青島激光光刻膠國產(chǎn)廠家

來源： 發(fā)布時間：2025-05-03

廣東吉田半導(dǎo)體材料有限公司多種光刻膠產(chǎn)品，主要涵蓋厚板、負性、正性、納米壓印及光刻膠等類別，以滿足不同領(lǐng)域的需求。

UV 納米壓印光刻膠：JT-2000 型號，耐強酸強堿，耐高溫達 250°C，長期可靠性高，粘接強度高，重量 100g。適用于需要在特殊化學(xué)和高溫環(huán)境下進行納米壓印光刻的工藝，如半導(dǎo)體器件制造。

其他光刻膠

  • 水油光刻膠 JT-2001：屬于水油兩用光刻膠，具有工廠研發(fā)、可定制、使用、品質(zhì)保障、性能穩(wěn)定的特點，重量 1L。
  • 水油光刻膠 SR-3308：同樣為水油兩用光刻膠，重量 5L，具備上述通用優(yōu)勢，應(yīng)用場景。


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制版光刻膠應(yīng)用場景：印刷電路板（FPC）、觸摸屏（TP）的掩膜版制作，以及光學(xué)元件（如衍射光柵）的微納加工。特點：高分辨率與耐化學(xué)性，確保模板的長期使用壽命。

水性光刻膠（JT-1200）應(yīng)用場景：環(huán)保要求高的電子元件（如醫(yī)療設(shè)備、汽車電子）的制造，以及柔性電路的生產(chǎn)。特點：以水為溶劑，低 VOC 排放，符合 RoHS 和 REACH 環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)。

水油兩用光刻膠（JT-2001/SR-3308）適用于混合工藝場景（如部分環(huán)節(jié)需水性顯影，部分需溶劑顯影），提升生產(chǎn)靈活性。 常州正性光刻膠生產(chǎn)廠家聚焦封裝需求，吉田公司提供從光刻膠到配套材料的一站式服務(wù)。

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光刻膠的主要應(yīng)用領(lǐng)域

光刻膠是微電子制造的主要材料，廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：

 半導(dǎo)體制造

? 功能：在晶圓表面形成微細電路圖案，作為蝕刻或離子注入的掩膜。

? 分類：

? 正性光刻膠：曝光區(qū)域溶解于顯影液，形成與掩膜版一致的圖案（主流，分辨率高）。

? 負性光刻膠：未曝光區(qū)域溶解，形成反向圖案（用于早期工藝，耐蝕刻性強）。

? 技術(shù)演進：隨制程精度提升，需匹配不同曝光波長（紫外UV、深紫外DUV、極紫外EUV），例如EUV光刻膠用于7nm以下制程。

 平板顯示（LCD/OLED）

? 彩色濾光片（CF）：在玻璃基板上制作紅/綠/藍像素單元，光刻膠用于圖案化黑矩陣（BM）、彩色層（R/G/B）和保護層。

? 電極圖案：制作TFT-LCD的電極線路或OLED的陰極/陽極，需高透光率和精細邊緣控制。

 印刷電路板（PCB）

? 線路蝕刻：在覆銅板上涂膠，曝光顯影后保留線路區(qū)域，蝕刻去除未保護的銅箔，形成導(dǎo)電線路。

? 阻焊與字符層：阻焊膠覆蓋非線路區(qū)域，防止短路；字符膠用于印刷電路板標(biāo)識。

 LED與功率器件

? 芯片制造：在藍寶石/硅基板上制作電極和量子阱結(jié)構(gòu)，需耐高功率環(huán)境的耐高溫光刻膠。

? Micro-LED：微米級芯片轉(zhuǎn)移和陣列化，依賴超高分辨率光刻膠（分辨率≤5μm）。

納米電子器件制造

? 半導(dǎo)體芯片：在22nm以下制程中，EUV光刻膠（分辨率≤10nm）用于制備晶體管柵極、納米導(dǎo)線等關(guān)鍵結(jié)構(gòu)，實現(xiàn)芯片集成度提升（如3nm制程的FinFET/GAA晶體管）。

