對于鍺二極管，開啟電壓為0.2V，導(dǎo)通電壓UD約為0.3V。在二極管加有反向電壓，當(dāng)電壓值較小時(shí)，電流極小，其電流值為反向飽和電流IS。當(dāng)反向電壓超過某個(gè)值時(shí)，電流開始急劇增大，稱之為反向擊穿，稱此電壓為二極管的反向擊穿電壓，用符號(hào)UBR表示。不同型號(hào)的二極管...

b、主電路用螺絲擰緊，控制極g要用插件，盡可能不用焊接方式。c、裝卸時(shí)應(yīng)采用接地工作臺(tái)，接地地面，接地腕帶等防靜電措施。 d、儀器測量時(shí)，將1000電阻與g極串聯(lián)。e、要在無電源時(shí)進(jìn)行安裝。f,焊接g極時(shí)，電烙鐵要停電并接地，選用定溫電烙鐵**合適。當(dāng)手工焊...

動(dòng)態(tài)電阻二極管特性曲線靜態(tài)工作點(diǎn)附近電壓的變化與相應(yīng)電流的變化量之比。 [4]電壓溫度系數(shù)電壓溫度系數(shù)指溫度每升高一攝氏度時(shí)的穩(wěn)定電壓的相對變化量。 [4]比較高工作頻率比較高工作頻率是二極管工作的上限頻率。因二極管與PN結(jié)一樣，其結(jié)電容由勢壘電容組成。所以比...

熔斷器由絕緣底座（或支持件）、觸頭、熔體等組成，熔體是熔斷器的主要工作部分，熔體相當(dāng)于串聯(lián)在電路中的一段特殊的導(dǎo)線，當(dāng)電路發(fā)生短路或過載時(shí)，電流過大，熔體因過熱而熔化，從而切斷電路。熔體常做成絲狀、柵狀或片狀。熔體材料具有相對熔點(diǎn)低、特性穩(wěn)定、易于熔斷的特點(diǎn)。...

IGBT 的開關(guān)作用是通過加正向柵極電壓形成溝道，給PNP 晶體管提供基極電流，使IGBT 導(dǎo)通。反之，加反向門極電壓消除溝道，流過反向基極電流，使IGBT 關(guān)斷。IGBT 的驅(qū)動(dòng)方法和MOSFET 基本相同，只需控制輸入極N一溝道MOSFET ，所以具有高輸...

快速熔斷器是一種熔斷器的一種，快速熔斷器主要用于半導(dǎo)體整流元件或整流裝置的短路保護(hù)。由于半導(dǎo)體元件的過載能力很低。只能在極短時(shí)間內(nèi)承受較大的過載電流，因此要求短路保護(hù)具有快速熔斷的能力?？焖偃蹟嗥鞯慕Y(jié)構(gòu)和有填料封閉式熔斷器基本相同，但熔體材料和形狀不同，它是以...

自復(fù)熔斷器的特點(diǎn)是分?jǐn)嚯娏鞔?，可以分?jǐn)?00千安交流（有效值），甚至更大的電流。這種熔斷器具有非常***的限流作用，當(dāng)瞬時(shí)電流達(dá)到接近165千安時(shí)即能被迅速限流。自復(fù)熔斷器的結(jié)構(gòu)主要由電流端子（又叫電極）、云母玻璃（填充劑）、絕緣管、熔體、活塞、氬氣和外殼等組...

點(diǎn)接觸型二極管是在鍺或硅材料的單晶片上壓觸一根金屬針后，再通過電流法而形成的。因此，其PN結(jié)的靜電容量小，適用于高頻電路。點(diǎn)接觸型與面結(jié)型相比，較少使用于大電流和整流。因?yàn)闃?gòu)造簡單，所以價(jià)格便宜。對于小信號(hào)的檢波、整流、調(diào)制、混頻和限幅等一般用途而言，它是應(yīng)用...

⒊ 控制極觸發(fā)電流（IGT），俗稱觸發(fā)電流。常用可控硅的IGT一般為幾微安到幾十毫安。4，在規(guī)定環(huán)境溫度和散熱條件下，允許通過陰極和陽極的電流平均值。常用可控硅的封裝形式有TO-92、TO-126、TO-202AB、TO-220、TO-220ABC、TO-3P...

高反向耐壓點(diǎn)接觸型二極管是比較大峰值反向電壓和比較大直流反向電壓很高的產(chǎn)品。使用于高壓電路的檢波和整流。這種型號(hào)的二極管一般正向特性不太好或一般。在點(diǎn)接觸型鍺二極管中，有SD38、1N38A、OA81等等。這種鍺材料二極管，其耐壓受到限制。要求更高時(shí)有硅合金和...

