輻射雜散快速測(cè)試系統(tǒng)— TS13整體介紹：輻射雜散性能是帶有無(wú)線(xiàn)射頻功能的電子產(chǎn)品的關(guān)鍵性能指標(biāo)，并且，影響輻射雜散性能的因素特別復(fù)雜，在產(chǎn)品設(shè)計(jì)和生產(chǎn)階段都需要保證輻射雜散方案性能的可靠性和一致性。標(biāo)準(zhǔn)全電波暗室測(cè)試方案成本高，測(cè)試時(shí)間長(zhǎng)，不能滿(mǎn)足研發(fā)階段的快速分析測(cè)試及生產(chǎn)階段的批量一致性抽檢。輻射雜散快速測(cè)試系統(tǒng)，采用多天線(xiàn)、多角度快速切換測(cè)試，既保證了測(cè)試結(jié)果的準(zhǔn)確性，又縮短了測(cè)試時(shí)間，提升了測(cè)試效率，并且在性能分析時(shí)可以快速定位雜散信號(hào)的方向。系統(tǒng)占用空間小，可便捷移動(dòng)，可用于產(chǎn)品研發(fā)階段輻射雜散問(wèn)題分析及生產(chǎn)階段的批量抽檢。在高速PCB及系統(tǒng)設(shè)計(jì)中，高頻信號(hào)線(xiàn)、集成電路的引腳、各類(lèi)接插件等都可能成為具有天線(xiàn)特性的輻射干擾源。重慶 自動(dòng)化無(wú)線(xiàn)性能優(yōu)勢(shì)
無(wú)線(xiàn)產(chǎn)品在復(fù)雜電磁環(huán)境下的EMC評(píng)估方案——無(wú)線(xiàn)穿戴產(chǎn)品可能在機(jī)場(chǎng)、地鐵、高鐵、商場(chǎng)、集市、居民區(qū)、工業(yè)區(qū)等多個(gè)場(chǎng)景下受電磁干擾會(huì)影響數(shù)據(jù)傳輸?shù)姆€(wěn)定性，產(chǎn)生卡頓、遲延、斷連等問(wèn)題，影響用戶(hù)的體驗(yàn)感。在電磁干擾環(huán)境現(xiàn)場(chǎng)進(jìn)行測(cè)試受多方條件制約變得非常困難，通過(guò)將現(xiàn)場(chǎng)環(huán)境引入實(shí)驗(yàn)室環(huán)境進(jìn)行無(wú)線(xiàn)性能測(cè)試，仿真復(fù)現(xiàn)問(wèn)題，該系統(tǒng)方案可輕松適應(yīng)客戶(hù)要求?！鲱l率范圍：高達(dá)6GHz，500MHz帶寬；■支持小型化或標(biāo)準(zhǔn)電波暗室環(huán)境；■在實(shí)驗(yàn)室環(huán)境下模擬信號(hào)：典型、標(biāo)準(zhǔn)、復(fù)雜場(chǎng)景；■高精細(xì)電磁干擾發(fā)射強(qiáng)度控制及信號(hào)還原；■監(jiān)控方式：吞吐量、丟包率、時(shí)延、速率、音頻、靈敏度等。重慶 自動(dòng)化無(wú)線(xiàn)性能優(yōu)勢(shì)在衍射光學(xué)中，近場(chǎng)定義如下：當(dāng)入射光波是平面波，經(jīng)過(guò)透鏡會(huì)聚后。
EMI分析整改中有效降低電路EMI的技巧：當(dāng)存在一個(gè)磁場(chǎng)時(shí)，一個(gè)由導(dǎo)電材料形成的環(huán)路充當(dāng)了天線(xiàn)，并且把磁場(chǎng)轉(zhuǎn)換為圍繞環(huán)路流動(dòng)的電流。電流的強(qiáng)度與閉合環(huán)路的面積成正比。較小面積環(huán)路中通過(guò)的磁通量也少，感應(yīng)出的電流也較小，因此環(huán)路面積必須小。保持訊號(hào)路徑和它的地返回線(xiàn)緊靠在一起將有助于小化地線(xiàn)環(huán)路，避免出現(xiàn)潛在的天線(xiàn)環(huán)。每根訊號(hào)好能做到與地的回流路徑短，回路面積越小，訊號(hào)的抗干擾能力越強(qiáng)，對(duì)外的EMI也達(dá)小。例如時(shí)脈訊號(hào)、高頻訊號(hào)等，在PCB設(shè)計(jì)時(shí)進(jìn)行包地處理，并打些地孔，可有效降低EMI。EMI分析整改時(shí)不同的電源有不同的要求。真正的實(shí)際應(yīng)用中還有很多限制的，確實(shí)如此，板框?qū)е虏季值南拗?，空間的限制，EMI線(xiàn)路放不下，比如可控硅調(diào)光電源X電容不能太大，加太大了，燈會(huì)閃爍。有時(shí)電源不能加Y電容等。
