檢測(cè)10pF～0.01μF固定電容器是否有充電現(xiàn)象，進(jìn)而判斷其好壞。萬(wàn)用表選用R×1k擋。兩只三極管的β值均為100以上，且穿透電流要選用3DG6等型號(hào)硅三極管組成復(fù)合管。萬(wàn)用表的紅和黑表筆分別與復(fù)合管的發(fā)射極e和集電極c相接。由于復(fù)合三極管的放大作用，把被測(cè)...

電源及電子負(fù)載：電源及電子負(fù)載主要用于給測(cè)試對(duì)象供電或吸收測(cè)試對(duì)象產(chǎn)生的電能，并對(duì)測(cè)試回路的電能進(jìn)行測(cè)量分析 萬(wàn)用表：萬(wàn)用表是一種多用途電子測(cè)量?jī)x器，主要用于準(zhǔn)確測(cè)量電壓、電流等基本電學(xué)量以及電路故障診斷等，通常包括安培計(jì)、電壓表、歐姆計(jì)等。其應(yīng)用場(chǎng)景包括...

---中國(guó)國(guó)產(chǎn)化加速在美國(guó)多次擾亂全球芯片供應(yīng)鏈之后，芯片供不應(yīng)求的局面正在不斷蔓延。在大眾、通用等多家汽車制造商因芯片短缺而被迫宣布減產(chǎn)之后，近期美國(guó)科技巨頭蘋(píng)果似乎也因?yàn)樾酒?yīng)不足，而將停止生產(chǎn)iPhone 12 mini。 雪上加霜的是，在全球芯片供...

華為和合作伙伴正在朝這個(gè)方向走去——華為的計(jì)劃是做IDM，業(yè)內(nèi)人士對(duì)投中網(wǎng)表示。 IDM，是芯片領(lǐng)域的一種設(shè)計(jì)生產(chǎn)模式，從芯片設(shè)計(jì)、制造、封裝到測(cè)試，覆蓋整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈。 一方面，華為正在從芯片設(shè)計(jì)向上游延伸。余承東曾表示，華為將***扎根，突破物...

如果把電源的方向反過(guò)來(lái)接，則空穴和電子都背離偶極層流動(dòng)而使偶極層變厚，同時(shí)電流被限制在一個(gè)很小的飽和值內(nèi)(稱反向飽和電流)。因此，PN結(jié)具有單向?qū)щ娦浴４送?，PN結(jié)的偶極層還起一個(gè)電容的作用，這電容隨著外加電壓的變化而變化。在偶極層內(nèi)部電場(chǎng)很強(qiáng)。...

新型材料應(yīng)用：二維材料、量子點(diǎn)、碳納米管等新型材料的研究和應(yīng)用，為芯片設(shè)計(jì)帶來(lái)了新的發(fā)展機(jī)遇。這些材料具有優(yōu)異的電學(xué)、熱學(xué)和力學(xué)性能，可以顯著提高芯片的性能和可靠性。封裝技術(shù)優(yōu)化：先進(jìn)的封裝技術(shù)，如3D封裝、系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP）等，使得芯片在集成度和互連性上得...

封裝概念狹義:利用膜技術(shù)及微細(xì)加工技術(shù)，將芯片及其他要素在框架或基板上布置、粘貼固定及連接，引出接線端子并通過(guò)可塑性絕緣介質(zhì)灌封固定，構(gòu)成整體立體結(jié)構(gòu)的工藝。廣義:將封裝體與基板連接固定，裝配成完整的系統(tǒng)或電子設(shè)備，并確保整個(gè)系統(tǒng)綜合性能的工程。芯片封裝實(shí)現(xiàn)的...

半導(dǎo)體五大特性∶電阻率特性，導(dǎo)電特性，光電特性，負(fù)的電阻率溫度特性，整流特性。在形成晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體中，人為地?fù)饺胩囟ǖ碾s質(zhì)元素，導(dǎo)電性能具有可控性。在光照和熱輻射條件下，其導(dǎo)電性有明顯的變化。晶格：晶體中的原子在空間形成排列整齊的點(diǎn)陣，稱為晶格。共價(jià)...

