激光打孔技術(shù)在薄膜材料加工中的優(yōu)勢(shì) 1.高精度、高效率激光打孔技術(shù)具有高精度和高效率的特點(diǎn)。通過精確控制激光束的能量和運(yùn)動(dòng)軌跡,可以在薄膜材料上快速、準(zhǔn)確地加工出微米級(jí)和納米級(jí)的孔洞。這種加工方式可以顯著提高生產(chǎn)效率和加工質(zhì)量,降低生產(chǎn)成本。 2.可加工各種材料激光打孔技術(shù)可以加工各種不同的薄膜材料,如金屬、非金屬、半導(dǎo)體等。這種加工方式可以適應(yīng)不同的材料特性和應(yīng)用需求,具有廣泛的應(yīng)用前景。 3.環(huán)保、安全激光打孔技術(shù)是一種非接觸式的加工方式,不會(huì)產(chǎn)生機(jī)械應(yīng)力或?qū)Σ牧显斐蓳p傷。同時(shí),激光打孔技術(shù)不需要任何化學(xué)試劑或切割工具,因此具有環(huán)保、安全等優(yōu)點(diǎn)。 綜上所述,華越...
PGS適用人群播報(bào)編輯高齡孕婦(年齡≥35歲)反復(fù)自然流產(chǎn)史的孕婦(自然流產(chǎn)≥3次)反復(fù)胚胎種植失敗的孕婦(失敗≥3次)生育過染色體異常疾病患兒的夫婦染色體數(shù)目及結(jié)構(gòu)異常的夫婦注意事項(xiàng)播報(bào)編輯選擇了PGS,常規(guī)產(chǎn)前檢查仍不可忽視。因?yàn)槿澜绺鞣N遺傳性疾病有4000余種,而PGS只能檢查胚胎23對(duì)染色體結(jié)構(gòu)和數(shù)目的異常,無法覆蓋所有疾病。因?yàn)镻GS取材有限,只是取一定數(shù)量的卵裂球或者囊胚期細(xì)胞,雖然不會(huì)影響胚胎的正常發(fā)育,但取材細(xì)胞和留下繼續(xù)發(fā)育的細(xì)胞團(tuán)遺傳構(gòu)成并非完全相同,故對(duì)于某些染色體嵌合型疾病可能出現(xiàn)篩查結(jié)果不符。另外染色體疾病的發(fā)病原因至今不明,也沒有預(yù)防的辦法。雖然挑選了健康的胚胎,...
激光的產(chǎn)生圖1在講激光產(chǎn)生機(jī)理之前,先講一下受激輻射。在光輻射中存在三種輻射過程,一是處于高能態(tài)的粒子自發(fā)向低能態(tài)躍遷,稱之為自發(fā)輻射;二是處于高能態(tài)的粒子在外來光的激發(fā)下向低能態(tài)躍遷,稱之為受激輻射;三是處于低能態(tài)的粒子吸收外來光的能量向高能態(tài)躍遷稱之為受激吸收。圖2 激光二極管示意圖自發(fā)輻射,即使是兩個(gè)同時(shí)從某一高能態(tài)向低能態(tài)躍遷的粒子,它們發(fā)出光的相位、偏振狀態(tài)、發(fā)射方向也可能不同,但受激輻射就不同,當(dāng)位于高能態(tài)的粒子在外來光子的激發(fā)下向低能態(tài)躍遷,發(fā)出在頻率、相位、偏振狀態(tài)等方面與外來光子完全相同的光。在激光器中,發(fā)生的輻射就是受激輻射,它發(fā)出的激光在頻率、相位、偏振狀態(tài)等方面完全一樣...
DFB-LD多采用Ⅲ和Ⅴ族元素組成的三元化合物、四元化合物,在1550nm波段內(nèi),**成熟的材料是InGaAsP/InP。新型AIGaInAs/InP材料的研發(fā)日趨成熟,國(guó)際上*少數(shù)幾家廠商可提供商用產(chǎn)品。優(yōu)化器件結(jié)構(gòu),有源區(qū)為應(yīng)變超晶格QW。有源區(qū)周邊一般為雙溝掩埋或脊型波導(dǎo)結(jié)構(gòu)。有源區(qū)附近的光波導(dǎo)區(qū)為DFB光柵,采用一些特殊的設(shè)計(jì),如:波紋坡度可調(diào)分布耦合、復(fù)耦合、吸收耦合、增益耦合、復(fù)合非連續(xù)相移等結(jié)構(gòu),提高器件性能。生產(chǎn)技術(shù)中,金屬有機(jī)化學(xué)汽相淀積MOCVD和光柵的刻蝕是其關(guān)鍵工藝。MOCVD可精確控制外延生長(zhǎng)層的組分、摻雜濃度、薄到幾個(gè)原子層的厚度,生長(zhǎng)效率高,適合大批量制作,反應(yīng)離...
