IGBT是先進的第三代功率模塊，工作頻率1-20khz,主要應用在變頻器的主回路逆變器及一切逆變電路，即dc/ac變換中。例電動汽車、伺服控制器、UPS、開關電源、斬波電源、無軌電車等。問世迄今有十年多歷史，幾乎已替代一切其它功率器件，例SCR、GTO、GTR...

表1 IGBT門極驅動條件與器件特性的關系由于IGBT的開關特性和安全工作區(qū)隨著柵極驅動電路的變化而變化，因而驅動電路性能的好壞將直接影響IGBT能否正常工作。為使IGBT能可靠工作。IGBT對其驅動電路提出了以下要求。1)向IGBT提供適當?shù)恼驏艍?。并且?..

將萬用表撥在R×10KΩ擋，用黑表筆接IGBT 的漏極(D)，紅表筆接IGBT 的源極(S)，此時萬用表的指針指在無窮處。用手指同時觸及一下柵極(G)和漏極(D)，這時IGBT 被觸發(fā)導通，萬用表的指針擺向阻值 較小的方向，并能站住指示在某一位置。然后再用手指...

（五）按關斷速度分類：可控硅按其關斷速度可分為普通可控硅和高頻（快速）可控硅。（六）過零觸發(fā)-一般是調功，即當正弦交流電交流電電壓相位過零點觸發(fā)，必須是過零點才觸發(fā)，導通可控硅。（七）非過零觸發(fā)-無論交流電電壓在什么相位的時候都可觸發(fā)導通可控硅，常見的是移相觸...

移相方法移相方法就是二次側采用星、角聯(lián)結的兩個繞組，可以使整流電爐的脈波數(shù)提高一倍。10kv干式整流變壓器對于大功率整流設備，需要脈波數(shù)也較多，脈波數(shù)為18、24、36等應用的日益增多，這就必須在整流變壓器一次側設置移相繞組來進行移相。移相繞組與主繞組聯(lián)結方式...

保護裝置整流變壓器微機保護裝置是由高集成度、總線不出芯片單片機、高精度電流電壓互感器、高絕緣強度出口中間繼電器、高可靠開關電源模塊等部件組成。是用于測量、控制、保護、通訊為一體化的一種經濟型保護。整流變壓器微機保護裝置的優(yōu)點1、可以滿足庫存配制有二十幾種保護，...

功率半導體模塊就是按一定功能、模式的組合體，功率半導體模塊是大功率電子電力器件按一定的功能組合再灌封成一體。功率半導體模塊可根據封裝的元器件的不同實現(xiàn)不同功能，功率半導體模塊配用風冷散熱可作風冷模塊，配用水冷散熱可作水冷模塊等。功率半導體器件以功率金屬氧化物半...

當運行點到達控制范圍的**右端，節(jié)點電壓進一步升高后將不能由控制系統(tǒng)來補償，因為TCR的電抗器已經處于完全導通狀態(tài)，所以運行點將沿著對應電抗器全導通(α=90°)的特性曲線向上移動，此時補償器運行在過負荷范圍，超過此范圍后，觸發(fā)控制將設置～個電流極限以防止晶閘...

整流二極管一般為平面型硅二極管，用于各種電源整流電路中。選用整流二極管時，主要應考慮其比較大整流電流、比較大反向工作電流、截止頻率及反向恢復時間等參數(shù)。普通串聯(lián)穩(wěn)壓電源電路中使用的整流二極管，對截止頻率的反向恢復時間要求不高，只要根據電路的要求選擇比較大整流電...

結構特點（1）鐵芯：采用30Q130高導磁硅鋼片，同時采用選進的3～6級step-lap core stacking步進多級疊片方式，有較降低了空載損耗、空載電流和噪聲。（2）繞組：電磁線采用了高導電率的無氧銅導線，繞組采用園筒式、雙餅式和新型螺旋式等結構的整...

1979年，MOS柵功率開關器件作為IGBT概念的先驅即已被介紹到世間。這種器件表現(xiàn)為一個類晶閘管的結構(P-N-P-N四層組成)，其特點是通過強堿濕法刻蝕工藝形成了V形槽柵。80年代初期，用于功率MOSFET制造技術的DMOS(雙擴散形成的金屬-氧化物-半導...

建筑與家用電器：在建筑照明系統(tǒng)中，晶閘管模塊通過智能模塊精確控制燈光亮度，可以實現(xiàn)節(jié)能環(huán)保的效果。同時，在空調、洗衣機、微波爐等家電中，晶閘管模塊用于實現(xiàn)準確的溫控和能耗管理，提高了設備的使用壽命和可靠性。醫(yī)療設備：晶閘管模塊用于控制X射線機、CT掃描儀等設備...

由此可見,交流電壓通過二極管的整流作用所得到的直流電壓ud是脈動的。一般負載需要供給平滑的直流電壓，因此在整流元件與負載之間常接有濾波器。濾波器對整流電流的直流分量無扼流作用，而對交流分量的感抗很大。這樣，就能在負載上得到平直的直流電壓Ud，其數(shù)值等于脈動電壓...

測量方法鑒別可控硅三個極的方法很簡單，根據P-N結的原理，只要用萬用表測量一下三個極之間的電阻值就可以。陽極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上，陽極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上（它們之間有兩個P-N結，而且方向相反，因此陽極和控制極正反向都...

4、 觸發(fā)電壓VGT 在規(guī)定的環(huán)境溫度下，陽極---陰極間加有一定電壓時，可控硅從關斷狀態(tài)轉為導通狀態(tài)所需要的**小控制極電流和電壓。5、 維持電流IH 在規(guī)定溫度下，控制極斷路，維持可控硅導通所必需的**小陽極正向電流。許多新型可控硅元件相繼問世，如適于高頻...

