操作前應(yīng)考慮合環(huán)點(diǎn)兩側(cè)的相角差和電壓差，并估算合環(huán)潮流保證不超過(guò)環(huán)流限額。2）解環(huán)操作應(yīng)先檢查解環(huán)點(diǎn)的有功、無(wú)功潮流，以確保解環(huán)后系統(tǒng)各部分電壓在規(guī)定范圍內(nèi)，各環(huán)潮流的變化不超過(guò)繼電保護(hù)，系統(tǒng)穩(wěn)定和設(shè)備容量等方面的限額。（9）沖擊合閘、零起升壓操作：變壓器、母...

認(rèn)識(shí)半導(dǎo)體晶閘管晶閘管又被稱做可控硅整流器，以前被簡(jiǎn)稱為可控硅。1957年美國(guó)通用電氣公司開(kāi)發(fā)出世界上第1款晶閘管產(chǎn)品，并于1958年將其商業(yè)化。晶閘管是PNPN四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，形成三個(gè)PN結(jié)，分別稱：陽(yáng)極，陰極和控制極。圖1晶閘管的結(jié)構(gòu)晶閘管在工作過(guò)程中，它...

圖簡(jiǎn)單地給出了晶閘管開(kāi)通和關(guān)斷過(guò)程的電壓與電流波形。圖中開(kāi)通過(guò)程描述的是晶閘管門(mén)極在坐標(biāo)原點(diǎn)時(shí)刻開(kāi)始受到理想階躍觸發(fā)電流觸發(fā)的情況；而關(guān)斷過(guò)程描述的是對(duì)已導(dǎo)通的晶閘管，在外電路所施加的電壓在某一時(shí)刻突然由正向變?yōu)榉聪虻那闆r（如圖中點(diǎn)劃線波形）。開(kāi)通過(guò)程晶閘管的...

直流機(jī)車牽引變流器采用晶閘管模塊進(jìn)行相控整流，例如和諧型電力機(jī)車使用3.3kV/1.5kA模塊，將25kV接觸網(wǎng)電壓降至1500V直流。再生制動(dòng)時(shí)，晶閘管逆變器將動(dòng)能回饋電網(wǎng)，效率超90%。現(xiàn)代動(dòng)車組應(yīng)用IGCT模塊（如龐巴迪的MITRAC系統(tǒng)），開(kāi)關(guān)頻率1k...

保證電弧熄滅的熔絲展開(kāi)長(zhǎng)度按下式計(jì)算：l=160+70Umm式中U—熔斷器的額定電壓kV2、石英砂顆粒度石英砂的顆粒度，對(duì)限流式熔斷器的滅弧性能有很大影響。試驗(yàn)表明，顆粒直徑在。3、限制過(guò)電壓措施由于限流式熔斷器開(kāi)斷電路時(shí)，電弧電流被強(qiáng)迫過(guò)零，因而易產(chǎn)生過(guò)電壓...

LED燈相對(duì)與其他燈具有些特殊，必須通過(guò)特定的驅(qū)動(dòng)電路才能正常運(yùn)行，而這種驅(qū)動(dòng)電路的要求也很高，這也是為什么選擇高壓貼片電容主要原因。高壓貼片電容以其高耐壓著稱，而且在穩(wěn)定性方面非常出色，可以避免在連續(xù)工作下及溫度升高而使LED系統(tǒng)受...護(hù)眼儀的作用—護(hù)眼儀...

2）對(duì)一臺(tái)不經(jīng)常啟動(dòng)且啟動(dòng)時(shí)間不長(zhǎng)的電動(dòng)機(jī)的短路保護(hù)，應(yīng)有：IRN≥(～)IN（3)對(duì)多臺(tái)電動(dòng)機(jī)的短路保護(hù)，應(yīng)有：IRN≥(～)INmax+∑IN例1－1某機(jī)床電動(dòng)機(jī)的型號(hào)為Y112M－4，額定功率為4kW，額定電壓為380V，額定電流為，該電動(dòng)機(jī)正常工作時(shí)不...

