電動汽車的電動機(jī)是有源負(fù)載，其轉(zhuǎn)速范圍很寬，且在行駛過程中需要頻繁地加速和減速，工作條件比一般的調(diào)速系統(tǒng)要復(fù)雜，因此，其驅(qū)動系統(tǒng)是決定電動汽車性能的關(guān)鍵所在。隨著電動汽車的發(fā)展，對電力電子功率驅(qū)動系統(tǒng)提出了更高的要求，即更輕、更緊湊、更高效、更可靠。常用的半導(dǎo)體材料，尤其是各種電子產(chǎn)品中的處理器、存儲器等芯片，通常都是基于硅晶體(單晶硅或多晶硅)制造出來的。而實際上還有一類半導(dǎo)體是基于化合物晶體制造的，SiC(碳化硅)半導(dǎo)體就是其中之一。碳化硅在高于2000 °C高溫下形成，具有六角晶系結(jié)晶構(gòu)造（似纖維鋅礦）。崇明區(qū)碳化硅制造商哪家好 碳化硅至少有70種結(jié)晶型態(tài)。α-碳化硅為較常見的一種同質(zhì)...

從出口的123家出口企業(yè)分析，出口數(shù)量在2000噸以上的企業(yè)有29家，這29家出口量之和為11.77萬噸，占出口總量的71.4%；這29家主營企業(yè)除2家出口價格有所上升外，其他均有大幅下滑，單價降幅較高的達(dá)73.6%；出口數(shù)量在1000-2000噸位之間的企業(yè)有12家，出口量之和為1.6萬噸，占比為9.79%；另有32家企業(yè)出口數(shù)量在100噸以下，32家出口量之和只占出口總量的0.27%。中國產(chǎn)地：長白山脈、河南、河北石家莊靈壽縣、青海、甘肅、寧夏、新疆、四川、哈爾濱、湖南、貴州、湖北丹江口等地。 一直沿用至今，以碳質(zhì)材料為爐芯體的電阻爐，通電加熱石英SiO2和碳的混合物生成碳化硅。黃浦區(qū)碳...

碳化硅MOSFET和碳化硅二極管用于太陽能，UPS，工業(yè)，汽車等應(yīng)用：主要集中在光伏儲能中的逆變器，數(shù)據(jù)中心服務(wù)器的UPS電源，智能電網(wǎng)充電站等需要轉(zhuǎn)換效率較高的領(lǐng)域。但是隨著近些年電動和混合動力汽車（xEV）的發(fā)展，SiC也在這個新領(lǐng)域迅速崛起，輻射的產(chǎn)業(yè)包括能源（PV，EV充電，智能電網(wǎng)等）、汽車（OBC,逆變器）、基礎(chǔ)設(shè)施（服務(wù)器）等。與常規(guī)硅相比，WBG材料具有相對較寬的能帶隙（在價帶和導(dǎo)帶之間）。碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）是當(dāng)今使用較普遍的WBG材料。表1顯示了WBG和Si基材料的主要特性。 碳化硅以特殊工藝制取的黃綠色晶體，用以制作的磨具適于軸承的超精加工。松江區(qū)碳化硅哪...

中國碳化硅出口市場以亞洲和北美洲為主，出口份額分別占到全球出口份額的70.25%和23.76%，共出口到59個國別和地區(qū)，比2011年增加了6個。出口數(shù)量在千噸以上的國別和地區(qū)依次為日本、美國、韓國、、泰國、新加坡、印度、土耳其、墨西哥和德國，這10個國家和地區(qū)的合計出口數(shù)量為15.26萬噸，占出口總量的92.64%。其中位列前四名的國別和地區(qū)出口數(shù)量占比分別為30.55%、23.25%、15.5%和13.63%，四個國別和地區(qū)的出口量之和占出口總量的82.93%。除韓國出口數(shù)量同比增長85.5%外，土耳其和德國的數(shù)量同比增長引人注目，但主銷國別和地區(qū)數(shù)量同比還是有較大程度下滑，其中對日本和...

