晶體生長類型將純半導(dǎo)體單晶熔化成半導(dǎo)體，并緩慢擠壓生長成棒狀。回歸型它是從含有少量施主雜質(zhì)和受主雜質(zhì)的溶液中擠出來的，如果擠出速度快，則生長出P型半導(dǎo)體，如果慢則生長出N型半導(dǎo)體。因?yàn)榛鶚O區(qū)較厚，高頻特性較差。戈隆擴(kuò)散當(dāng)在擠壓過程中添加到溶解半...

測量儀器是用來測量物理量的裝置。在物理科學(xué)、質(zhì)量保證和工程中，測量是獲取和比較現(xiàn)實(shí)世界中物體和事件的物理量的行為。已建立的標(biāo)準(zhǔn)對象和事件被當(dāng)做單位，在測量過程中給出與研究項(xiàng)目和參考測量單位相關(guān)的數(shù)字。所有測量儀器都會(huì)受到不同程度的儀器誤差和測量不確定度的影響。...

半導(dǎo)體 -----指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體與絕緣體之間的材料。半導(dǎo)體在集成電路、消費(fèi)電子、通信系統(tǒng)、光伏發(fā)電、照明、大功率電源轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域都有應(yīng)用，如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。無論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來看，半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。大部分的電子...

電子測量儀器的特點(diǎn)(1)基礎(chǔ)作用重要：電子測量儀器是獲取信息不可缺少的物質(zhì)基礎(chǔ)，也是高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要基石和倍增器。據(jù)統(tǒng)計(jì)，我國約30%的基建技改費(fèi)用于購買電子測量儀器，電子測量儀器已經(jīng)成為工業(yè)系統(tǒng)科研生產(chǎn)能力建設(shè)的一項(xiàng)重要內(nèi)容。?(2)技術(shù)門檻高：電子測...

無錫微原電子科技有限公司是一家專注于電子/半導(dǎo)體/集成電路領(lǐng)域的服務(wù)商，成立時(shí)間在2022年1月18日。坐落于無錫市新吳區(qū)菱湖大道111號(hào)軟件園天鵝座C座19層1903室，目前有的板塊有集成電路芯片、半導(dǎo)體器件、電子測量儀器、電子元器件等相關(guān)。公司專...

元素半導(dǎo)體。元素半導(dǎo)體是指單一元素構(gòu)成的半導(dǎo)體，其中對硅、硒的研究比較早。它是由相同元素組成的具有半導(dǎo)體特性的固體材料，容易受到微量雜質(zhì)和外界條件的影響而發(fā)生變化。目前，只有硅、鍺性能好，運(yùn)用的比較廣，硒在電子照明和光電領(lǐng)域中應(yīng)用。硅在半導(dǎo)體工業(yè)中運(yùn)用的多...

1906年美國人德福雷斯特發(fā)明真空三極管，用來放大電話的聲音電流。此后，人們強(qiáng)烈地期待著能夠誕生一種固體器件，用來作為質(zhì)量輕、價(jià)廉和壽命長的放大器和電子開關(guān)。1947年，點(diǎn)接觸型鍺晶體管的誕生，在電子器件的發(fā)展史上翻開了新的一頁。但是，這種點(diǎn)接觸型晶...

截至 2018 年，絕大多數(shù)晶體管都是使用平坦的二維平面工藝，在硅芯片一側(cè)的單層中制造的。研究人員已經(jīng)生產(chǎn)了幾種有希望的替代品的原型，例如:堆疊幾層晶體管以制造三維集成電路(3DC)的各種方法，例如硅通孔，“單片 3D”， 堆疊引線接合， 和其他方法。由其他材...

在速率上，商用系統(tǒng)大多為2.5Gbit/s或10Gbit/s，更高速率的40Gbit/s系統(tǒng)正在實(shí)用化，預(yù)計(jì)到2004年開始商業(yè)應(yīng)用，一些電信公司如阿爾卡特的實(shí)驗(yàn)室已進(jìn)行了160Gbit/s的傳輸實(shí)驗(yàn)。在通道密度方面，通道間的波長間隙已小到25GHz...

帶有“視距絲”的光學(xué)速測儀，由于其快速、簡易，而在短距離（100米以內(nèi)）、低精度 （1/200(1/500）的測量中，如碎部點(diǎn)測定中，有其優(yōu)勢，得到了廣泛的應(yīng)用。隨著電子測距技術(shù)的出現(xiàn)，**地推動(dòng)了速測儀的發(fā)展。用電磁波測距儀代替光學(xué)視距經(jīng)緯儀，使得測程更...