GCSR-LDGCSR-LD(光柵耦合采樣反射激光二極管)是一種波長(zhǎng)可大范圍調(diào)諧的LD,其結(jié)構(gòu)從左往右分別為增益、耦合器、相位、反射器區(qū)域,改變其增益、耦合、相位和反射器各個(gè)部分的注入電流,就可改變其發(fā)射波長(zhǎng)。此LD波長(zhǎng)可調(diào)范圍約80nm,可提供322個(gè)國(guó)際電信聯(lián)盟ITU-T建議的波長(zhǎng)表內(nèi)的波長(zhǎng),已進(jìn)行壽命試驗(yàn)。MOEMS-LDMOEMS-LD(微光機(jī)電系統(tǒng)激光二極管)用靜電方式控制可移動(dòng)表面設(shè)定或調(diào)整光學(xué)系統(tǒng)中物理尺寸,進(jìn)行光波的水平方向調(diào)諧。采用自由空間微光學(xué)平臺(tái)技術(shù),控制腔鏡位置實(shí)現(xiàn)F-P腔腔長(zhǎng)的變化,帶來60nm的可調(diào)諧范圍。這種結(jié)構(gòu)既可作可調(diào)諧光器件,也可用于半導(dǎo)體激光器集成,構(gòu)成可...
激光二極管 激光二極管包括單異質(zhì)結(jié)(SH)、雙異質(zhì)結(jié)(DH)和量子阱(QW)激光二極管。量子阱激光二極管具有閾值電流低,輸出功率高的優(yōu)點(diǎn),是市場(chǎng)應(yīng)用的主流產(chǎn)品。同激光器相比,激光二極管具有效率高、體積小、壽命長(zhǎng)的優(yōu)點(diǎn),但其輸出功率?。ㄒ话阈∮?mW),線性差、單色性不太好,使其在有線電視系統(tǒng)中的應(yīng)用受到很大限制,不能傳輸多頻道,高性能模擬信號(hào)。在雙向光接收機(jī)的回傳模塊中,上行發(fā)射一般都采用量子阱激光二極管作為光源。 通常集顯微觀察、激光切割、高精掃描于一體,通過顯微成像系統(tǒng),操作人員能清晰觀察到細(xì)胞的形態(tài)結(jié)構(gòu)。歐洲Hamilton Thorne激光破膜組織培養(yǎng)***代試管嬰兒(inv...
***代試管嬰兒(invitrofertilization,IVF體外受精)解決的是因女性因素引致的不孕第二代試管嬰兒(intracytoplasmicsperminjection,ICSI單精子卵細(xì)胞漿內(nèi)注射)解決因男性因素引致的不育問題第三代試管嬰兒(pre-implantationgeneticscreening/diagnosis,PGS胚胎植入前篩查)幫助人類選擇生育**健康的后代試管嬰兒技術(shù)給不孕不育夫婦們帶來了希望,越來越多無法自然受孕的夫婦選擇試管嬰兒,并成功擁有了自己的寶寶。科學(xué)研究發(fā)現(xiàn),要想成功妊娠,健康胚胎很關(guān)鍵。而通過試管嬰兒方法獲得的胚胎有40-60%存在染色體異常,...
