電壓失效...

組成，F(xiàn)ET由各種半導體構(gòu)成，目前硅是較常見的。大部分的FET是由傳統(tǒng)塊體半導體制造技術制造，使用單晶半導體硅片作為反應區(qū)，或者溝道。大部分的不常見體材料，主要有非晶硅、多晶硅或其它在薄膜晶體管中，或者有機場效應晶體管中的非晶半導體。有機場效應晶體管基于有機半導體，常常用有機柵絕緣體和電極。我們知道三極管全稱為半導體三極管，也稱雙極型晶體管、晶體三極管，是一種電流控制型半導體器件，其作用是把微弱信號放大成幅度值較大的電信號， 也用作無觸點開關。場效應管在電路設計中常作為信號放大器使用，能夠有效地放大微弱信號。江門源極場效應管價格MOS管三個極分別是什么及判定方法：mos管的三個極分別是：G（柵...

場效應管注意事項：為了防止場效應管柵極感應擊穿，要求一切測試儀器、工作臺、電烙鐵、線路本身都必須有良好的接地；管腳在焊接時，先焊源極；在連入電路之前，管的全部引線端保持互相短接狀態(tài)，焊接完后才把短接材料去掉；從元器件架上取下管時，應以適當?shù)姆绞酱_保人體接地如采用接地環(huán)等；當然，如果能采用先進的氣熱型電烙鐵，焊接場效應管是比較方便的，并且確保安全；在未關斷電源時，一定不可以把管插人電路或從電路中拔出。以上安全措施在使用場效應管時必須注意。場效應管在功率電子領域有普遍應用，如電機驅(qū)動、電源管理等。江門高穩(wěn)定場效應管制造商場效應管產(chǎn)品特性：(1)轉(zhuǎn)移特性：柵極電壓對漏極電流的控制作用稱為轉(zhuǎn)移特性。(...

電壓和電流的選擇。額定電壓越大，器件的成本就越高。根據(jù)實踐經(jīng)驗，額定電壓應當大于干線電壓或總線電壓。這樣才能提供足夠的保護，使MOSFET不 會失效。就選擇MOSFET而言，必須確定漏極至源極間可能承受的較大電壓，即較大VDS。設計工程師需要考慮的其他安全因素包括由開關電子設備(如電機 或變壓器)誘發(fā)的電壓瞬變。不同應用的額定電壓也有所不同；通常，便攜式設備為20V、FPGA電源為20～30V、85～220VAC應用為450～600V。在連續(xù)導通模式下，MOSFET處于穩(wěn)態(tài)，此時電流連續(xù)通過器件。脈沖尖峰是指有大量電涌(或尖峰電流)流過器件。一旦確定了這些條件下的較大電流，只需直接選擇能承受這...

溝道增強型MOSFET場效應管的工作原理：vGS對iD及溝道的控制作用① vGS=0 的情況，增強型MOS管的漏極d和源極s之間有兩個背靠背的PN結(jié)。當柵——源電壓vGS=0時，即使加上漏——源電壓vDS，而且不論vDS的極性如何，總有一個PN結(jié)處于反偏狀態(tài)，漏——源極間沒有導電溝道，所以這時漏極電流iD≈0。② vGS>0 的情況，若vGS＞0，則柵極和襯底之間的SiO2絕緣層中便產(chǎn)生一個電場。電場方向垂直于半導體表面的由柵極指向襯底的電場。這個電場能排斥空穴而吸引電子。排斥空穴：使柵極附近的P型襯底中的空穴被排斥，剩下不能移動的受主離子(負離子)，形成耗盡層。吸引電子：將 P型襯底中的電子...