電子測量儀器是什么？ 電子測量儀器是以模擬電路技術(shù)、數(shù)字電路技術(shù)為基礎(chǔ)，涵蓋信號(hào)處理技術(shù)、通信技術(shù)、軟件技術(shù)、總線技術(shù)等多學(xué)科融合的高精尖測量設(shè)備或系統(tǒng)，并用于監(jiān)測、測量、計(jì)算各類物理參數(shù)和成分的儀器。其用途是對電特性進(jìn)行定性或定量測量，目前已經(jīng)***...

總之，隨著外形尺寸縮小，幾乎所有的指標(biāo)改善了，單位成本和開關(guān)功率消耗下降，速度提高。但是，集成納米級別設(shè)備的IC也存在問題，主要是泄漏電流。因此，對于**終用戶的速度和功率消耗增加非常明顯，制造商面臨改進(jìn)芯片結(jié)構(gòu)的尖銳挑戰(zhàn)。這個(gè)過程和在未來幾年所期望的進(jìn)步，在...

晶體二極管晶體二極管在電路中常用“D”加數(shù)字表示，如：D5表示編號(hào)為5的二極管。1、作用：二極管的主要特性是單向?qū)щ娦?，也就是在正向電壓的作用下，?dǎo)通電阻很小；而在反向電壓作用下導(dǎo)通電阻極大或無窮大。正因?yàn)槎O管具有上述特性，無繩電話機(jī)中常，把它用在整流、隔離...

無錫微原電子科技有限公司的集成電路芯片業(yè)務(wù)目前發(fā)展?fàn)顩r和未來的規(guī)劃。 錫微原電子科技有限公司的集成電路芯片業(yè)務(wù)目前發(fā)展?fàn)顩r良好，且有著明確的未來規(guī)劃。以下是具體介紹：目前發(fā)展?fàn)顩r技術(shù)研發(fā)方面：公司擁有專業(yè)的技術(shù)團(tuán)隊(duì)，具備較強(qiáng)的集成電路設(shè)計(jì)能力，能夠根...

晶體三極管主要用于放大電路中起放大作用，在常見電路中有三種接法。為了便于比較，將晶體管三種接法電路所具有的特點(diǎn)列于下，名稱共發(fā)射極電路共集電極電路(射極輸出器)共基極電路。輸入阻抗中(幾百歐～幾千歐)大(幾十千歐以上)小(幾歐～幾十歐)輸出阻抗中(幾千歐～幾十...

美國半導(dǎo)體分立器件型號(hào)命名方法美國晶體管或其他半導(dǎo)體器件的命名法較混亂。美國電子工業(yè)協(xié)會(huì)半導(dǎo)體分立器件命名方法如下： ***部分：用符號(hào)表示器件用途的類型。JAN-軍級、JANTX-特軍級、JANTXV-超特軍級、JANS-宇航級、（無）-非***品...

非晶態(tài)半導(dǎo)體。它又被叫做無定形半導(dǎo)體或玻璃半導(dǎo)體，屬于半導(dǎo)電性的一類材料。非晶半導(dǎo)體和其他非晶材料一樣，都是短程有序、長程無序結(jié)構(gòu)。它主要是通過改變原子相對位置，改變原有的周期性排列，形成非晶硅。晶態(tài)和非晶態(tài)主要區(qū)別于原子排列是否具有長程序。非晶...

儀器工作條件儀器在15~25℃條件下工作。2、外觀儀器的工作面不得有砂眼、氣孔、碰傷、劃傷、毛刺、銹跡及其他影響使用的缺陷；裸露的非工作面不得有氣孔、砂眼、裂紋、銹蝕及其他明顯的缺陷。儀器的電鍍層應(yīng)均勻光潔。儀器的噴漆表面不得有明顯的影響外觀質(zhì)量的脫漆、斑點(diǎn)、...

有時(shí)，專門加工的集成電路管芯被準(zhǔn)備用于直接連接到基板，而無需中間接頭或載體。在倒裝芯片系統(tǒng)中，IC通過焊料凸點(diǎn)連接到基板。在梁式引線技術(shù)中，傳統(tǒng)芯片中用于引線鍵合連接的金屬化焊盤被加厚和延伸，以允許外部連接到電路。使用“裸”芯片的組件有額外的包裝或填充環(huán)氧樹脂...

場效應(yīng)晶體管場效應(yīng)晶體管依靠一塊薄層半導(dǎo)體受橫向電場影響而改變其電阻（簡稱場效應(yīng)），使具有放大信號(hào)的功能。這薄層半導(dǎo)體的兩端接兩個(gè)電極稱為源和漏。 控制橫向電場的電極稱為柵。根據(jù)柵的結(jié)構(gòu),場效應(yīng)晶體管可以分為三種： ①結(jié)型場...