國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展藍(lán)圖(ITRS)多年來(lái)預(yù)測(cè)了特征尺寸的預(yù)期縮小和相關(guān)領(lǐng)域所需的進(jìn)展。**終的ITRS于2016年發(fā)布，現(xiàn)已被《設(shè)備和系統(tǒng)國(guó)際路線圖》取代。[21]**初，集成電路嚴(yán)格地說(shuō)是電子設(shè)備。集成電路的成功導(dǎo)致了其他技術(shù)的集成，試圖獲得同樣的小尺寸和低...

空間電荷區(qū)：擴(kuò)散到P區(qū)的自由電子與空穴復(fù)合，而擴(kuò)散到N區(qū)的空穴與自由電子復(fù)合，所以在交界面附近多子的濃度下降，P區(qū)出現(xiàn)負(fù)離子區(qū)，N區(qū)出現(xiàn)正離子區(qū)，它們是不能移動(dòng)，稱為空間電荷區(qū)。電場(chǎng)形成：空間電荷區(qū)形成內(nèi)電場(chǎng)。空間電荷加寬，內(nèi)電場(chǎng)增強(qiáng)，其...

半導(dǎo)體五大特性∶電阻率特性，導(dǎo)電特性，光電特性，負(fù)的電阻率溫度特性，整流特性。在形成晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體中，人為地?fù)饺胩囟ǖ碾s質(zhì)元素，導(dǎo)電性能具有可控性。在光照和熱輻射條件下，其導(dǎo)電性有明顯的變化。晶格：晶體中的原子在空間形成排列整齊的點(diǎn)陣，稱為晶格。共價(jià)...

有機(jī)合成物半導(dǎo)體。有機(jī)化合物是指含分子中含有碳鍵的化合物，把有機(jī)化合物和碳鍵垂直，疊加的方式能夠形成導(dǎo)帶，通過(guò)化學(xué)的添加，能夠讓其進(jìn)入到能帶，這樣可以發(fā)生電導(dǎo)率，從而形成有機(jī)化合物半導(dǎo)體。這一半導(dǎo)體和以往的半導(dǎo)體相比，具有成本低、溶解性好、材料輕加工容易的...

芯片是一種集成電路，由大量的晶體管構(gòu)成。不同的芯片有不同的集成規(guī)模，大到幾億；小到幾十、幾百個(gè)晶體管。晶體管有兩種狀態(tài)，開(kāi)和關(guān)，用1、0來(lái)表示。多個(gè)晶體管產(chǎn)生的多個(gè)1與0的信號(hào)，這些信號(hào)被設(shè)定成特定的功能（即指令和數(shù)據(jù)），來(lái)表示或處理字母、數(shù)字、顏色和圖形等。...

國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展藍(lán)圖(ITRS)多年來(lái)預(yù)測(cè)了特征尺寸的預(yù)期縮小和相關(guān)領(lǐng)域所需的進(jìn)展。**終的ITRS于2016年發(fā)布，現(xiàn)已被《設(shè)備和系統(tǒng)國(guó)際路線圖》取代。[21]**初，集成電路嚴(yán)格地說(shuō)是電子設(shè)備。集成電路的成功導(dǎo)致了其他技術(shù)的集成，試圖獲得同樣的小尺寸和低...

帶有“視距絲”的光學(xué)速測(cè)儀，由于其快速、簡(jiǎn)易，而在短距離（100米以內(nèi)）、低精度 （1/200(1/500）的測(cè)量中，如碎部點(diǎn)測(cè)定中，有其優(yōu)勢(shì)，得到了廣泛的應(yīng)用。隨著電子測(cè)距技術(shù)的出現(xiàn)，**地推動(dòng)了速測(cè)儀的發(fā)展。用電磁波測(cè)距儀代替光學(xué)視距經(jīng)緯儀，使得測(cè)程更...

發(fā)展歷史 1965-1978年 創(chuàng)業(yè)期1965年，***批國(guó)內(nèi)研制的晶體管和數(shù)字電路在河北半導(dǎo)體研究所鑒定成功。1968年，上海無(wú)線電十四廠**制成PMOS（P型金屬-氧化物-半導(dǎo)體）集成電路。 1970年，北京878廠、上海無(wú)線電十九廠建成投...