EMC、RF診斷分析系統(tǒng)：用較少的資金達(dá)到我們想要的目標(biāo)，研發(fā)實(shí)驗(yàn)室能力整體規(guī)劃步驟如下：1.確定研發(fā)產(chǎn)品類(lèi)型，了解產(chǎn)品電氣參數(shù)及所需的測(cè)試項(xiàng)目；2.選擇合適的診斷分析方法；3.選擇診斷分析工具的類(lèi)型、儀器設(shè)備、測(cè)試環(huán)境以及對(duì)策器件4.實(shí)驗(yàn)室日常運(yùn)營(yíng)及資料庫(kù)建立；診斷分析系統(tǒng)具有如下優(yōu)勢(shì)：1.適用于EMC、RF問(wèn)題診斷分析、更換物料、風(fēng)險(xiǎn)評(píng)估、降成本方案驗(yàn)證；2.投入產(chǎn)出比高；3.數(shù)據(jù)可視化、定位精細(xì)、分析診斷問(wèn)題效率高；4.診斷分析系統(tǒng)與標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試系統(tǒng)互補(bǔ)，更適合產(chǎn)品研發(fā)；5.操作簡(jiǎn)單，降低人員技術(shù)門(mén)檻。輻射近場(chǎng)測(cè)量需要解決的問(wèn)題有哪些？
從90年代末至今，近場(chǎng)微波成像已經(jīng)引起了學(xué)者們的濃厚興趣，但由于常規(guī)目標(biāo)散射近場(chǎng)的復(fù)雜性，致使近場(chǎng)微波成像遠(yuǎn)遠(yuǎn)滯后于遠(yuǎn)場(chǎng)成像。近場(chǎng)微波成像中，著眼于潛在的應(yīng)用，目標(biāo)函數(shù)既可以是理想導(dǎo)體目標(biāo)的輪廓函數(shù)，也可以是目標(biāo)介電常數(shù)的分布函數(shù)。從照射天線(xiàn)與成像目標(biāo)的相對(duì)運(yùn)動(dòng)方式來(lái)看，近場(chǎng)微波成像有兩種模式：即直線(xiàn)掃描模式和轉(zhuǎn)臺(tái)模式，研究方法可分為電磁逆散射法和球背向投影法（SphericalBackProjection，簡(jiǎn)寫(xiě)為SBP）。其中電磁逆散射法散射機(jī)理清晰，但數(shù)學(xué)公式復(fù)雜且有很大的局限性，因而，實(shí)際中使用較少；而球背向投影法在實(shí)際中使用較多。利用球背向投影法在直線(xiàn)掃描模式和轉(zhuǎn)臺(tái)模式情況下的目標(biāo)函數(shù)解析公式已經(jīng)給出。車(chē)載導(dǎo)航產(chǎn)品的輻射干擾包含寬帶干擾和窄帶干擾。重慶 自動(dòng)化無(wú)線(xiàn)性能優(yōu)勢(shì)
電磁波不需要依靠介質(zhì)傳播，各種電磁波在真空中速率固定，速度為光速。重慶 自動(dòng)化無(wú)線(xiàn)性能優(yōu)勢(shì)
EMI認(rèn)證機(jī)構(gòu)通常按照EMI標(biāo)準(zhǔn)的準(zhǔn)峰值檢波進(jìn)行測(cè)試，而EMI診斷中往往用峰值檢波，兩者不匹配，EMI診斷是否還有意義？由于EMI診斷的目的是為了找出EMI的根源，并不需要一定精確的測(cè)試，而是需要相對(duì)的重復(fù)性好的測(cè)試。準(zhǔn)峰值檢波用來(lái)檢測(cè)信號(hào)包絡(luò)加權(quán)后的峰值(準(zhǔn)峰值)，它根據(jù)時(shí)長(zhǎng)和重復(fù)率對(duì)信號(hào)加權(quán)。準(zhǔn)峰值檢波的平均過(guò)程需耗費(fèi)時(shí)間，測(cè)試時(shí)間長(zhǎng)，不利于日常診斷。由于準(zhǔn)峰值檢波測(cè)試幅度結(jié)果永遠(yuǎn)小于或等于峰值檢波的測(cè)試結(jié)果，因此在進(jìn)行EMI診斷時(shí)，用峰值檢波可以快速發(fā)現(xiàn)EMI問(wèn)題。電源是EMI干擾噪聲的主要來(lái)源，示波器的電源諧波分析在這類(lèi)排查工作中很有潛力。重慶 自動(dòng)化無(wú)線(xiàn)性能優(yōu)勢(shì)
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