關(guān)于集成電路的想法的前身是制造小陶瓷正方形(晶片)，每個(gè)正方形包含一個(gè)小型化的組件。然后，組件可以集成并連線到二維或三維緊湊網(wǎng)格中。這個(gè)想法在 1957 年似乎很有希望，是由杰克·基爾比向美國陸軍提出的，并導(dǎo)致了短命的小模塊計(jì)劃(類似于 1951 年的 T...

大多數(shù)半導(dǎo)體使用單晶硅，但使用的其他材料包括鍺、砷化鎵(GaAs)、砷化鎵、氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)。半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電率是由晶體結(jié)構(gòu)中引起自由電子過剩和缺乏的雜質(zhì)決定的，一般是通過多數(shù)載流子（N型半導(dǎo)體中的電子，P型半導(dǎo)體中的空穴）來負(fù)責(zé)...

測量儀器是用來測量物理量的裝置。在物理科學(xué)、質(zhì)量保證和工程中，測量是獲取和比較現(xiàn)實(shí)世界中物體和事件的物理量的行為。已建立的標(biāo)準(zhǔn)對象和事件被當(dāng)做單位，在測量過程中給出與研究項(xiàng)目和參考測量單位相關(guān)的數(shù)字。所有測量儀器都會(huì)受到不同程度的儀器誤差和測量不確定度的影響。...

一個(gè)完整的IC型號(hào)一般都至少必須包含以下四個(gè)部分:前綴（首標(biāo)）-----很多可以推測是哪家公司產(chǎn)品。器件名稱----一般可以推斷產(chǎn)品的功能（memory可以得知其容量）。溫度等級-----區(qū)分商業(yè)級，工業(yè)級，軍級等。一般情況下，C表示民用級，Ⅰ表示工業(yè)級，E...

電感 電感在電路中常用“L”加數(shù)字表示，如：L6表示編號(hào)為6的電感。電感線圈是將絕緣的導(dǎo)線在絕緣的骨架上繞一定的圈數(shù)制成。直流可通過線圈，直流電阻就是導(dǎo)線本身的電阻，壓降很??；當(dāng)交流信號(hào)通過線圈時(shí)，線圈兩端將會(huì)產(chǎn)生自感電動(dòng)勢，自感電動(dòng)勢的方向與外加電...

發(fā)展史： 1906年，美國發(fā)明家德福雷斯特（De Forest Lee）發(fā)明了真空三極管（電子管）。***代電子產(chǎn)品以電子管為**。四十年代末世界上誕生了***只半導(dǎo)體三極管，它以小巧、輕便、省電、壽命長等特點(diǎn)，很快地被各國應(yīng)用起來，在很大范圍內(nèi)取代...

新型材料應(yīng)用：二維材料、量子點(diǎn)、碳納米管等新型材料的研究和應(yīng)用，為芯片設(shè)計(jì)帶來了新的發(fā)展機(jī)遇。這些材料具有優(yōu)異的電學(xué)、熱學(xué)和力學(xué)性能，可以顯著提高芯片的性能和可靠性。封裝技術(shù)優(yōu)化：先進(jìn)的封裝技術(shù)，如3D封裝、系統(tǒng)級封裝（SiP）等，使得芯片在集成度和互連性上得...

半導(dǎo)體的分類，按照其制造技術(shù)可以分為：集成電路器件，分立器件、光電半導(dǎo)體、邏輯IC、模擬IC、儲(chǔ)存器等大類，一般來說這些還會(huì)被分成小類。此外還有以應(yīng)用領(lǐng)域、設(shè)計(jì)方法等進(jìn)行分類，雖然不常用，但還是按照IC、LSI、VLSI（超大LSI）及其規(guī)模進(jìn)行分...

計(jì)算機(jī)系統(tǒng)和大規(guī)模集成電路的使用，徹底改變了人們設(shè)計(jì)思想，對設(shè)計(jì)人員提出了很高的要求，更重要的是測試儀器可以直接采用***的計(jì)算機(jī)成果，使儀器的更新?lián)Q代速度與計(jì)算機(jī)保持同步。國內(nèi)測試儀器的總體技術(shù)水平：通用臺(tái)式儀器：微波毫米波儀器門類基本齊全，寬帶...

半導(dǎo)體的分類，按照其制造技術(shù)可以分為：集成電路器件，分立器件、光電半導(dǎo)體、邏輯IC、模擬IC、儲(chǔ)存器等大類，一般來說這些還會(huì)被分成小類。此外還有以應(yīng)用領(lǐng)域、設(shè)計(jì)方法等進(jìn)行分類，雖然不常用，但還是按照IC、LSI、VLSI（超大LSI）及其規(guī)模進(jìn)行分...