碳化硅單晶的制備一直是全球性難題，而高穩(wěn)定性的晶體生長工藝則是其中較重要的技術(shù)。之前，這項技術(shù)只掌握在美國人手里，且長期對我國技術(shù)封鎖。過去，我國的半導(dǎo)體材料長期依賴國外進(jìn)口，由此帶來的問題就是半導(dǎo)體材料價格昂貴、渠道不穩(wěn)，隨時都可能面對禁運的風(fēng)險，而且產(chǎn)品的質(zhì)量也難以得到有效保證，國人備受半導(dǎo)體材料和重要技術(shù) “卡脖子”之痛。碳化硅晶體的生長條件十分嚴(yán)苛，不只需要經(jīng)歷高溫還需要壓力精確控制的生長環(huán)境，同時這些晶體的生長速度很緩慢，生長質(zhì)量也不易控制。在生長的過程中即便只出現(xiàn)一絲肉眼無法察覺的管洞，也可能影響這個晶體的生長質(zhì)量。碳化硅晶體的生長過程就如同“蒙眼繡花”一樣，因為溫度太高，難以進(jìn)...

與傳統(tǒng)硅基器件相比，SiC的擊穿場強是傳統(tǒng)硅基器件的10倍，導(dǎo)熱系數(shù)是傳統(tǒng)硅基器件的3倍，非常適合于高壓應(yīng)用，如電源、太陽能逆變器、火車和風(fēng)力渦輪機(jī)。另外，SiC還用于制造LED。碳化硅材料各項指標(biāo)均優(yōu)于硅，其禁帶寬度幾乎是硅的3倍，理論工作溫度可達(dá)600℃，遠(yuǎn)高于硅器件工作溫度。技術(shù)成熟度較高，應(yīng)用潛力較大。碳化硅器件具有更低的導(dǎo)通電阻。在低擊穿電壓 (約 50V 下）,碳化硅器件的比導(dǎo)通 電阻只有 1.12uΩ,是硅同類器件的約 1/100。在高擊穿電壓 (約 5kV 下）,比導(dǎo)通電 阻提高到 25.9mΩ, 卻是硅同類器件的約 1/300。 更低的導(dǎo)通電阻使得碳化硅電力電子器件具有更小...

碳化硅半導(dǎo)體材料的革新：碳化硅基功率器件性能優(yōu)于硅基器件，更高效，更節(jié)能，更輕便！隨著寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)的日益普及，需要在高溫和苛刻的電流循環(huán)條件下，對二極管操作進(jìn)行各種耐久性測試，以評估其性能。毫無疑問，功率電子器件作為基本元器件，將在未來幾年中持續(xù)發(fā)展。而新型碳化硅（SiC）半導(dǎo)體材料更是不負(fù)眾望，它比傳統(tǒng)硅材料導(dǎo)熱性更佳、開關(guān)速度更高，而且可以使器件尺寸做到更小。因此，碳化硅開關(guān)也成為設(shè)計人員的新寵。碳化硅二極管主要為肖特基二極管。一款商用碳化硅肖特基二極管十多年前就已推出。晶體上彩虹般的光澤則是因為其表面產(chǎn)生之二氧化硅保護(hù)層所致。黃浦區(qū)碳化硅制造商哪家好 在10A的額定電流下，硅續(xù)流二...

碳化硅、氮化鎵的市場潛力還遠(yuǎn)未被全部挖掘：5G、智慧交通、新能源已經(jīng)成為全球發(fā)展的方向，但作為上游材料的氮化鎵、碳化硅的市場潛力其實還遠(yuǎn)未被全部挖掘。因為如果從產(chǎn)業(yè)鏈中游來看，我國第三代半導(dǎo)體器件市場有著巨大的增長空間，或能成為倒逼上游材料發(fā)展的一大動力。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展至今經(jīng)歷了三個階段，一代半導(dǎo)體材料以硅為反映;第二代半導(dǎo)體材料砷化鎵也已經(jīng)普遍應(yīng)用;而以氮化鎵和碳化硅、氧化鋅、氧化鋁、金剛石等寬禁帶為反映的第三代半導(dǎo)體材料，相較前兩代產(chǎn)品性能優(yōu)勢顯著。 在半導(dǎo)體高功率元件的應(yīng)用上，不少人試著用它來取代硅。長寧區(qū)碳化硅售價多少錢 碳化硅二極管，較初的二極管非常簡單，但隨著技術(shù)的發(fā)展，逐漸出現(xiàn)...