場效應管的工作方式有兩種：當柵壓為零時有較大漏極電流的稱為耗盡型；當柵壓為零，漏極電流也為零，必須再加一定的柵壓之后才有漏極電流的稱為增強型。作用：1.場效應管可應用于放大。由于場效應管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。2.場效應管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換。3.場效應管可以用作可變電阻。4.場效應管可以方便地用作恒流源。5.場效應管可以用作電子開關。場效應管的靈敏度較高，可以實現(xiàn)精確的電流控制。上海雙柵極場效應管廠家供應場效應管的分類：場效應管分結(jié)型、絕緣柵型兩大類。結(jié)型場效應管（JFET）因有兩個PN結(jié)而得名，絕緣...

靜態(tài)電特性：注①：Vgs（off）其實就是開啟電壓Vgs（th），只不過這里看的角度不一樣。注②：看完前文的讀者應該知道為什么這里兩個Rds（on）大小有差異，不知道的回去前面重新看。動態(tài)點特性：注①：Ciss = Cgs + Cgd ；Coss = Cds ；Crss = Cgd；注②：MOS管開啟速度較主要關注的參數(shù)是Qg，也就是形成反型層需要的總電荷量！注③：接通/斷開延遲時間t d(on/off)、上升/下降時間tr / tf，各位工程時使用的時候請根據(jù)實際漏級電路ID，柵極驅(qū)動電壓Vg進行判斷。場效應管還具有低輸出阻抗，可以提供較大的輸出電流。南京絕緣柵場效應管參考價對于開關頻率小于...

場效應管的用途：一、場效應管可應用于放大。由于場效應管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。二、場效應管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換。三、場效應管可以用作可變電阻。四、場效應管可以方便地用作恒流源。五、場效應管可以用作電子開關。場效應管在電子應用中非常普遍，了解基礎知識之后我們接下來就可以運用它做一些電子開發(fā)了。場效應管是利用輸入回路的電場效應來控制輸出回路電流的一種半導體器件。場效應管又是單極型晶體管，即導電過程中幾乎只有一種載流子運動，類似金屬導電。熟練掌握場效應管的使用方法和注意事項，對于電子工程師來說是提升電路設計能...

對于開關頻率小于100kHz的信號一般?。?00～500）kHz載波頻率較好，變壓器選用較高磁導如5K、7K等高頻環(huán)形磁芯，其原邊磁化電感小于約1毫亨左右為好。這種驅(qū)動電路只適合于信號頻率小于100kHz的場合，因信號頻率相對載波頻率太高的話，相對延時太多，且所需驅(qū)動功率增大，UC3724和UC3725芯片發(fā)熱溫升較高，故100kHz以上開關頻率只對較小極電容的MOSFET才可以。對于1kVA左右開關頻率小于100kHz的場合，它是一種良好的驅(qū)動電路。該電路具有以下特點：單電源工作，控制信號與驅(qū)動實現(xiàn)隔離，結(jié)構(gòu)簡單尺寸較小，尤其適用于占空比變化不確定或信號頻率也變化的場合。來看這個電路，控制信...

對比：場效應管與三極管的各自應用特點：1.場效應管的源極s、柵極g、漏極d分別對應于三極管的發(fā)射極e、基極b、集電極c，它們的作用相似。2.場效應管是電壓控制電流器件，由vGS控制iD，其放大系數(shù)gm一般較小，因此場效應管的放大能力較差；三極管是電流控制電流器件，由iB（或iE）控制iC。3.場效應管柵極幾乎不取電流（ig»0）；而三極管工作時基極總要吸取一定的電流。因此場效應管的柵極輸入電阻比三極管的輸入電阻高。4.場效應管是由多子參與導電；三極管有多子和少子兩種載流子參與導電，而少子濃度受溫度、輻射等因素影響較大，因而場效應管比晶體管的溫度穩(wěn)定性好、抗輻射能力強。在環(huán)境條件（溫...