禁止用隔離開(kāi)關(guān)接通或切斷回路負(fù)荷電流。（2）線路停送電操作：1）線路送電時(shí)，應(yīng)從電源側(cè)進(jìn)行，在檢查斷路器確在斷開(kāi)位置后，按先合上母線側(cè)隔離開(kāi)關(guān)，再合上線路側(cè)（負(fù)荷側(cè)）隔離開(kāi)關(guān)，**后合上斷路器的順序操作。2）線路停電時(shí)，應(yīng)從負(fù)荷側(cè)進(jìn)行，拉開(kāi)斷路器后，檢查斷路器...

中國(guó)晶閘管模塊市場(chǎng)長(zhǎng)期依賴進(jìn)口（歐美日品牌占比70%），但中車時(shí)代、西安派瑞等企業(yè)正加速突破。中車8英寸高壓晶閘管（6.5kV/4kA）良率達(dá)90%，用于白鶴灘水電站±800kV換流閥。2023年國(guó)產(chǎn)化率提升至25%，預(yù)計(jì)2028年將達(dá)50%。技術(shù)趨勢(shì)包括：1...

可控硅概況可控硅是可控硅整流元件的簡(jiǎn)稱，是一種具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件，一般由兩晶閘管反向連接而成。它的功能不僅是整流，還可以用作無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)的快速接通或切斷；實(shí)現(xiàn)將直流電變成交流電的逆變；將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電等等?？煽毓韬?..

雙向可控硅作用1、雙向可控硅在電路中的作用是：用于交流調(diào)壓或交流電子開(kāi)關(guān)。2、雙向可控硅”是在普通可控硅的基礎(chǔ)上發(fā)展而成的，它不僅能代替兩只反極性并聯(lián)的可控硅，而且*需一個(gè)觸發(fā)電路，是比較理想的交流開(kāi)關(guān)器件。其英文名稱TRIAC即三端雙向交流開(kāi)關(guān)之意。3、可控...

即其中一只單向硅陽(yáng)極與另一只陰極相邊連，其引出端稱T2極，其中一只單向硅陰極與另一只陽(yáng)極相連，其引出端稱T2極，剩下則為控制極（G）。1、單、雙向可控硅的判別：先任測(cè)兩個(gè)極，若正、反測(cè)指針均不動(dòng)（R×1擋），可能是A、K或G、A極（對(duì)單向可控硅）也可能是T2、...

直流熔斷器是直流電力系統(tǒng)中用于過(guò)載和短路保護(hù)的關(guān)鍵裝置，其**功能是通過(guò)熔斷體的快速熔斷切斷故障電流，防止設(shè)備損壞和系統(tǒng)崩潰。與交流熔斷器不同，直流電路因不存在電流過(guò)零點(diǎn)，電弧熄滅難度更大，因此直流熔斷器需采用特殊滅弧技術(shù)。熔斷體通常由銀或銅合金制成，其電阻值...

晶閘管（Thyristor）是晶體閘流管的簡(jiǎn)稱，又被稱做可控硅整流器，以前被簡(jiǎn)稱為可控硅；1957年美國(guó)通用電氣公司開(kāi)發(fā)出世界上第1款晶閘管產(chǎn)品，并于1958年將其商業(yè)化；晶閘管是PNPN四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，它有三個(gè)極：陽(yáng)極，陰極和控制極；晶閘管具有硅整流器件的特...

這個(gè)電路的方法是利用RC回路控制觸發(fā)信號(hào)的相位。當(dāng)R值較少時(shí)，RC時(shí)間常數(shù)較少，觸發(fā)信號(hào)的相移A1較少，因此負(fù)載獲得較大的電功率；當(dāng)R值較大時(shí)，RC時(shí)間常數(shù)較大，觸發(fā)信號(hào)的相移A2較大，因此負(fù)載獲得較少的電功率。這個(gè)典型的電功率無(wú)級(jí)調(diào)整電路在日常生活中有很多電...