碳化硅由于化學(xué)性能穩(wěn)定、導(dǎo)熱系數(shù)高、熱膨脹系數(shù)小、耐磨性能好，除作磨料用外，還有很多其他用途，例如：以特殊工藝把碳化硅粉末涂布于水輪機(jī)葉輪或汽缸體的內(nèi)壁，可提高其耐磨性而延長使用壽命1～2倍；用以制成的高級耐火材料，耐熱震、體積小、重量輕而強度高，節(jié)能效果好。低品級碳化硅（含SiC約85%）是極好的脫氧劑，用它可加快煉鋼速度，并便于控制化學(xué)成分，提高鋼的質(zhì)量。此外，碳化硅還大量用于制作電熱元件硅碳棒。碳化硅的硬度很大,莫氏硬度為9.5級，只次于世界上較硬的金剛石（10級），具有優(yōu)良的導(dǎo)熱性能，是一種半導(dǎo)體，高溫時能抗氧化。由于其高熱導(dǎo)性、高崩潰電場強度及高較大電流密度。閔行區(qū)碳化硅咨詢開關(guān)頻...

在10A的額定電流下，硅續(xù)流二極管展現(xiàn)出較低的正向壓降，SiC肖特基二極管的Vf更高，而快速硅二極管展現(xiàn)出較高的正向壓降。正向電壓與溫度之間的關(guān)聯(lián)差別很大：快速硅二極管具有負(fù)的溫度系數(shù)，150°C下的Vf比25°C下的Vf低。對于12A以上的電流，CAL的溫度系數(shù)為正，SiC肖特基二極管即使電流為4A時，溫度系數(shù)也為正。由于二極管通常并聯(lián)以實現(xiàn)大功率器件，需要具有正溫度系數(shù)以避免并聯(lián)二極管中的電流不平衡和運行溫度不均勻。這里，SiC肖特基二極管顯示出較佳的性能。但與常規(guī)硅二極管相比，SiC肖特基二極管的靜態(tài)損耗較高。碳化硅是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑為原料通過電阻爐高溫冶煉而成的一種耐...

全SiC模塊的功率密度比IGBT模塊要高得多，甚至在開關(guān)頻率低于5kHz時。因此，通過使用更大的芯片面積來優(yōu)化用于低開關(guān)頻率的全SiC模塊是可能的。 只要SiC芯片尺寸合適，SiC器件可以在普遍的開關(guān)頻率范圍內(nèi)提供更高的輸出電流和輸出功率。大功率要求功率芯片和模塊大量并聯(lián)。目前，可以獲得額定電流高達(dá)200A的硅IGBT和傳統(tǒng)續(xù)流二極管，SiC MOSFET和肖特基二極管的較大額定電流迄今為止小于100A。因此，不得不并聯(lián)大量的SiC晶片以實現(xiàn)大額定功率?？紤]到SiC器件的快速開關(guān)特性和振蕩趨勢，需要低電感模塊設(shè)計和DCB基板上優(yōu)化的芯片布局。在下文中，1200V、900A全SiC模塊與130...

盡管當(dāng)前可用的基于Si的晶體管已接近其在*面積極限上的R ，但生產(chǎn)SiC器件的技術(shù)仍處于學(xué)習(xí)曲線的早期階段。因此，我們可以期望在后代看到更高的性能。值得注意的是，對于給定的導(dǎo)通電阻和擊穿電壓，SiC MOSFET所需的管芯面積比常規(guī)硅MOSFET顯著更少。因此，它將具有較小的電容和較低的柵極電荷，這轉(zhuǎn)化為較低的開關(guān)損耗和較高的效率。較高的導(dǎo)熱率反映為較低的熱阻。SiC MOSFET的面積相等時，其熱阻要低得多，從而可以降低工作結(jié)溫。盡管先前描述了所有優(yōu)點，但以前SiC晶體管的高成本使其只能用于優(yōu)越工業(yè)市場（例如，石油鉆探電源，電源系統(tǒng)等）的專門用應(yīng)用中。影響其成本的主要因素歸因于諸如SiC襯...