以上討論的是MOSFET ON狀態(tài)時電阻的選擇，在MOSFET OFF狀態(tài)時為了保證柵極電荷快速瀉放，此時阻值要盡量小。通常為了保證快速瀉放，在Rg上可以并聯(lián)一個二極管。當瀉放電阻過小，由于走線電感的原因也會引起諧振(因此有些應用中也會在這個二極管上串一個小電阻)，但是由于二極管的反向電流不導通,此時Rg又參與反向諧振回路,因此可以抑制反向諧振的尖峰。估算導通損耗、輸出的要求和結(jié)區(qū)溫度的時候，就可以參考前文所指出的方法。MOSFET的應用領域非常普遍，遠非一兩篇文章可以概括。場效應管的類型包括N溝道和P溝道兩種，可以根據(jù)具體需求選擇。廣州耗盡型場效應管生產(chǎn)廠家與雙極型晶體管相比，場效應管具有如...

效應管與三極管的各自應用特點：1.場效應管在源極金屬與襯底連在一起時，源極和漏極可以互換使用，且特性變化不大；而三極管的集電極與發(fā)射極互換使用時，其特性差異很大，β值將減小很多。2.場效應管的噪聲系數(shù)很小，在低噪聲放大電路的輸入級及要求信噪比較高的電路中要選用場效應管。3.場效應管和三極管均可組成各種放大電路和開關電路，但由于前者制造工藝簡單，且具有耗電少，熱穩(wěn)定性好，工作電源電壓范圍寬等優(yōu)點，因而被普遍用于大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路中。4.三極管導通電阻大，場效應管導通電阻小，只有幾百毫歐姆，在現(xiàn)用電器件上，一般都用場效應管做開關來用，他的效率是比較高的。場效應管雖然體積小，但在現(xiàn)代電子技術中...

以N溝道為例，它是在P型硅襯底上制成兩個高摻雜濃度的源擴散區(qū)N+和漏擴散區(qū)N+，再分別引出源極S和漏極D。源極與襯底在內(nèi)部連通，二者總保持等電位。當漏接電源正極，源極接電源負極并使VGS=0時，溝道電流（即漏極電流）ID=0。隨著VGS逐漸升高，受柵極正電壓的吸引，在兩個擴散區(qū)之間就感應出帶負電的少數(shù)載流子，形成從漏極到源極的N型溝道，當VGS大于管子的開啟電壓VTN（一般約為+2V）時，N溝道管開始導通，形成漏極電流ID。場效應晶體管于1925年由Julius Edgar Lilienfeld和于1934年由Oskar Heil分別發(fā)明，但是實用的器件一直到1952年才被制造出來（結(jié)型場效應...

導通時隔離變壓器上的電壓為（1-D）Ui、關斷時為DUi，若主功率管S可靠導通電壓為12V，而隔離變壓器原副邊匝比N1/N2為12/［（1-D）Ui］。為保證導通期間GS電壓穩(wěn)定C值可稍取大些。該電路具有以下優(yōu)點：①電路結(jié)構(gòu)簡單可靠，具有電氣隔離作用。當脈寬變化時，驅(qū)動的關斷能力不會隨著變化。②該電路只需一個電源，即為單電源工作。隔直電容C的作用可以在關斷所驅(qū)動的管子時提供一個負壓，從而加速了功率管的關斷，且有較高的抗干擾能力。但該電路存在的一個較大缺點是輸出電壓的幅值會隨著占空比的變化而變化。當D較小時，負向電壓小，該電路的抗干擾性變差，且正向電壓較高，應該注意使其幅值不超過MOSFET柵極...

場效應管主要參數(shù)：1、漏源擊穿電壓。漏源擊穿電壓BUDS是指柵源電壓UGS一定時，場效應管正常工作所能接受的較大漏源電壓。這是一項極限參數(shù)，加在場效應管上的工作電壓必須小于BUDS。2、較大耗散功率。較大耗散功率PDSM也是—項極限參數(shù)，是指場效應管性能不變壞時所允許的較大漏源耗散功率。運用時場效應管實踐功耗應小于PDSM并留有—定余量。3、較大漏源電流。較大漏源電流IDSM是另一項極限參數(shù)，是指場效應管正常工作時，漏源間所允許經(jīng)過的較大電流。場效應管的工作電流不應超越IDSM。場效應管作為音頻放大器，具有低失真、高保真的特點，提升音質(zhì)效果。強抗輻場效應管行價如果GATE相對于BACKGATE...