而單向可控硅經(jīng)觸發(fā)后只能從其中陽(yáng)極向陰極單方行為向?qū)?，所以采用可控硅有單雙向關(guān)系之分。電子生產(chǎn)中常用的SCR，單向MCR-100，雙向TLC336等雙向可控硅按象限來(lái)分，又分為四象三端雙向可控硅、三象限雙向可控硅;按包裝:一般分為半塑料包裝、外絕緣全塑料包裝...

故晶閘管的陽(yáng)極電流Ia≈Ic0晶閘管處于正向阻斷狀態(tài)。當(dāng)晶閘管在正向陽(yáng)極電壓下，從門(mén)極G流入電流Ig，由于足夠大的Ig流經(jīng)NPN管的發(fā)射結(jié)，從而提高其電流放大系數(shù)a2，產(chǎn)生足夠大的極電極電流Ic2流過(guò)PNP管的發(fā)射結(jié)，并提高了PNP管的電流放大系數(shù)a1，產(chǎn)生更...

可控硅概況可控硅是可控硅整流元件的簡(jiǎn)稱，是一種具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件，一般由兩晶閘管反向連接而成。它的功能不僅是整流，還可以用作無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)的快速接通或切斷；實(shí)現(xiàn)將直流電變成交流電的逆變；將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電等等?？煽毓韬?..

材料創(chuàng)新是提升IGBT性能的關(guān)鍵。硅基IGBT通過(guò)薄片工藝（<100μm）和場(chǎng)截止層（FS層）優(yōu)化，使耐壓能力從600V提升至6.5kV。碳化硅（SiC）與IGBT的融合形成混合模塊（如SiC MOSFET+Si IGBT），可在1200V電壓下將開(kāi)關(guān)損耗降低...

IGBT模塊的可靠性高度依賴封裝技術(shù)和散熱能力。主流封裝形式包括焊接式（如EconoDUAL）和壓接式（如HPnP），前者采用銅基板與陶瓷覆銅板（DBC）焊接結(jié)構(gòu)，后者通過(guò)彈簧壓力接觸降低熱阻。DBC基板由氧化鋁（Al?O?）或氮化鋁（AlN）陶瓷層與銅箔燒結(jié)...

IGBT模塊通過(guò)柵極電壓信號(hào)控制其導(dǎo)通與關(guān)斷狀態(tài)。當(dāng)柵極施加正向電壓（通常+15V）時(shí)，MOSFET部分形成導(dǎo)電溝道，觸發(fā)BJT層的載流子注入，使器件進(jìn)入低阻抗導(dǎo)通狀態(tài)，此時(shí)集電極與發(fā)射極間的壓降*為1.5-3V，***低于普通MOSFET。關(guān)斷時(shí)，柵極電壓降...

且收納箱6的內(nèi)壁預(yù)留有第三凹槽7，第三凹槽7的內(nèi)壁設(shè)置有孔洞8，且孔洞8的內(nèi)部安裝有滑塊9，并且滑塊9的頂部固定有托板10，托板10與滑塊9之間為焊接連接，且滑塊9與孔洞8構(gòu)成卡合結(jié)構(gòu)，通過(guò)安裝在收納箱6內(nèi)部的托班，向外拉動(dòng)托板10，通過(guò)滑塊9在第...

***禁止用隔離開(kāi)關(guān)接通或切斷回路負(fù)荷電流。（2）線路停送電操作：1）線路送電時(shí)，應(yīng)從電源側(cè)進(jìn)行，在檢查斷路器確在斷開(kāi)位置后，按先合上母線側(cè)隔離開(kāi)關(guān)，再合上線路側(cè)（負(fù)荷側(cè)）隔離開(kāi)關(guān)，**后合上斷路器的順序操作。2）線路停電時(shí)，應(yīng)從負(fù)荷側(cè)進(jìn)行，拉開(kāi)斷...