這在高溫下尤為嚴重，在這種情況下可以在MT1和MT2間加一個RC緩沖電路來限制VD/DT，或可采用高速可控硅(晶閘管)。5、關于連續(xù)峰值開路電壓VDRM在電源不正常的情況下，可控硅(晶閘管)兩端的電壓會超過連續(xù)峰值開路電壓VDRM的最大值，此時可控硅(晶閘管)...

1：小功率塑封雙向可控硅通常用作聲光控燈光系統(tǒng)。額定電流：IA小于2A。2：大；**率塑封和鐵封可控硅通常用作功率型可控調壓電路。像可調壓輸出直流電源等等。3：大功率高頻可控硅通常用作工業(yè)中；高頻熔煉爐等。可控硅從外形上分主要有螺旋式、平板式和平底式三種，螺旋...

二者比較單向可控硅和雙向可控硅，都是三個電極。單向可控硅有陰極（K）、陽極（A）、控制極（G）。雙向可控硅等效于兩只單項可控硅反向并聯(lián)而成。即其中一只單向硅陽極與另一只陰極相關連，其引出端稱T1極，其中一只單向硅陰極與另一只陽極相連，其引出端稱T2極，剩下則為...

其特點是：超前橋臂實現(xiàn)零電壓開通，原理不變；滯后橋臂實現(xiàn)零電流關斷，開關管兩端不再并聯(lián)電容，以避免開通時電容釋放的能量加大開通損耗。在此對移相全橋 ZVZCS PWM 變換器的基本原理做一簡要介紹。 [5]圖4 工作波形基本移相全橋 ZVZCS 電路及主要工作...

確定IGBT 的門極電荷對于設計一個驅動器來說，**重要的參數(shù)是門極電荷QG(門極電壓差時的IGBT 門極總電荷)，如果在IGBT 數(shù)據手冊中能夠找到這個參數(shù)，那么我們就可以運用公式計算出：門極驅動能量 E = QG · UGE = QG · [ VG(on)...

由于整流變繞組電流是非正弦的含有很多高次諧波，為了減小對電網的諧波污染，為了提高功率因數(shù)，必須提高整流設備的脈波數(shù)，這可以通過移相的方法來解決。移相的目的是使整流變壓器二次繞組的同名端線電壓之間有一個相位移。整流變壓器***用于各類行業(yè)之中，主要分為照明、機床...

IGBT的開關作用是通過加正向柵極電壓形成溝道，給PNP 晶體管提供基極電流，使IGBT 導通。反之，加反向門極電壓消除溝道，切斷基極電流，使IGBT 關斷。IGBT 的驅動方法和MOSFET 基本相同，只需控制輸入極N一溝道MOSFET ，所以具有高輸入阻抗...

KP型晶閘管（phase control thyristor），又叫普通晶閘管，是用于可控整流的設備。定義：應用PNPN四層半導體結構和三極（陰極，陽極，門極）實現(xiàn)可控整流功能。晶閘管T在工作過程中，它的陽極（A）和陰極（K）與電源和負載連接，組成晶閘管的主電...

（2）最高反向工作電壓VR：指二極管兩端允許施加的最大反向電壓。若大于此值，則反向電流(IR)劇增，二極管的單向導電性被破壞，從而引起反向擊穿。通常取反向擊穿電壓(VB)的一半作為(VR)。例如1N4001的VR為50V，1N4002-1n4006分別為100...

IGBT 的伏安特性是指以柵源電壓Ugs 為參變量時，漏極電流與柵極電壓之間的關系曲線。輸出漏極電流比受柵源電壓Ugs 的控制，Ugs 越高， Id 越大。它與GTR 的輸出特性相似．也可分為飽和區(qū)1 、放大區(qū)2 和擊穿特性3 部分。在截止狀態(tài)下的IGBT ，...

右圖給出三相橋式不控整流電路示意圖，變壓器一次側繞組為三角形連接，二次側繞組為星形連接。六個整流二極管按其導通順序排列，VD1、VD3、VD5三個二極管構成共陰極三相半波整流，VD2、VD4、VD6三個二極管構成共陽極三相半波整流，電感L和電阻R串聯(lián)成阻感負載...

“雙向可控硅”：是在普通可控硅的基礎上發(fā)展而成的，它不僅能代替兩只反極性并聯(lián)的可控硅，而且*需一個觸發(fā)電路，是比較理想的交流開關器件。其英文名稱TRIAC即三端雙向交流開關之意。雙向可控硅為什么稱為“TRIAC”?三端：TRIode(取**個字母)交流半導體開...

晶閘管整流器是一種整流器，拖動裝置的直流電源是利用晶閘管整流器的直流電壓向提升電動機供電。這種拖動裝置的直流電源是利用晶閘管整流器的直流電壓向提升電動機供電，所以又稱。電動機的電樞和磁場均可由晶閘管整流器供電，因為該整流器的直流電壓可通過觸發(fā)延遲角均勻調節(jié)，電...

1、智能功率模塊（ipms） 智能功率模塊的特點在于除了功率半導體器件外，還有驅動電路。許多ipm模塊也配備了溫度傳感器和電流平衡電路或用于電流測量的分流電阻。通常智能功率模塊也集成了額外保護和監(jiān)測功能，如過電流和短路保護，驅動器電源電壓控制和直流母線電壓測...

這個實驗告訴我們，要使晶閘管導通，一是在它的陽極A與陰極K之間外加正向電壓，二是在它的控制極G與陰極K之間輸入一個正向觸發(fā)電壓。晶閘管導通后，松開按鈕開關，去掉觸發(fā)電壓，仍然維持導通狀態(tài)。晶閘管特點“一觸即發(fā)”。但是，如果陽極或控制極外加的是反向電壓，晶閘管就...