碳化硅二極管，較初的二極管非常簡單，但隨著技術(shù)的發(fā)展，逐漸出現(xiàn)了升級的JFET、MOSFET和雙極晶體管。碳化硅肖特基二極管優(yōu)勢明顯，它具有高開關(guān)性能、高效率和高功率密度等特性，而且系統(tǒng)成本較低。這些二極管具有零反向恢復(fù)時間、低正向壓降、電流穩(wěn)定性、高抗浪涌電壓能力和正溫度系數(shù)。新型二極管適合各種應(yīng)用中的功率變換器，包括光伏太陽能逆變器、電動車（EV）充電器、電源和汽車應(yīng)用。與傳統(tǒng)硅材料相比，新型二極管具有更低的漏電流和更高的摻雜濃度。硅材料具有一個特性，就是隨著溫度的升高，其直接表征會發(fā)生很大變化。而碳化硅是一種非常堅固且可靠的材料，不過碳化硅仍局限于小尺寸應(yīng)用。 由于其高熱導(dǎo)性、高崩潰電...

目前的碳化硅拋光方法存在著材料去除率低、成本高的問題，且無磨粒研拋、催化輔助加工等加工方法，由于要求的條件苛刻、裝置操作復(fù)雜，目前仍處在實驗室范圍內(nèi)，批量生產(chǎn)的實現(xiàn)可能性不大。人類1905年 一次在隕石中發(fā)現(xiàn)碳化硅，現(xiàn)在主要來源于人工合成，碳化硅有許多用途，行業(yè)跨度大，可用于單晶硅、多晶硅、砷化鉀、石英晶體等、太陽能光伏產(chǎn)業(yè)、半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)、壓電晶體產(chǎn)業(yè)工程性加工材料。碳化硅晶片是以高純硅粉和高純碳粉作為原材料，采用物相傳輸法（PVT） 生長碳化硅晶體，加工制成碳化硅晶片。 碳化硅在高于2000 °C高溫下形成，具有六角晶系結(jié)晶構(gòu)造（似纖維鋅礦）。靜安區(qū)碳化硅哪個好 碳化硅單晶的制備一直是全球性...

由于相比硅基半導(dǎo)體在材料特性上有所差異，SiC(碳化硅)半導(dǎo)體具備比硅基半導(dǎo)體更好的高頻、大功率、高輻射性能。碳化硅又稱金鋼砂或耐火砂。碳化硅是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料在電阻爐內(nèi)經(jīng)高溫冶煉而成。目前我國工業(yè)生產(chǎn)的碳化硅分為黑色碳化硅和綠色碳化硅兩種，均為六方晶體，比重為3.20～3.25，顯微硬度為2840～3320kg/mm2。黑碳化硅是以石英砂,石油焦和優(yōu)越硅石為主要原料,通過電阻爐高溫冶煉而成。其硬度介于剛玉和金剛石之間,機(jī)械強度高于剛玉,性脆而鋒利。要注意：它與天然金剛砂（石榴子石）的成分不同。松江區(qū)碳化硅價格是多少 碳化硅由于化學(xué)性能穩(wěn)定...

目前碳化硅的拋光方法主要有：機(jī)械拋光、磁流變拋光、化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）、電化學(xué)拋光（ECMP）、催化劑輔助拋光或催化輔助刻蝕（CACP/CARE）、摩擦化學(xué)拋光（TCP，又稱無磨料拋光）和等離子輔助拋光（***）等。化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）技術(shù)是目前半導(dǎo)體加工的重要手段，也是目前能將單晶硅表面加工到原子級光滑較有效的工藝方法，是能在加工過程中同時實現(xiàn)局部和全局平坦化的實用技術(shù)。CMP的加工效率主要由工件表面的化學(xué)反應(yīng)速率決定。通過研究工藝參數(shù)對SiC材料拋光速率的影響，結(jié)果表明：旋轉(zhuǎn)速率和拋光壓力的影響較大；溫度和拋光液pH值的影響不大。為提高材料的拋光速率應(yīng)盡量提高轉(zhuǎn)速，雖然增加拋光壓力...