隨著智能電網(wǎng)和物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)的普及，傳統(tǒng)熔斷器正逐步向智能化方向演進(jìn)。新型智能熔斷器集成了溫度傳感器、電流監(jiān)測(cè)模塊和通信接口，能夠?qū)崟r(shí)采集運(yùn)行數(shù)據(jù)并通過(guò)無(wú)線網(wǎng)絡(luò)（如LoRa或NB-IoT）上傳至云端監(jiān)控平臺(tái)。例如，施耐德電氣的"SmartFuse"系列產(chǎn)品可通過(guò)監(jiān)...

純電動(dòng)汽車的驅(qū)動(dòng)部分及高壓附件系統(tǒng)的電源均為動(dòng)力電池電源，為保護(hù)車輛及乘員安全，相關(guān)動(dòng)力電池電源回路均選用相應(yīng)熔斷器作為短路保護(hù)的措施。本文主要從熔斷器壽命校核，沖擊電流對(duì)熔斷器影響，熔斷器分?jǐn)嗄芰Φ确矫妫U述純電動(dòng)汽車直流高壓熔斷器的選型原則及驗(yàn)...

環(huán)境溫度越高，保險(xiǎn)絲的工作溫度就越高，其壽命也就越短。相反，在較低的溫度下運(yùn)行會(huì)延長(zhǎng)保險(xiǎn)絲的壽命。5．熔斷額定容量也稱為致斷容量。熔斷額定容量是保險(xiǎn)絲在額定電壓下能夠確實(shí)熔斷的**大許可電流。短路時(shí)，保險(xiǎn)絲中會(huì)多次通過(guò)比正常工作電流大的瞬時(shí)過(guò)載電流...

根據(jù)應(yīng)用場(chǎng)景和性能特點(diǎn)，熔斷器可分為低壓熔斷器（≤1000V）、高壓熔斷器（＞1kV）、直流熔斷器和交流熔斷器等。典型結(jié)構(gòu)包括熔斷體、滅弧介質(zhì)、外殼和觸頭。例如，低壓玻璃管熔斷器采用銅熔體封裝于透明玻璃管內(nèi)，內(nèi)部填充石英砂以加速滅弧；高壓限流熔斷器則使用銀帶纏...

且孔洞8的內(nèi)部安裝有滑塊9，并且滑塊9的頂部固定有托板10，托板10與滑塊9之間為焊接連接，且滑塊9與孔洞8構(gòu)成卡合結(jié)構(gòu)，通過(guò)安裝在收納箱6內(nèi)部的托班，向外拉動(dòng)托板10，通過(guò)滑塊9在第三凹槽7內(nèi)部滑動(dòng)，滑動(dòng)出收納箱6，將線路放置于粘連帶12和固定帶13之間，使...

圖4為初選某品牌35A熔斷器的時(shí)間-電流特性，在圖4的基礎(chǔ)上，比對(duì)尖峰電流的持續(xù)時(shí)間及峰值。圖4（左）某品牌35A熔斷器時(shí)間-電流特性圖5（右）實(shí)測(cè)沖擊電流圖5為用示波器配合電流互感器測(cè)得負(fù)載的沖擊電流波形，1V對(duì)應(yīng)電流值25A。黑色波形為示波器電...

根據(jù)應(yīng)用場(chǎng)景和性能特點(diǎn)，熔斷器可分為低壓熔斷器（≤1000V）、高壓熔斷器（＞1kV）、直流熔斷器和交流熔斷器等。典型結(jié)構(gòu)包括熔斷體、滅弧介質(zhì)、外殼和觸頭。例如，低壓玻璃管熔斷器采用銅熔體封裝于透明玻璃管內(nèi)，內(nèi)部填充石英砂以加速滅弧；高壓限流熔斷器則使用銀帶纏...