為防止發(fā)生越級(jí)熔斷、擴(kuò)大事故范圍，上、下級(jí)（即供電干、支線）線路的熔斷器間應(yīng)有良好配合。選用時(shí)，應(yīng)使上級(jí)（供電干線）熔斷器的熔體額定電流比下級(jí)（供電支線）的大1～2個(gè)級(jí)差。常用的熔斷器有管式熔斷器R1系列、螺旋式熔斷器RLl系列、填料封閉式熔斷器RT0系列及快...

將兩只單向可控硅SCRl、SCR2反向并聯(lián)．再將控制板與本觸發(fā)電路連接，就組成了一個(gè)簡單實(shí)用的大功率無級(jí)調(diào)速電路。這個(gè)電路的獨(dú)特之處在于可控硅控制極不需外加電源，只要將負(fù)載與本電路串聯(lián)后接通電源，兩個(gè)控制極與各自的陰極之間便有5V~8V脈動(dòng)直流電壓產(chǎn)生，調(diào)節(jié)電...

門極輸入電容Cies 由CGE 和CGC 來表示，它是計(jì)算IGBT 驅(qū)動(dòng)器電路所需輸出功率的關(guān)鍵參數(shù)。該電容幾乎不受溫度影響，但與IGBT集電極-發(fā)射極電壓VCE 的電壓有密切聯(lián)系。在IGBT數(shù)據(jù)手冊中給出的電容Cies 的值，在實(shí)際電路應(yīng)用中不是一個(gè)特別有用...

高傳導(dǎo)點(diǎn)接觸型二極管它與高反向電阻型相反。其反向特性盡管很差，但使正向電阻變得足夠小。對高傳導(dǎo)點(diǎn)接觸型二極管而言，有SD56、1N56A等等。對高傳導(dǎo)鍵型二極管而言，能夠得到更優(yōu)良的特性。這類二極管，在負(fù)荷電阻特別低的情況下，整流效率較高。 在開關(guān)電源中,所需...

對于大功率IGBT，選擇驅(qū)動(dòng)電路基于以下的參數(shù)要求：器件關(guān)斷偏置、門極電荷、耐固性和電源情況等。門極電路的正偏壓VGE負(fù)偏壓-VGE和門極電阻RG的大小，對IGBT的通態(tài)壓降、開關(guān)時(shí)間、開關(guān)損耗、承受短路能力以及dv/dt電流等參數(shù)有不同程度的影響。門極驅(qū)動(dòng)條...

反向電流反向電流是指二極管在常溫（25℃）和比較高反向電壓作用***過二極管的反向電流。反向電流越小，管子的單方向?qū)щ娦阅茉胶谩Ｖ档米⒁獾氖欠聪螂娏髋c溫度有著密切的關(guān)系，大約溫度每升高10℃，反向電流增大一倍。例如2AP1型鍺二極管，在25℃時(shí)反向電流若為25...

2、保護(hù)單臺(tái)長期工作的電機(jī)熔體電流可按比較大起動(dòng)電流選取，也可按下式選?。篒RN ≥ (1.5～2.5)IN式中IRN--熔體額定電流；IN--電動(dòng)機(jī)額定電流。如果電動(dòng)機(jī)頻繁起動(dòng)，式中系數(shù)可適當(dāng)加大至3～3.5，具體應(yīng)根據(jù)實(shí)際情況而定。3、保護(hù)多臺(tái)長期工作的電...

熔斷電流，指導(dǎo)線在熔斷時(shí)所能通過的比較大的電流。但隨著導(dǎo)線的電阻增大，其熔斷電流也將降低。熔斷電流：Fusing current 單位： mA，A等。在導(dǎo)線橫截面積一定的情況下，長度越長，電阻越大，其熔斷電流也就越小。在長度一定的情況下，導(dǎo)線橫截面積越大，其電...

通常為達(dá)到更好的驅(qū)動(dòng)效果，IGBT開通和關(guān)斷可以采取不同的驅(qū)動(dòng)速度，分別選取 Rgon和Rgoff（也稱 Rg+ 和 Rg- ）往往是很必要的。IGBT驅(qū)動(dòng)器有些是開通和關(guān)斷分別輸出控制，只要分別接上Rgon和Rgoff就可以了。有些驅(qū)動(dòng)器只有一個(gè)輸出端，這就...

圖7是雙向觸發(fā)二極管與雙向可控硅等元件構(gòu)成的臺(tái)燈調(diào)光電路。通過調(diào)節(jié)電位器R2，可以改變雙向可控硅的導(dǎo)通角，從而改變通過燈泡的電流（平均值）實(shí)現(xiàn)連續(xù)調(diào)光。如果將燈泡換電熨斗、電熱褥還可實(shí)現(xiàn)連續(xù)調(diào)溫。該電路在雙向可控硅加散熱器的情況下，可控負(fù)載功率可達(dá)500W，各...