碳化硅可以抵受的電壓或電場八倍于硅或砷化鎵, 特別適用于制造高壓大功率器件如高壓二極管、功率三極管、可控硅以及大功率微波器件. 另外, 此一特性可讓碳化硅器件緊密排列, 有利于提高封裝密度。碳化硅是熱的良導(dǎo)體, 導(dǎo)熱特性優(yōu)于任何其它半導(dǎo)體材料。事實上, 在室溫條件下, 其熱傳導(dǎo)率高于任何其它金屬，這使得碳化硅器件可在高溫下正常工作。為采用SiC SBDs的小功率EV 車載逆變器散熱片體積和采用傳統(tǒng)Si基半導(dǎo)體器件散熱片體積的對比，可看出，采用SiCSBDs 器件散熱片的體積有效減小。對于主流的大功率HEV，一般包含兩套水冷系統(tǒng)，一套是引擎冷卻系統(tǒng)，冷卻溫度約105℃，另一套是電力電子設(shè)備的冷...

SiC 主要應(yīng)用于微波領(lǐng)域，非常適合在雷達(dá)發(fā)射機(jī)中使用；使用它可明顯提高雷達(dá)發(fā)射機(jī)的輸出功率和功率密度，提高工作頻率和工作頻帶寬度，提高雷達(dá)發(fā)射機(jī)的環(huán)境溫度適應(yīng)性，提高抗輻射能力。和普通硅（Si）功率器件相比，碳化硅（SiC）功率器件所具有的優(yōu)勢非常明顯。雖然碳化硅功率器件的市場化推廣還處于起步階段，但其應(yīng)用前景廣大，發(fā)展速度迅猛，在“低碳”經(jīng)濟(jì)理念的推動下，必將加快其發(fā)展步伐。航天電子產(chǎn)品對其重量、體積、功耗和抗輻射程度都有嚴(yán)格的要求，碳化硅功率器件的出現(xiàn)及進(jìn)一步推廣，必將對今后航天電子產(chǎn)品的開發(fā)產(chǎn)生深遠(yuǎn)影響。碳化硅便于控制化學(xué)成分，提高鋼的質(zhì)量。奉賢區(qū)碳化硅批發(fā) 碳化硅半導(dǎo)體材料的革新...

碳化硅器件的極限工作溫度有望達(dá)到 600℃以上, 而硅器件的較大結(jié)溫只為 150℃。碳化硅器件抗輻射能力較強,在航空等領(lǐng)域應(yīng)用可以減輕輻射屏蔽設(shè)備的重量。碳化硅器件對電動車充電模塊性能的提升主要體現(xiàn)在三方面： （1）提高頻率，簡化供電網(wǎng)絡(luò)； （2）降低損耗，減少溫升。 （3）縮小體積，提升效率。較大的增長機(jī)會在汽車領(lǐng)域，尤其是電動汽車?；赟iC的功率半導(dǎo)體用于電動汽車的車載充電裝置，而這項技術(shù)正在進(jìn)入系統(tǒng)的關(guān)鍵部分——牽引逆變器。牽引逆變器為電動機(jī)提供牽引力，以推動車輛前進(jìn)。SiC正在進(jìn)軍車載充電器、DC-DC轉(zhuǎn)換器和牽引逆變器。車載充電器通過電網(wǎng)為車輛充電。碳化硅作為煉鋼脫氧劑可使鋼水質(zhì)...

對比熱數(shù)據(jù)，全SiC模塊顯示出比傳統(tǒng)硅模塊更低的熱阻。這是由于與Si相比，SiC具有更高的熱傳導(dǎo)率和更好的熱擴(kuò)散能力：在此布局中，4個SiC二極管芯片在相同的空間上代替1個硅二極管。SiC器件更低的熱阻是特別重要的，因為在這種情況下硅芯片使用了21 cm2的總面積，而全SiC模塊只用了10 cm2。與硅模塊的通態(tài)損耗相比，全SiC模塊的通態(tài)損耗更高。SiC肖特基二極管的正向壓降也是這樣。全SiC模塊的動態(tài)損耗非常低：SiC MOSFET的開關(guān)損耗比硅IGBT低4倍，SiC肖特基二極管的損耗低8-9倍。 我國工業(yè)生產(chǎn)的碳化硅分為黑色碳化硅和綠色碳化硅兩種，均為六方晶體.松江區(qū)碳化硅要多少錢 從出...