CSELVCSEL(垂直腔面發(fā)射激光)二極管的特點(diǎn)如下:從其頂部發(fā)射出圓柱形射束,射束無需進(jìn)行不對(duì)稱矯正或散光矯正,即可調(diào)制成用途***的環(huán)形光束,易與光纖耦合;轉(zhuǎn)換效率非常高,功耗*為邊緣發(fā)射LD的幾分之一;調(diào)制速度快,在1GHz以上;閾值很低,噪聲小;重直腔面很小,易于高密度大規(guī)模制作和成管前整片檢測(cè)、封裝、組裝,成本低。VCSEL采用三明治式結(jié)構(gòu),其中間只有20nm、1--3層的QW增益區(qū),上、下各層是由多層外延生長(zhǎng)薄膜形成的高反射率為100%的布拉格反射層,由此構(gòu)成諧振腔。相干性極高的激光束***從其頂部激射出。多家廠商有1550nm低損耗窗口與低色散的可調(diào)諧VCSEL樣品展示。131...
簡(jiǎn)介播報(bào)編輯體細(xì)胞核移植(Somatic Cell nuclear transfer):又稱體細(xì)胞克隆,作為動(dòng)物細(xì)胞工程技術(shù)的常用技術(shù)手段,即把體細(xì)胞核移入去核卵母細(xì)胞中,使其發(fā)生再程序化并發(fā)育為新的胚胎,這個(gè)胚胎**終發(fā)育為動(dòng)物個(gè)體。用核移植方法獲得的動(dòng)物稱為克隆動(dòng)物。由于體細(xì)胞高度分化,恢復(fù)全能性困難,體細(xì)胞核移植的原理即是細(xì)胞核的全能性。操作過程播報(bào)編輯細(xì)胞核的采集和卵母細(xì)胞的準(zhǔn)備從供體身體的某一部位上取體細(xì)胞,并通過體細(xì)胞培養(yǎng)技術(shù)對(duì)該體細(xì)胞進(jìn)行增殖。采集卵母細(xì)胞,體外培養(yǎng)到減數(shù)第二次分裂中期,通過顯微操作去除卵母細(xì)胞中的核,由于減二中期細(xì)胞核的位置靠近***極體,用微型吸管可以一并吸出...
注意事項(xiàng)播報(bào)編輯1.激光二極管發(fā)射的激光有可能對(duì)人眼造成傷害。二極管工作時(shí),嚴(yán)禁直接注視其端面,不能透過鏡片直視激光,也不能透過反視鏡觀察激光。2.器件需要合適的驅(qū)動(dòng)電源,瞬時(shí)反向電流不能超過2uA,反向電壓不得超過3V,否則會(huì)損壞器件。驅(qū)動(dòng)電源子在電源通斷時(shí),要防止浪涌電流的措施。用示波器測(cè)試驅(qū)動(dòng)電路時(shí),要先斷開電源再連接示波器探頭,若在通電情況下測(cè)試探頭,可能引用浪涌電流損壞器件。3.器件應(yīng)存放或工作于干凈的環(huán)境中。4.在較高溫度下工作,會(huì)增大閥值電流,較低轉(zhuǎn)化頻率,加速器件的老化。在調(diào)整光輸入量時(shí),要用光功率表檢測(cè),防止超過大額定輸出。5.輸出功率高于指定參數(shù)工作,會(huì)加速元件老化。6.機(jī)...
應(yīng)用圖4 激光二極管隨著技術(shù)和工藝的發(fā)展,多層結(jié)構(gòu)。常用的激光二極管有兩種:①PIN光電二極管。它在收到光功率產(chǎn)生光電流時(shí),會(huì)帶來量子噪聲。②雪崩光電二極管。它能夠提供內(nèi)部放大,比PIN光電二極管的傳輸距離遠(yuǎn),但量子噪聲更大。為了獲得良好的信噪比,光檢測(cè)器件后面須連接低噪聲預(yù)放大器和主放大器。半導(dǎo)體激光二極管的工作原理,理論上與氣體激光器相同。 激光二極管⑴波長(zhǎng):即激光管工作波長(zhǎng),可作光電開關(guān)用的激光管波長(zhǎng)有635nm、650nm、670nm、690nm、780nm、810nm、860nm、980nm等。⑵閾值電流Ith :即激光管開始產(chǎn)生激光振蕩的電流,對(duì)一般小功率激光管而言,其值...