半導(dǎo)體材料的質(zhì)量系數(shù)不能夠根據(jù)需要得到進(jìn)一步的提升，這就必然會(huì)對(duì)半導(dǎo)體制冷技術(shù)的應(yīng)用造成影響。其二，對(duì)冷端散熱系統(tǒng)和熱端散熱系統(tǒng)進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計(jì)，但是在技術(shù)上沒(méi)有升級(jí)，依然處于理論階段，沒(méi)有在應(yīng)用中更好地發(fā)揮作用，這就導(dǎo)致半導(dǎo)體制冷技術(shù)不能夠根據(jù)...

集成電路芯片行業(yè)作為現(xiàn)代科技的**領(lǐng)域，其未來(lái)發(fā)展情況呈現(xiàn)出以下趨勢(shì)：市場(chǎng)規(guī)模持續(xù)增長(zhǎng)全球市場(chǎng)方面：根據(jù)世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)組織（WSTS）的數(shù)據(jù)，2024年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模已達(dá)到6430億美元，同比增長(zhǎng)7.3%。預(yù)計(jì)2025年，全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模將進(jìn)一步增長(zhǎng)...

水泥電阻的檢測(cè)。檢測(cè)水泥電阻的方法及注意事項(xiàng)與檢測(cè)普通固定電阻完全相同。3 熔斷電阻器的檢測(cè)。在電路中，當(dāng)熔斷電阻器熔斷開(kāi)路后，可根據(jù)經(jīng)驗(yàn)作出判斷：若發(fā)現(xiàn)熔斷電阻器表面發(fā)黑或燒焦，可斷定是其負(fù)荷過(guò)重，通過(guò)它的電流超過(guò)額定值很多倍所致；如果其表面無(wú)任何痕跡而開(kāi)路...

針對(duì)不同的測(cè)量對(duì)象，測(cè)量?jī)x器的傳感器的形式也不同，但各傳感器的作用都是相同的，即把自然界的模擬量（信號(hào)）轉(zhuǎn)換成電信號(hào)(電壓或電流)；信號(hào)變換和調(diào)理電路對(duì)來(lái)自傳感器的電信號(hào)進(jìn)行放大、衰減、變換(包括變頻、檢波等)、濾波以及調(diào)整到適合于模擬數(shù)字轉(zhuǎn)化的狀態(tài)。在可以...

技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)新型元器件將繼續(xù)向微型化、片式化、高性能化、集成化、智能化、環(huán)保節(jié)能方向發(fā)展。市場(chǎng)需求分析隨著下一代互聯(lián)網(wǎng)、新一代移動(dòng)通信和數(shù)字電視的逐步商用，電子整機(jī)產(chǎn)業(yè)的升級(jí)換代將為電子材料和元器件產(chǎn)業(yè)的發(fā)展帶來(lái)巨大的市場(chǎng)機(jī)遇。“十一五”發(fā)展重點(diǎn)我國(guó)《電子...

技術(shù)改進(jìn)： 1、將指標(biāo)水準(zhǔn)器改為豎盤(pán)指標(biāo)自動(dòng)補(bǔ)償器，提高了豎直角的觀測(cè)速度與準(zhǔn)確性； 2、軸系也有很大的改進(jìn)，使軸系變得輕便靈活，同時(shí)穩(wěn)定可靠； 3、望遠(yuǎn)鏡也由倒像望遠(yuǎn)鏡改成了正像望遠(yuǎn)鏡； 4、使用光柵盤(pán)或光學(xué)碼盤(pán)，用光電轉(zhuǎn)換元件接...

關(guān)于集成電路的想法的前身是制造小陶瓷正方形(晶片)，每個(gè)正方形包含一個(gè)小型化的組件。然后，組件可以集成并連線到二維或三維緊湊網(wǎng)格中。這個(gè)想法在 1957 年似乎很有希望，是由杰克·基爾比向美國(guó)陸軍提出的，并導(dǎo)致了短命的小模塊計(jì)劃(類似于 1951 年的 T...