Source和drain不同摻雜不同幾何形狀的就是非對稱MOS管，制造非對稱晶體管有很多理由，但所有的較終結(jié)果都是一樣的，一個引線端被優(yōu)化作為drain，另一個被優(yōu)化作為source，如果drain和source對調(diào)，這個器件就不能正常工作了。晶體管有N型channel所有它稱為N-channel MOS管，或NMOS。P-channel MOS管也存在，是一個由輕摻雜的N型BACKGATE和P型source和drain組成的PMOS管。如果這個晶體管的GATE相對于BACKGATE正向偏置，電子就被吸引到表面，空穴就被排斥出表面。硅的表面就積累，沒有channel形成。場效應管在電子設備中普...

LED 燈具的驅(qū)動。設計LED燈具的時候經(jīng)常要使用MOS管，對LED恒流驅(qū)動而言，一般使用NMOS。功率MOSFET和雙極型晶體管不同，它的柵極電容比較大，在導通之前要先對該電容充電，當電容電壓超過閾值電壓(VGS-TH)時MOSFET才開始導通。因此，設計時必須注意柵極驅(qū)動器負載能力必須足夠大，以保證在系統(tǒng)要求的時間內(nèi)完成對等效柵極電容(CEI)的充電。而MOSFET的開關速度和其輸入電容的充放電有很大關系。使用者雖然無法降低Cin的值，但可以降低柵極驅(qū)動回路信號源內(nèi)阻Rs的值，從而減小柵極回路 的充放電時間常數(shù)，加快開關速度一般IC驅(qū)動能力主要體現(xiàn)在這里，我們談選擇MOSFET是指外置MO...

MOSFET應用案例解析：開關電源應用從定義上而言，這種應用需要MOSFET定期導通和關斷。同時，有數(shù)十種拓撲可用于開關電源，這里考慮一個簡單的例子。DC-DC電源中常用的基本降壓轉(zhuǎn)換器依靠兩個MOSFET來執(zhí)行開關功能(下圖)，這些開關交替在電感里存儲能量，然后把能量開釋給負載。目前，設計職員經(jīng)常選擇數(shù)百kHz乃至1 MHz以上的頻率，由于頻率越高，磁性元件可以更小更輕。開關電源中第二重要的MOSFET參數(shù)包括輸出電容、閾值電壓、柵極阻抗和雪崩能量。場效應管具有較長的使用壽命，可靠性高，降低了設備的維護成本?；葜莺谋M型場效應管行價對比：場效應管與三極管的各自應用特點：1.場效應管的源極s、柵...

眾所周知，傳統(tǒng)的MOS場效應管的柵極、源極和漏極較大程度上致處于同一水平面的芯片上，其工作電流基本上是沿水平方向流動。VMOS管則不同，其兩大結(jié)構(gòu)特點:頭一，金屬柵極采用V型槽結(jié)構(gòu)；第二，具有垂直導電性。由于漏極是從芯片的背面引出，所以ID不是沿芯片水平流動，而是自重摻雜N+區(qū)（源極S）出發(fā)，經(jīng)過P溝道流入輕摻雜N-漂移區(qū)，然后垂直向下到達漏極D。因為流通截面積增大，所以能通過大電流。由于在柵極與芯片之間有二氧化硅絕緣層，因此它仍屬于絕緣柵型MOS場效應管。場效應管有多種類型，如JFET、MOSFET等，滿足不同應用需求。中山P溝道場效應管尺寸對于開關頻率小于100kHz的信號一般?。?00～...