FG-LD圖10**小藍(lán)紫激光二極管FG-LD(光纖光柵激光二極管)利用已成熟的封裝技術(shù),將含有FG的光纖與端面鍍有增透膜的F-P腔LD耦合而成可調(diào)諧外腔結(jié)構(gòu)的激光器,由LD芯片、空氣間隙、光纖前端的光纖部分組成,光學(xué)諧振腔在光柵和LD外端面之間。LD的內(nèi)端面鍍有增透膜,以減小其F-P模式,F(xiàn)G用來反饋選模,由于其極窄的濾波特性,LD工作波長(zhǎng)將控制在光柵的布拉格發(fā)射峰帶寬內(nèi),通過加壓應(yīng)變或改變溫度的方法,調(diào)諧FG的布拉格波長(zhǎng),就可以得到波長(zhǎng)可控制的激光輸出。FG-LD制作組裝相對(duì)簡(jiǎn)單,性能卻可與DFB-LD相比擬,激射波長(zhǎng)由FG的布拉格波長(zhǎng)決定,因此可以精控,單模輸出功率可達(dá)10mW以上,小于...
發(fā)展上世紀(jì)60年代發(fā)明的一種光源,命名為激光,LASER是英文的“受激放射光放大”的首字母縮寫。1962年秋***研制出 77K下脈沖受激發(fā)射的同質(zhì)結(jié)GaAs 激光二極管。1964 年將其工作溫度提高到室溫。1969年制造出室溫下脈沖工作的單異質(zhì)結(jié)激光二極管,1970年制成室溫下連續(xù)工作的 Ga1-xAlxAs/GaAs雙異質(zhì)結(jié)(DH)激光二極管。此后,激光二極管迅速發(fā)展。1975年 Ga1-xAlxAs/GaAsDH 激光二極管的壽命提高到105小時(shí)以上。In1-xGaxAs1-yPy/InP 長(zhǎng)波長(zhǎng)DH激光二極管也取得重大進(jìn)展,因而推動(dòng)了光纖通信和其他應(yīng)用的發(fā)展。此外還出現(xiàn)了由Pb1-xS...
PGS適用人群播報(bào)編輯高齡孕婦(年齡≥35歲)反復(fù)自然流產(chǎn)史的孕婦(自然流產(chǎn)≥3次)反復(fù)胚胎種植失敗的孕婦(失敗≥3次)生育過染色體異常疾病患兒的夫婦染色體數(shù)目及結(jié)構(gòu)異常的夫婦注意事項(xiàng)播報(bào)編輯選擇了PGS,常規(guī)產(chǎn)前檢查仍不可忽視。因?yàn)槿澜绺鞣N遺傳性疾病有4000余種,而PGS只能檢查胚胎23對(duì)染色體結(jié)構(gòu)和數(shù)目的異常,無法覆蓋所有疾病。因?yàn)镻GS取材有限,只是取一定數(shù)量的卵裂球或者囊胚期細(xì)胞,雖然不會(huì)影響胚胎的正常發(fā)育,但取材細(xì)胞和留下繼續(xù)發(fā)育的細(xì)胞團(tuán)遺傳構(gòu)成并非完全相同,故對(duì)于某些染色體嵌合型疾病可能出現(xiàn)篩查結(jié)果不符。另外染色體疾病的發(fā)病原因至今不明,也沒有預(yù)防的辦法。雖然挑選了健康的胚胎,...
?激光破膜儀?主要用于輔助胚胎孵出和人工皺縮,具體應(yīng)用場(chǎng)景包括:?輔助孵出?:在胚胎發(fā)育過程中,透明帶會(huì)逐漸變薄并破裂溶解,釋放胚胎使其成功著床于宮腔內(nèi)。然而,當(dāng)透明帶過硬或過厚時(shí),胚胎無法自行孵出,從而影響著床和妊娠成功率。此時(shí),激光破膜儀可以對(duì)透明帶進(jìn)行人工打孔或削薄,幫助胚胎順利孵出?12。?人工皺縮?:在囊胚期,胚胎內(nèi)部可能形成一個(gè)巨大的含水囊腔,這個(gè)囊腔對(duì)高滲液體置換細(xì)胞內(nèi)的水構(gòu)成很大阻礙,影響胚胎的冷凍操作。激光破膜儀能夠精細(xì)地打破這個(gè)囊腔,放出水分,使高滲液體能夠順利進(jìn)入細(xì)胞內(nèi),從而完成對(duì)囊胚的冷凍操作?12。激光破膜儀的工作原理激光破膜儀通過發(fā)射激光,利用其穿透作用破壞胚胎的某...