碳化硅有黑碳化硅和綠碳化硅兩個常用的基本品種，都屬α-SiC。①黑碳化硅含SiC約95%，其韌性高于綠碳化硅，大多用于加工抗張強度低的材料，如玻璃、陶瓷、石材、耐火材料、鑄鐵和有色金屬等。②綠碳化硅含SiC約97%以上，自銳性好，大多用于加工硬質(zhì)合金、鈦合金和光學(xué)玻璃，也用于珩磨汽缸套和精磨高速鋼刀具。此外還有立方碳化硅，它是以特殊工藝制取的黃綠色晶體，用以制作的磨具適于軸承的超精加工，可使表面粗糙度從Ra32～0.16微米一次加工到Ra0.04～0.02微米。 碳化硅在C、N、B等非氧化物高技術(shù)耐火原料中，碳化硅為應(yīng)用普遍、經(jīng)濟(jì)的一種。寶山區(qū)碳化硅種類有哪些 碳化硅器件的極限工作溫度有望達(dá)到...

碳化硅單晶的制備一直是全球性難題，而高穩(wěn)定性的晶體生長工藝則是其中較重要的技術(shù)。之前，這項技術(shù)只掌握在美國人手里，且長期對我國技術(shù)封鎖。過去，我國的半導(dǎo)體材料長期依賴國外進(jìn)口，由此帶來的問題就是半導(dǎo)體材料價格昂貴、渠道不穩(wěn)，隨時都可能面對禁運的風(fēng)險，而且產(chǎn)品的質(zhì)量也難以得到有效保證，國人備受半導(dǎo)體材料和重要技術(shù) “卡脖子”之痛。碳化硅晶體的生長條件十分嚴(yán)苛，不只需要經(jīng)歷高溫還需要壓力精確控制的生長環(huán)境，同時這些晶體的生長速度很緩慢，生長質(zhì)量也不易控制。在生長的過程中即便只出現(xiàn)一絲肉眼無法察覺的管洞，也可能影響這個晶體的生長質(zhì)量。碳化硅晶體的生長過程就如同“蒙眼繡花”一樣，因為溫度太高，難以進(jìn)...

但要注意：它與天然金剛砂（石榴子石）的成分不同。在工業(yè)生產(chǎn)中，SiC冶煉塊通常以石英、石油焦等為原料，輔助回收料、乏料，經(jīng)過粉磨等工序調(diào)配成為配比合理與粒度合適的爐料（為了調(diào)節(jié)爐料的透氣性需要加入適量的木屑，制備綠碳化硅時還要添加適量食鹽)經(jīng)高溫制備而成。高溫制備SiC冶煉塊的熱工設(shè)備是專門用的碳化硅電爐，其結(jié)構(gòu)由爐底、內(nèi)面鑲有電極的端墻、可卸式側(cè)墻、爐心體(全稱為：電爐中心的通電發(fā)熱體，一般用石墨粉或石油焦炭按一定的形狀與尺寸安裝在爐料中心，一般為圓形或矩形。其兩端與電極相連）等組成。立方碳化硅，它是以特殊工藝制取的黃綠色晶體，用以制作的磨具適于軸承的超精加工。黃浦區(qū)碳化硅費用哪家便宜 全...

隨著電動汽車以及其他系統(tǒng)的增長，碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體市場正在經(jīng)歷需求的突然激增。這便是SiC的用武之地?；诘墸℅aN）的功率半導(dǎo)體也正在出現(xiàn)。GaN和SiC都是寬帶隙技術(shù)。硅的帶隙為1.1 eV。 相比之下，SiC的帶隙為3.3 eV，GaN的帶隙為3.4 eV。SiC是一種基于硅和碳的復(fù)合半導(dǎo)體材料。在生產(chǎn)流程中，專門的SiC襯底被開發(fā)出來，然后在晶圓廠中進(jìn)行加工，得到基于SiC的功率半導(dǎo)體。許多基于SiC的功率半導(dǎo)體和競爭技術(shù)都是專門用晶體管，它們可以在高電壓下開關(guān)器件的電流。它們用于電力電子領(lǐng)域，可以實現(xiàn)系統(tǒng)中電力的轉(zhuǎn)換和控制。 由于其高熱導(dǎo)性、高崩潰電場強度及高較大電流密...