技術(shù)改進(jìn)： 1、將指標(biāo)水準(zhǔn)器改為豎盤(pán)指標(biāo)自動(dòng)補(bǔ)償器，提高了豎直角的觀測(cè)速度與準(zhǔn)確性； 2、軸系也有很大的改進(jìn)，使軸系變得輕便靈活，同時(shí)穩(wěn)定可靠； 3、望遠(yuǎn)鏡也由倒像望遠(yuǎn)鏡改成了正像望遠(yuǎn)鏡； 4、使用光柵盤(pán)或光學(xué)碼盤(pán)，用光電轉(zhuǎn)換元件接...

將萬(wàn)用表置于R×10k擋，一只手將兩個(gè)表筆分別接可變電容器的動(dòng)片和定片的引出端，另一只手將轉(zhuǎn)軸緩緩旋動(dòng)幾個(gè)來(lái)回，萬(wàn)用表指針都應(yīng)在無(wú)窮大位置不動(dòng)。在旋動(dòng)轉(zhuǎn)軸的過(guò)程中，如果指針有時(shí)指向零，說(shuō)明動(dòng)片和定片之間存在短路點(diǎn)；如果碰到某一角度，萬(wàn)用表讀數(shù)不為無(wú)窮大而是出現(xiàn)...

無(wú)錫微原電子科技有限公司正站在新的起點(diǎn)上，以創(chuàng)新的精神和不懈的努力，不斷推進(jìn)企業(yè)的發(fā)展壯大。隨著市場(chǎng)的不斷拓展和技術(shù)的不斷進(jìn)步，公司有望在未來(lái)的半導(dǎo)體器件行業(yè)中占據(jù)更加重要的位置，為全球電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展做出更大的貢獻(xiàn)。在這個(gè)充滿變革和挑戰(zhàn)...

無(wú)錫微原電子科技有限公司是一家專注于電子/半導(dǎo)體/集成電路領(lǐng)域的服務(wù)商，成立時(shí)間在2022年1月18日。坐落于無(wú)錫市新吳區(qū)菱湖大道111號(hào)軟件園天鵝座C座19層1903室，目前有的板塊有集成電路芯片、半導(dǎo)體器件、電子測(cè)量?jī)x器、電子元器件等相關(guān)。公司專...

在儀器的檢驗(yàn)校正中已介紹了雙軸自動(dòng)補(bǔ)償原理，作業(yè)時(shí)若全站儀縱軸傾斜，會(huì)引起角度觀測(cè)的誤差，盤(pán)左、盤(pán)右觀測(cè)值取中不能使之抵消。而全站儀特有的雙軸（或單軸）傾斜自動(dòng)補(bǔ)償系統(tǒng)，可對(duì)縱軸的傾斜進(jìn)行監(jiān)測(cè)，并在度盤(pán)讀數(shù)中對(duì)因縱軸傾斜造成的測(cè)角誤差自動(dòng)加以改正(某些全站儀縱...

加溫檢測(cè)；在常溫測(cè)試正常的基礎(chǔ)上，即可進(jìn)行第二步測(cè)試—加溫檢測(cè)，將一熱源(例如電烙鐵)靠近PTC熱敏電阻對(duì)其加熱，同時(shí)用萬(wàn)用表監(jiān)測(cè)其電阻值是否隨溫度的升高而增大，如是，說(shuō)明熱敏電阻正常，若阻值無(wú)變化，說(shuō)明其性能變劣，不能繼續(xù)使用。注意不要使熱源與PTC熱敏電阻...

通用電子測(cè)量?jī)x器是現(xiàn)代工業(yè)的基礎(chǔ)，使用場(chǎng)景***，高低端跨度大，是電子工業(yè)發(fā)展和國(guó)家戰(zhàn)略性、基礎(chǔ)性重要產(chǎn)業(yè)之一，常見(jiàn)類型包括示波器、射頻類儀器、波形發(fā)生器、電源與電子負(fù)載。**儀器以某一個(gè)或幾個(gè)**功能為目的，設(shè)計(jì)制造難度極高，應(yīng)用領(lǐng)域較小，如光纖測(cè)試儀器、電...