其它類型LD光模塊激光二極管內(nèi)置MQWF-P腔LD或DFB-LD、控制電路、驅(qū)動(dòng)電路,輸出光信號(hào)。其體積小,可靠性高,使用方便,在城域網(wǎng)、同步傳輸系統(tǒng)、同步光纖網(wǎng)絡(luò)中都大量采用2.5Gb/s光發(fā)射模塊,10Gb/s、40Gb/s處于初期試用階段,向高速化、低成本、微型化發(fā)展。利用高分子材料Polymer折射率隨溫度變化特性,加熱器改變高分子材料光柵溫度,引發(fā)其折射率和光柵節(jié)距變化,使其反射波長(zhǎng)改變。已研制出Polymer-AWG波長(zhǎng)可調(diào)的集成模塊,有16個(gè)波長(zhǎng)通道,波長(zhǎng)間隔200GHz,插損8--9dB,串?dāng)_-25dB。用一個(gè)高速調(diào)制器對(duì)每個(gè)波長(zhǎng)進(jìn)行時(shí)間調(diào)制的多波長(zhǎng)LD正處于研制階段。這是一種...
植入前遺傳學(xué)診斷(英文:preimplantation genetic diagnosis,PGD [2]),是在進(jìn)行胚胎移植前,從卵母細(xì)胞或受精卵中取出極體或從植入前階段的胚胎中取1~2個(gè)卵裂球或多個(gè)滋養(yǎng)層細(xì)胞進(jìn)行特定的遺傳學(xué)性狀檢測(cè),然后據(jù)此選擇合適的胚胎進(jìn)行移植的技術(shù) [2-3]。為2019年公布的計(jì)劃生育名詞。 應(yīng)用情況近年來,我國(guó)每年通過輔助生殖技術(shù)出生的嬰兒有數(shù)十萬。胚胎植入前遺傳學(xué)診斷技術(shù)發(fā)展十分迅速。這項(xiàng)技術(shù)的廣泛應(yīng)用,也為將來把基因組編輯技術(shù)用于人類受精卵打下了基礎(chǔ)?;蚪M編輯存在出現(xiàn)差錯(cuò)的可能性,有可能會(huì)發(fā)生脫靶或造成胚胎嵌合等現(xiàn)象。將來如果用于臨床,對(duì)基因組編輯...
激光破膜儀的優(yōu)勢(shì) 1.提升胚胎發(fā)育潛能:激光破膜儀有助于囊胚克服孵化前的結(jié)構(gòu)性阻力,使胚胎內(nèi)外的代謝產(chǎn)物和營(yíng)養(yǎng)物質(zhì)能夠順利交換,從而提升胚胎的發(fā)育潛能。 2.節(jié)省胚胎能量:通過輔助孵出,激光破膜儀降低了囊胚擴(kuò)張和孵化所需的能量,節(jié)省了活力較差的胚胎在孵化過程中的能量消耗,提高了移植成功的概率。 3.促進(jìn)胚胎與子宮內(nèi)膜同步發(fā)育:激光破膜儀幫助胚胎提前孵化,使其能夠更早地與子宮內(nèi)膜接觸,從而實(shí)現(xiàn)胚胎和子宮內(nèi)膜的同步發(fā)育,更有助于妊娠成功。激光破膜儀的適用情況激光破膜儀并非***適用,而是針對(duì)特定情況的一種輔助手段。如反復(fù)種植失敗、透明帶厚度超過15口m、女方年齡≥38歲等情況...
發(fā)展上世紀(jì)60年代發(fā)明的一種光源,命名為激光,LASER是英文的“受激放射光放大”的首字母縮寫。1962年秋***研制出 77K下脈沖受激發(fā)射的同質(zhì)結(jié)GaAs 激光二極管。1964 年將其工作溫度提高到室溫。1969年制造出室溫下脈沖工作的單異質(zhì)結(jié)激光二極管,1970年制成室溫下連續(xù)工作的 Ga1-xAlxAs/GaAs雙異質(zhì)結(jié)(DH)激光二極管。此后,激光二極管迅速發(fā)展。1975年 Ga1-xAlxAs/GaAsDH 激光二極管的壽命提高到105小時(shí)以上。In1-xGaxAs1-yPy/InP 長(zhǎng)波長(zhǎng)DH激光二極管也取得重大進(jìn)展,因而推動(dòng)了光纖通信和其他應(yīng)用的發(fā)展。此外還出現(xiàn)了由Pb1-xS...