? 二維材料器件：在石墨烯、二硫化鉬等二維材料表面，通過電子束光刻膠定義納米電極陣列，構(gòu)建單原子層晶體管或傳感器。

 納米光子學(xué)與超材料

? 光子晶體與波導(dǎo)：利用光刻膠制備亞波長周期結(jié)構(gòu)（如光子晶體光纖、納米級波導(dǎo)彎頭），調(diào)控光的傳播路徑，用于集成光路或量子光學(xué)器件。

? 超材料設(shè)計：在金屬/介質(zhì)基底上刻蝕納米級“魚網(wǎng)狀”“蝴蝶結(jié)”等圖案（如太赫茲超材料），實現(xiàn)對電磁波的超常調(diào)控（吸收、偏振轉(zhuǎn)換）。
吉田半導(dǎo)體實現(xiàn)光刻膠技術(shù)突破，為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈自主化提供材料支撐。

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主要優(yōu)勢：細分領(lǐng)域技術(shù)突破與產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同

 技術(shù)積累與自主化能力
公司擁有23年光刻膠研發(fā)經(jīng)驗，實現(xiàn)了從樹脂合成、光引發(fā)劑制備到配方優(yōu)化的全流程自主化。例如，其納米壓印光刻膠通過自主開發(fā)的樹脂體系，分辨率達3μm，適用于MEMS傳感器、光學(xué)器件等領(lǐng)域，填補了國內(nèi)空白。
技術(shù)壁壘：掌握光刻膠主要原材料（如樹脂、光酸）的合成技術(shù)，部分原材料純度達PPT級，金屬離子含量低于0.1ppb，良率超99%。

 產(chǎn)品多元化與技術(shù)化布局
產(chǎn)品線覆蓋芯片光刻膠、納米壓印光刻膠、LCD光刻膠、半導(dǎo)體錫膏等，形成“光刻膠+配套材料”的完整體系。例如：

? LCD光刻膠：適配AMOLED、Micro LED等新型顯示技術(shù)，與京東方、TCL華星合作開發(fā)高分辨率產(chǎn)品，良率提升至98%。

? 半導(dǎo)體錫膏：供應(yīng)華為、OPPO等企業(yè)，年采購量超200噸，用于5G手機主板封裝。
技術(shù)化延伸：計劃2025年啟動半導(dǎo)體用KrF光刻膠研發(fā)，目標(biāo)進入中芯國際、長江存儲供應(yīng)鏈。

 質(zhì)量控制與生產(chǎn)能力
通過ISO9001:2008質(zhì)量體系認證，生產(chǎn)環(huán)境執(zhí)行8S管理，原材料采用美、德、日進口高質(zhì)量材料。擁有全自動化生產(chǎn)線，年產(chǎn)能達2000噸（光刻膠及配套材料），支持大規(guī)模訂單交付。

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 全品類覆蓋與定制化能力
吉田半導(dǎo)體的光刻膠產(chǎn)品覆蓋芯片光刻膠、納米壓印光刻膠、LCD光刻膠等全品類，適用于半導(dǎo)體、顯示面板、MEMS等多個領(lǐng)域。例如，其LCD正性光刻膠YK-200和水油光刻膠JT-2001可滿足0.45μm及以上線寬需求，支持客戶定制化工藝參數(shù)，尤其在柔性顯示（OLED）和Mini/Micro LED等新興領(lǐng)域表現(xiàn)突出。
技術(shù)亮點：通過自主研發(fā)的樹脂配方和光敏劑體系，實現(xiàn)了高分辨率（120nm）和高抗蝕性的平衡，部分指標(biāo)（如線寬粗糙度LWR<3nm）接近國際主流產(chǎn)品水平。

 國產(chǎn)化材料與工藝適配
公司采用進口原材料+本地化生產(chǎn)模式，關(guān)鍵樹脂單體、光敏劑等主要成分通過德國默克、日本信越等供應(yīng)商采購，同時建立了超純提純工藝（雜質(zhì)含量<1ppm），確保產(chǎn)品穩(wěn)定性。此外，其光刻膠與國內(nèi)主流光刻機（如上海微電子SSA800）、勻膠顯影機（如盛美上海）的兼容性已通過驗證，縮短客戶工藝調(diào)試周期。
青島激光光刻膠國產(chǎn)廠家

標(biāo)簽： 光刻膠 錫片