對于開關頻率小于100kHz的信號一般?。?00～500）kHz載波頻率較好，變壓器選用較高磁導如5K、7K等高頻環(huán)形磁芯，其原邊磁化電感小于約1毫亨左右為好。這種驅(qū)動電路只適合于信號頻率小于100kHz的場合，因信號頻率相對載波頻率太高的話，相對延時太多，且所需驅(qū)動功率增大，UC3724和UC3725芯片發(fā)熱溫升較高，故100kHz以上開關頻率只對較小極電容的MOSFET才可以。對于1kVA左右開關頻率小于100kHz的場合，它是一種良好的驅(qū)動電路。該電路具有以下特點：單電源工作，控制信號與驅(qū)動實現(xiàn)隔離，結(jié)構(gòu)簡單尺寸較小，尤其適用于占空比變化不確定或信號頻率也變化的場合。場效應管的工作原理是...

MOS管發(fā)熱情況有：1.電路設計的問題，就是讓MOS管工作在線性的工作狀態(tài)，而不是在開關狀態(tài)。這也是導致MOS管發(fā)熱的一個原因。如果N-MOS做開關，G級電壓要比電源高幾V，才能完全導通，P-MOS則相反。沒有完全打開而壓降過大造成功率消耗，等效直流阻抗比較大，壓降增大，所以U*I也增大，損耗就意味著發(fā)熱。這是設計電路的較忌諱的錯誤。2.頻率太高，主要是有時過分追求體積，導致頻率提高，MOS管上的損耗增大了，所以發(fā)熱也加大了。3.沒有做好足夠的散熱設計，電流太高，MOS管標稱的電流值，一般需要良好的散熱才能達到。所以ID小于較大電流，也可能發(fā)熱嚴重，需要足夠的輔助散熱片。4.MOS管的選型有誤...

測試步驟：MOS管的檢測主要是判斷MOS管漏電、短路、斷路、放大。其步驟如下：假如有阻值沒被測MOS管有漏電現(xiàn)象。1、把連接柵極和源極的電阻移開，萬用表紅黑筆不變，假如移開電阻后表針慢慢逐步退回到高阻或無限大，則MOS管漏電，不變則完好。2、然后一根導線把MOS管的柵極和源極連接起來，假如指針立刻返回無限大，則MOS完好。3、把紅筆接到MOS的源極S上，黑筆接到MOS管的漏極上，好的表針指示應該是無限大。4、用一只100KΩ－200KΩ的電阻連在柵極和漏極上，然后把紅筆接到MOS的源極S上，黑筆接到MOS管的漏極上，這時表針指示的值一般是0，這時是下電荷通過這個電阻對MOS管的柵極充電，產(chǎn)生柵...

什么是MOSFET，mos管是金屬(metal)、氧化物(oxide)、半導體(semiconductor)場效應晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)、半導體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，他們都是在P型back gate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個兩個區(qū)是一樣的，即使兩端對調(diào)也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的。場效應管（FET），把輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的跨導， 定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。市面上常有的一般為N溝道和P溝道，詳情參考右側(cè)圖片（P溝道耗盡型MOS管）。而P溝道常見的為低壓mos管。場效...

場效應管與晶體管的比較：（1）場效應管是電壓控制元件，而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號源取較少電流的情況下，應選用場效應管；而在信號電壓較低，又允許從信號源取較多電流的條件下，應選用晶體管。（2）場效應管是利用多數(shù)載流子導電，所以稱之為單極型器件，而晶體管是即有多數(shù)載流子，也利用少數(shù)載流子導電。被稱之為雙極型器件。（3）有些場效應管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負，靈活性比晶體管好。（4）場效應管能在很小電流和很低電壓的條件下工作，而且它的制造工藝可以很方便地把很多場效應管集成在一塊硅片上，因此場效應管在大規(guī)模集成電路中得到了普遍的應用。在安裝場效應管時，要確保其散熱良好，避免過...