在動(dòng)物體細(xì)胞核移植技術(shù)中,注入去核卵母細(xì)胞的是供體細(xì)胞核,而非整個(gè)供體細(xì)胞。這一過程通常涉及顯微注射技術(shù),該技術(shù)能夠精細(xì)地將細(xì)胞核移入卵細(xì)胞的透明帶區(qū)域,即卵細(xì)胞膜的周邊,貼緊在膜表面。這一步驟避免了直接破壞細(xì)胞膜,從而減少了對(duì)卵細(xì)胞的傷害。注入細(xì)胞核后,接下來的一個(gè)關(guān)鍵步驟是通過電脈沖刺激,促使卵母細(xì)胞與供體細(xì)胞核進(jìn)行融合。電脈沖能夠有效地打破細(xì)胞膜和透明帶之間的連接,使得供體細(xì)胞核能夠順利進(jìn)入卵母細(xì)胞內(nèi)部,為后續(xù)的發(fā)育提供必要的遺傳信息。這種方法的優(yōu)勢(shì)在于,通過只注入細(xì)胞核,能夠比較大限度地保留卵母細(xì)胞的細(xì)胞質(zhì),這些細(xì)胞質(zhì)在早期胚胎發(fā)育過程中扮演著重要角色。此外,使用這種方法還可以避免一些...
隨著科技的不斷進(jìn)步,激光打孔技術(shù)作為一種高效、精細(xì)的加工方式,在各個(gè)領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。特別是在薄膜材料加工領(lǐng)域,激光打孔技術(shù)憑借其獨(dú)特的優(yōu)勢(shì),成為了不可或缺的重要加工手段。本文將重點(diǎn)探討激光打孔技術(shù)在薄膜材料中的應(yīng)用及其優(yōu)勢(shì)。 激光打孔技術(shù)簡(jiǎn)介激光打孔技術(shù)是一種利用高能激光束在薄膜材料上打孔的加工方式。通過精確控制激光束的能量和運(yùn)動(dòng)軌跡,可以在薄膜材料上形成微米級(jí)甚至納米級(jí)的孔洞。這種加工方式具有高精度、高效率、低成本等優(yōu)點(diǎn),因此在薄膜材料加工領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。 激光破膜儀采用1480nm 的紅外線固態(tài)激光二極管 ,屬于 Class 1 級(jí)激光,確保了使用過程中的安全性。D...
導(dǎo)電特性圖7 激光二極管二極管**重要的特性就是單方向?qū)щ娦?。在電路中,電流只能從二極管的正極流入,負(fù)極流出。下面通過簡(jiǎn)單的實(shí)驗(yàn)說明二極管的正向特性和反向特性。1·正向特性在電子電路中,將二極管的正極接在高電位端,負(fù)極接在低電位端,二極管就會(huì)導(dǎo)通,這種連接方式,稱為正向偏置。必須說明,當(dāng)加在二極管兩端的正向電壓很小時(shí),二極管仍然不能導(dǎo)通,流過二極管的正向電流十分微弱。只有當(dāng)正向電壓達(dá)到某一數(shù)值(這一數(shù)值稱為“門檻電壓”,鍺管約為0.2V,硅管約為0.6V)以后,二極管才能直正導(dǎo)通。導(dǎo)通后二極管兩端的電壓基本上保持不變(鍺管約為0.3V,硅管約為0.7V),稱為二極管的“正向壓降”。出廠前進(jìn)行激...
激光二極管 激光二極管包括單異質(zhì)結(jié)(SH)、雙異質(zhì)結(jié)(DH)和量子阱(QW)激光二極管。量子阱激光二極管具有閾值電流低,輸出功率高的優(yōu)點(diǎn),是市場(chǎng)應(yīng)用的主流產(chǎn)品。同激光器相比,激光二極管具有效率高、體積小、壽命長(zhǎng)的優(yōu)點(diǎn),但其輸出功率?。ㄒ话阈∮?mW),線性差、單色性不太好,使其在有線電視系統(tǒng)中的應(yīng)用受到很大限制,不能傳輸多頻道,高性能模擬信號(hào)。在雙向光接收機(jī)的回傳模塊中,上行發(fā)射一般都采用量子阱激光二極管作為光源。 激光破膜儀主要應(yīng)用于IVF領(lǐng)域。美國(guó)DTS激光破膜XYCLONE注意事項(xiàng)播報(bào)編輯1.激光二極管發(fā)射的激光有可能對(duì)人眼造成傷害。二極管工作時(shí),嚴(yán)禁直接注視其端面,不能透過鏡...
