浙江POLOSBEAM光刻機基材厚度可達(dá)到0.1毫米至8毫米

某生物物理實驗室利用 Polos 光刻機開發(fā)了基于壓阻效應(yīng)的細(xì)胞力傳感器。其激光直寫技術(shù)在硅基底上制造出 5μm 厚的懸臂梁結(jié)構(gòu)，傳感器的力分辨率達(dá) 10pN，較傳統(tǒng) AFM 提升 10 倍。通過在懸臂梁表面刻制 100nm 的微柱陣列，實現(xiàn)了單個心肌細(xì)胞收縮力的實時監(jiān)測，力信號信噪比提升 60%。該傳感器被用于心臟纖維化機制研究，成功捕捉到心肌細(xì)胞在病理狀態(tài)下的力學(xué)變化，相關(guān)數(shù)據(jù)為心肌修復(fù)藥物開發(fā)提供了關(guān)鍵依據(jù)。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設(shè)計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學(xué)研究實驗室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。Polos-BESM 光刻機：無掩模激光直寫，50nm 精度，支持金屬 / 聚合物同步加工，適配第三代半導(dǎo)體器件研發(fā)。浙江POLOSBEAM光刻機基材厚度可達(dá)到0.1毫米至8毫米

Polos系列通過無掩模技術(shù)減少化學(xué)廢料產(chǎn)生，同時低能耗設(shè)計（如固態(tài)激光光源）符合綠色實驗室標(biāo)準(zhǔn)。例如，其光源系統(tǒng)較傳統(tǒng)DUV光刻機能耗降低30%，助力科研機構(gòu)實現(xiàn)碳中和目標(biāo)。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設(shè)計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學(xué)研究實驗室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。上海POLOSBEAM-XL光刻機MAX層厚可達(dá)到10微米固態(tài)電池：鋰金屬界面阻抗降至 50Ω?cm2，電池循環(huán)壽命提升 3 倍。

在微流體領(lǐng)域，Polos系列光刻機通過無掩模技術(shù)實現(xiàn)了復(fù)雜3D流道結(jié)構(gòu)的快速成型。例如，中科院理化所利用類似技術(shù)制備跨尺度微盤陣列，研究細(xì)胞球浸潤行為，為組織工程提供了新型生物界面設(shè)計策略10。Polos設(shè)備的精度與靈活性可支持此類仿生結(jié)構(gòu)的批量生產(chǎn)，推動醫(yī)療診斷芯片的研發(fā)。無掩模光刻技術(shù)可以隨意進(jìn)行納米級圖案化，無需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒有任何妥協(xié)的情況下，將該技術(shù)帶到了桌面上，進(jìn)一步提升了其優(yōu)勢。

Polos-BESM XL Mk2專為6英寸晶圓設(shè)計，寫入?yún)^(qū)域達(dá)155×155 mm，平臺雙向重復(fù)性精度0.1 μm，滿足工業(yè)級需求。其搭載20x/0.75 NA尼康物鏡和120 FPS高清攝像頭，支持實時觀測與多層對準(zhǔn)。配套的BEAM Xplorer軟件簡化了復(fù)雜圖案設(shè)計流程，內(nèi)置高性能筆記本電腦實現(xiàn)快速數(shù)據(jù)處理，成為微機電系統(tǒng)（MEMS）和光子晶體研究的理想工具。無掩模光刻技術(shù)可以隨意進(jìn)行納米級圖案化，無需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒有任何妥協(xié)的情況下，將該技術(shù)帶到了桌面上，進(jìn)一步提升了其優(yōu)勢。材料科學(xué)：超疏水表面納米圖案化，接觸角 165°，防腐蝕性能增強 10 倍。

某集成電路實驗室利用 Polos 光刻機開發(fā)了基于相變材料的存算一體芯片。其激光直寫技術(shù)在二氧化硅基底上實現(xiàn)了 100nm 間距的電極陣列，器件的讀寫速度達(dá) 10ns，較傳統(tǒng) SRAM 提升 100 倍。通過在電極間集成 20nm 厚的 Ge2Sb2Te5 相變材料，芯片實現(xiàn)了計算與存儲的原位融合，能效比達(dá) 1TOPS/W，較傳統(tǒng)馮?諾依曼架構(gòu)提升 1000 倍。該技術(shù)被用于邊緣計算設(shè)備，使圖像識別延遲從 50ms 縮短至 5ms，相關(guān)芯片已進(jìn)入小批量試產(chǎn)階段。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設(shè)計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學(xué)研究實驗室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。POLOS μ 光刻機：微型化機身，納米級曝光精度，微流體芯片制備周期縮短 40%。上海POLOSBEAM-XL光刻機MAX層厚可達(dá)到10微米

跨學(xué)科應(yīng)用：覆蓋微機械、光子晶體、仿生傳感器與納米材料合成領(lǐng)域。浙江POLOSBEAM光刻機基材厚度可達(dá)到0.1毫米至8毫米

石墨烯、二硫化鉬等二維材料的器件制備依賴高精度圖案轉(zhuǎn)移，Polos 光刻機的激光直寫技術(shù)避免了傳統(tǒng)濕法轉(zhuǎn)移的污染問題。某納米電子實驗室在 SiO?基底上直接曝光出 10nm 間隔的電極陣列，成功制備出石墨烯場效應(yīng)晶體管，其電子遷移率達(dá) 2×10? cm2/(V?s)，接近理論極限。該技術(shù)支持快速構(gòu)建多種二維材料異質(zhì)結(jié)，使器件研發(fā)效率提升 5 倍，相關(guān)成果推動二維材料在柔性電子、量子計算領(lǐng)域的應(yīng)用研究進(jìn)入快車道。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設(shè)計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學(xué)研究實驗室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。浙江POLOSBEAM光刻機基材厚度可達(dá)到0.1毫米至8毫米