電壓和電流的選擇。額定電壓越大，器件的成本就越高。根據(jù)實踐經(jīng)驗，額定電壓應當大于干線電壓或總線電壓。這樣才能提供足夠的保護，使MOSFET不 會失效。就選擇MOSFET而言，必須確定漏極至源極間可能承受的較大電壓，即較大VDS。設計工程師需要考慮的其他安全因素包括由開關電子設備(如電機 或變壓器)誘發(fā)的電壓瞬變。不同應用的額定電壓也有所不同；通常，便攜式設備為20V、FPGA電源為20～30V、85～220VAC應用為450～600V。在連續(xù)導通模式下，MOSFET處于穩(wěn)態(tài)，此時電流連續(xù)通過器件。脈沖尖峰是指有大量電涌(或尖峰電流)流過器件。一旦確定了這些條件下的較大電流，只需直接選擇能承受這...

MOS管的工作原理，在開關電源中常用MOS管的漏極開路電路，如圖2漏極原封不動地接負載，叫開路漏極，開路漏極電路中不管負載接多高的電壓，都能夠接通和關斷負載電流。是理想的模擬開關器件。這就是MOS管做開關器件的原理。當然MOS管做開關使用的電路形式比較多了。NMOS管的開路漏極電路，在開關電源應用方面，這種應用需要MOS管定期導通和關斷。比如，DC-DC電源中常用的基本降壓轉(zhuǎn)換器依賴兩個MOS管來執(zhí)行開關功能，這些開關交替在電感里存儲能量，然后把能量釋放給負載。我們常選擇數(shù)百kHz乃至1MHz以上的頻率，因為頻率越高，磁性元件可以更小更輕。在正常工作期間，MOS管只相當于一個導體。因此，我們電...

組成，F(xiàn)ET由各種半導體構(gòu)成，目前硅是較常見的。大部分的FET是由傳統(tǒng)塊體半導體制造技術制造，使用單晶半導體硅片作為反應區(qū)，或者溝道。大部分的不常見體材料，主要有非晶硅、多晶硅或其它在薄膜晶體管中，或者有機場效應晶體管中的非晶半導體。有機場效應晶體管基于有機半導體，常常用有機柵絕緣體和電極。我們知道三極管全稱為半導體三極管，也稱雙極型晶體管、晶體三極管，是一種電流控制型半導體器件，其作用是把微弱信號放大成幅度值較大的電信號， 也用作無觸點開關。在使用場效應管時，需要注意正確連接其源極、柵極和漏極，以確保其正常工作?；葜菰鰪娦蛨鲂墁F(xiàn)貨直發(fā)mos管，mos管是金屬（metal）-氧化物（oxi...

測試步驟：MOS管的檢測主要是判斷MOS管漏電、短路、斷路、放大。其步驟如下：假如有阻值沒被測MOS管有漏電現(xiàn)象。1、把連接柵極和源極的電阻移開，萬用表紅黑筆不變，假如移開電阻后表針慢慢逐步退回到高阻或無限大，則MOS管漏電，不變則完好。2、然后一根導線把MOS管的柵極和源極連接起來，假如指針立刻返回無限大，則MOS完好。3、把紅筆接到MOS的源極S上，黑筆接到MOS管的漏極上，好的表針指示應該是無限大。4、用一只100KΩ－200KΩ的電阻連在柵極和漏極上，然后把紅筆接到MOS的源極S上，黑筆接到MOS管的漏極上，這時表針指示的值一般是0，這時是下電荷通過這個電阻對MOS管的柵極充電，產(chǎn)生柵...

場效應管（FET）是利用控制輸入回路的電場效應來控制輸出回路電流的一種半導體器件，并以此命名，場效應管[2]是常見的電子元件，屬于電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高（10^8～10^9Ω）、噪聲小、功耗低、動態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點。場效應晶體管于1925年由Julius Edgar Lilienfeld和于1934年由Oskar Heil分別發(fā)明，但是實用的器件一直到1952年才被制造出來（結(jié)型場效應管），1960年Dawan Kahng發(fā)明了金屬氧化物半導體場效應晶體管，從而大部分代替了JFET，對電子行業(yè)的發(fā)展有著深遠的意義。場效應管制造工藝成熟，產(chǎn)量...