DBR-LDDBR-LD(分布布拉格反射器激光二極管)相當(dāng)有代表性的是超結(jié)構(gòu)光柵SSG結(jié)構(gòu)。器件**是有源層,兩邊是折射光柵形成的SSG區(qū),受周期性間隔調(diào)制,其反射光譜變成梳狀峰,梳狀光譜重合的波長(zhǎng)以大的不連續(xù)變化,可實(shí)現(xiàn)寬范圍的波長(zhǎng)調(diào)諧。采用DBR-LD構(gòu)成波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換器,與調(diào)制器單片集成,其芯片左側(cè)為雙穩(wěn)態(tài)激光器部分,有兩個(gè)***區(qū)和一個(gè)用作飽和吸收的隔離區(qū);右側(cè)是波長(zhǎng)控制區(qū),由移相區(qū)和DBR構(gòu)成。1550nm多冗余功能可調(diào)諧DBR-LD可獲得16個(gè)頻率間隔為100GHz或32頻率間隔為50GHz的波長(zhǎng),隨著大約以10nm間隔跳模,可獲得約100nm的波長(zhǎng)調(diào)諧。除保留已有的處理和封裝工藝外,還...
其它類型LD光模塊激光二極管內(nèi)置MQWF-P腔LD或DFB-LD、控制電路、驅(qū)動(dòng)電路,輸出光信號(hào)。其體積小,可靠性高,使用方便,在城域網(wǎng)、同步傳輸系統(tǒng)、同步光纖網(wǎng)絡(luò)中都大量采用2.5Gb/s光發(fā)射模塊,10Gb/s、40Gb/s處于初期試用階段,向高速化、低成本、微型化發(fā)展。利用高分子材料Polymer折射率隨溫度變化特性,加熱器改變高分子材料光柵溫度,引發(fā)其折射率和光柵節(jié)距變化,使其反射波長(zhǎng)改變。已研制出Polymer-AWG波長(zhǎng)可調(diào)的集成模塊,有16個(gè)波長(zhǎng)通道,波長(zhǎng)間隔200GHz,插損8--9dB,串?dāng)_-25dB。用一個(gè)高速調(diào)制器對(duì)每個(gè)波長(zhǎng)進(jìn)行時(shí)間調(diào)制的多波長(zhǎng)LD正處于研制階段。這是一種...
?激光破膜儀?主要用于輔助胚胎孵出和人工皺縮,具體應(yīng)用場(chǎng)景包括:?輔助孵出?:在胚胎發(fā)育過程中,透明帶會(huì)逐漸變薄并破裂溶解,釋放胚胎使其成功著床于宮腔內(nèi)。然而,當(dāng)透明帶過硬或過厚時(shí),胚胎無法自行孵出,從而影響著床和妊娠成功率。此時(shí),激光破膜儀可以對(duì)透明帶進(jìn)行人工打孔或削薄,幫助胚胎順利孵出?12。?人工皺縮?:在囊胚期,胚胎內(nèi)部可能形成一個(gè)巨大的含水囊腔,這個(gè)囊腔對(duì)高滲液體置換細(xì)胞內(nèi)的水構(gòu)成很大阻礙,影響胚胎的冷凍操作。激光破膜儀能夠精細(xì)地打破這個(gè)囊腔,放出水分,使高滲液體能夠順利進(jìn)入細(xì)胞內(nèi),從而完成對(duì)囊胚的冷凍操作?12。激光破膜儀的工作原理激光破膜儀通過發(fā)射激光,利用其穿透作用破壞胚胎的某...