安裝過程中，螺絲刀決不能對器件塑料體施加任何力量；和接頭片接觸的散熱器表面應(yīng)處理，保證平坦，10mm上允許偏差0.02mm；安裝力矩（帶墊圈）應(yīng)在0.55nm 和0.8nm 之間；應(yīng)避免使用自攻絲螺釘，因?yàn)閿D壓可能導(dǎo)致安裝孔周圍的隆起，影響器件和散熱器之間的熱...

4、法標(biāo)熔斷器法標(biāo)熔斷器具有循環(huán)性能強(qiáng)、體積小、構(gòu)造獨(dú)特等特點(diǎn)，適用于占用空間小的小型UPS、小型交流驅(qū)動(dòng)器以及其它小功率應(yīng)用。 [2]對于高電流保護(hù)區(qū)，所選熔斷器應(yīng)具備以下性能： ①容量大，通常在幾十到幾百A； ②能夠承受瞬間高電流、高脈沖； ③安全可靠性高...

可控硅有多種分類方法。（一）按關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式分類：可控硅按其關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式可分為普通可控硅、雙向可控硅、逆導(dǎo)可控硅、門極關(guān)斷可控硅（GTO）、BTG可控硅、溫控可控硅和光控可控硅等多種。TY300/TY301可控硅調(diào)壓單元（二）按引腳和極性分類：可...

四種觸發(fā)方式可控硅四種觸發(fā)方式可控硅四種觸發(fā)方式由于在雙向可控硅的主電極上，無論加以正向電壓或是反向電壓，也不管觸發(fā)信號(hào)是正向還是反向，它都能被觸發(fā)導(dǎo)通，因此它有以下四種觸發(fā)方式：(1)當(dāng)主電極T2對Tl所加的電壓為正向電壓，控制極G對***電極Tl所加的也是...

IGBT是先進(jìn)的第三代功率模塊，工作頻率1-20khz,主要應(yīng)用在變頻器的主回路逆變器及一切逆變電路，即dc/ac變換中。例電動(dòng)汽車、伺服控制器、UPS、開關(guān)電源、斬波電源、無軌電車等。問世迄今有十年多歷史，幾乎已替代一切其它功率器件，例SCR、GTO、GTR...

IGBT的觸發(fā)和關(guān)斷要求給其柵極和基極之間加上正向電壓和負(fù)向電壓，柵極電壓可由不同的驅(qū)動(dòng)電路產(chǎn)生。當(dāng)選擇這些驅(qū)動(dòng)電路時(shí)，必須基于以下的參數(shù)來進(jìn)行：器件關(guān)斷偏置的要求、柵極電荷的要求、耐固性要求和電源的情況。因?yàn)镮GBT柵極- 發(fā)射極阻抗大，故可使用MOSFET...

熔斷器的工作原則是一個(gè)簡單的I2R與時(shí)間的關(guān)系。電流越大，熔斷或開路時(shí)間越短。熔斷器的功耗與通過熔斷器的電流的平方成正比。當(dāng)功耗過高時(shí)，熔斷器熔斷。這個(gè)特性同樣適用于受熔斷器保護(hù)的線束。如果產(chǎn)生的熱量超過散發(fā)的熱量，熔斷器的溫度就會(huì)增加，當(dāng)溫度升到熔斷器的熔絲...

90年代中期，溝槽柵結(jié)構(gòu)又返回到一種新概念的IGBT，它是采用從大規(guī)模集成(LSI)工藝借鑒來的硅干法刻蝕技術(shù)實(shí)現(xiàn)的新刻蝕工藝，但仍然是穿通(PT)型芯片結(jié)構(gòu)。[4]在這種溝槽結(jié)構(gòu)中，實(shí)現(xiàn)了在通態(tài)電壓和關(guān)斷時(shí)間之間折衷的更重要的改進(jìn)。硅芯片的重直結(jié)構(gòu)也得到了急...

測量雙向觸發(fā)二極管的轉(zhuǎn)折電壓有三種方法（如圖3所示）：方法一1）將兆歐表的正極（E）和負(fù)極（L）分別接雙向觸發(fā)二極管的兩端，用兆歐表提供擊穿電壓，同時(shí)用萬用表的直流電壓檔測量出電壓值，將雙向觸發(fā)二極管的兩極對調(diào)后再測量一次。比較一下兩次測量的電壓值的偏差（一般...

自復(fù)熔斷器是可多次動(dòng)作使用的熔斷器，在日本稱為長久熔斷器。在分?jǐn)噙^載或短路電流后瞬間，熔體能自動(dòng)恢復(fù)到原狀。自復(fù)熔斷器是可多次動(dòng)作使用的熔斷器，在日本稱為長久熔斷器。在分?jǐn)噙^載或短路電流后瞬間，熔體能自動(dòng)恢復(fù)到原狀 [1]。外殼由奧氏體不銹鋼制成，外殼中心埋有...