1989年Handyside AH首先將PGD成功應(yīng)用于臨床,用PCR技術(shù)行Y染色體特異基因體外擴(kuò)增,將診斷為女性的胚胎移植入子宮獲妊娠成功。開初的PGD都是用PCR或FISH檢測(cè)性別,選女性胚胎移植,幫助有風(fēng)險(xiǎn)生育血友病A、進(jìn)行性肌營(yíng)養(yǎng)不良等X連鎖遺傳病后代的夫婦妊娠分娩出一正常女嬰。但按遺傳規(guī)律,此法無疑否定健康男孩的出生,而允許攜帶者女孩繁衍,并不能切斷致病基因的傳遞。1992年美國(guó)首先報(bào)道用PCR檢測(cè)囊性纖維成功,并通過胚胎篩選,誕生了健康嬰兒。之后,α-1-抗胰島素缺乏癥、色素沉著視網(wǎng)膜炎等多種單基因遺傳病的PGD檢測(cè)方法建立,PGD進(jìn)入對(duì)單基因遺傳病的檢測(cè)預(yù)防階級(jí)。1993年以后,...
物理結(jié)構(gòu)是在發(fā)光二極管的結(jié)間安置一層具有光活性的半導(dǎo)體,其端面經(jīng)過拋光后具有部分反射功能,因而形成一光諧振腔。在正向偏置的情況下,LED結(jié)發(fā)射出光來并與光諧振腔相互作用,從而進(jìn)一步激勵(lì)從結(jié)上發(fā)射出單波長(zhǎng)的光,這種光的物理性質(zhì)與材料有關(guān)。在VCD機(jī)中,半導(dǎo)體激光二極管是激光頭的**部件之一,它大多是由雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)的鎵鋁砷(AsALGA)三元化合物構(gòu)成的,是一種近紅外半導(dǎo)體器件,波長(zhǎng)為780~820 nm,額定功率為3~5 mw。另外,還有一種可見光(如紅光)半導(dǎo)體激光二極管,也廣泛應(yīng)用于VCD機(jī)以及條形碼閱讀器中。激光二極管的外形及尺寸如圖11所示。其內(nèi)部結(jié)構(gòu)類型有三種,如圖11所示。操作模式具備...
工作原理播報(bào)編輯圖6 激光二極管晶體二極管為一個(gè)由p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體形成的p-n結(jié),在其界面處兩側(cè)形成空間電荷層,并建有自建電場(chǎng)。當(dāng)不存在外加電壓時(shí),由于p-n結(jié)兩邊載流子濃度差引起的擴(kuò)散電流和自建電場(chǎng)引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)。當(dāng)外界有正向電壓偏置時(shí),外界電場(chǎng)和自建電場(chǎng)的互相抑消作用使載流子的擴(kuò)散電流增加引起了正向電流。當(dāng)外界有反向電壓偏置時(shí),外界電場(chǎng)和自建電場(chǎng)進(jìn)一步加強(qiáng),形成在一定反向電壓范圍內(nèi)與反向偏置電壓值無關(guān)的反向飽和電流I0。當(dāng)外加的反向電壓高到一定程度時(shí),p-n結(jié)空間電荷層中的電場(chǎng)強(qiáng)度達(dá)到臨界值產(chǎn)生載流子的倍增過程,產(chǎn)生大量電子空穴對(duì),產(chǎn)生了數(shù)值很大的反向擊穿電流,稱...
有哪些疾病與染色體有關(guān)?染色體/基因異常導(dǎo)致的常見疾病:1.染色體數(shù)目丟失(非整倍體):定義:一個(gè)健康人有23對(duì)染色體,每對(duì)都是二倍體,也就是兩對(duì)。如果有1,3或更多的染色體,這是染色體數(shù)目錯(cuò)誤的跡象。遺傳性疾病:由異常數(shù)字引起的遺傳病有上百種,如21三體即先天性愚型(或唐氏綜合征)、18三體(愛德華氏病)、13三體(佩吉特病)、5p綜合征(貓叫綜合征)、特納綜合征、克氏綜合征、兩性畸形等。2.異常染色體結(jié)構(gòu):定義:每條染色體上有許多基因片段。如果一條染色體上的基因片段出現(xiàn)易位、倒位、重疊等問題。,這是結(jié)構(gòu)異常,平衡易位**常見。如果發(fā)現(xiàn)患者是易位攜帶者,流產(chǎn)或IVF周期失敗的風(fēng)險(xiǎn)更大。遺傳病...