與傳統(tǒng)硅基器件相比，SiC的擊穿場強是傳統(tǒng)硅基器件的10倍，導(dǎo)熱系數(shù)是傳統(tǒng)硅基器件的3倍，非常適合于高壓應(yīng)用，如電源、太陽能逆變器、火車和風(fēng)力渦輪機(jī)。另外，SiC還用于制造LED。碳化硅材料各項指標(biāo)均優(yōu)于硅，其禁帶寬度幾乎是硅的3倍，理論工作溫度可達(dá)600℃，遠(yuǎn)高于硅器件工作溫度。技術(shù)成熟度較高，應(yīng)用潛力較大。碳化硅器件具有更低的導(dǎo)通電阻。在低擊穿電壓 (約 50V 下）,碳化硅器件的比導(dǎo)通 電阻只有 1.12uΩ,是硅同類器件的約 1/100。在高擊穿電壓 (約 5kV 下）,比導(dǎo)通電 阻提高到 25.9mΩ, 卻是硅同類器件的約 1/300。 更低的導(dǎo)通電阻使得碳化硅電力電子器件具有更小...

2012年全年中國黑碳化硅產(chǎn)能沒有正常釋放，一方面是成交緩慢，庫存消耗慢,占壓資金量大，另一方面是下游玩業(yè)消費商回款時間長，欠款現(xiàn)象嚴(yán)重，導(dǎo)致某些企業(yè)資金鏈緊張。2012年中國黑碳化硅的主產(chǎn)地為寧夏和甘肅，青海和新疆的原有產(chǎn)能逐漸被淘汰，加上湖北丹江口弘源的冶煉產(chǎn)能，共計76.9萬噸， 2012年總產(chǎn)量約為34萬噸，黑碳化硅冶煉企業(yè)的產(chǎn)能利用率約為44.5%。中國綠碳化硅冶煉的主產(chǎn)地是甘肅、青海、新疆和四川。四川主要靠水力發(fā)電站供電，受到枯水期電力短缺的影響，一年的生產(chǎn)時間只在4-10月份，較長能堅持6個月的生產(chǎn)，但四川的冶煉爐幾乎沒有正常開工，主要因為市場需求疲軟，庫存難以消耗。碳化硅跟 ...

碳化硅由于化學(xué)性能穩(wěn)定、導(dǎo)熱系數(shù)高、熱膨脹系數(shù)小、耐磨性能好，除作磨料用外，還有很多其他用途，例如：以特殊工藝把碳化硅粉末涂布于水輪機(jī)葉輪或汽缸體的內(nèi)壁，可提高其耐磨性而延長使用壽命1～2倍；用以制成的高級耐火材料，耐熱震、體積小、重量輕而強度高，節(jié)能效果好。低品級碳化硅（含SiC約85%）是極好的脫氧劑，用它可加快煉鋼速度，并便于控制化學(xué)成分，提高鋼的質(zhì)量。此外，碳化硅還大量用于制作電熱元件硅碳棒。碳化硅的硬度很大,莫氏硬度為9.5級，只次于世界上較硬的金剛石（10級），具有優(yōu)良的導(dǎo)熱性能，是一種半導(dǎo)體，高溫時能抗氧化。碳化硅由于化學(xué)性能穩(wěn)定、導(dǎo)熱系數(shù)高、熱膨脹系數(shù)小、耐磨性能好。長寧區(qū)碳...

綠碳化硅是以石油焦和優(yōu)越硅石為主要原料,添加食鹽作為添加劑，通過電阻爐高溫冶煉而成。其硬度介于剛玉和金剛石之間,機(jī)械強度高于剛玉。碳化硅(SiC)由于其獨特的物理及電子特性, 在一些應(yīng)用上成為較佳的半導(dǎo)體材料: 短波長光電器件, 高溫, 抗幅射以及高頻大功率器件，其主要特性及與硅(Si)和砷化鎵(GaAs)的對比如下。由于碳化硅的寬能級, 以其制成的電子器件可在極高溫下工作，這一特性也使碳化硅可以發(fā)射或檢測短波長的光, 用以制作藍(lán)色發(fā)光二極管或幾乎不受太陽光影響的紫外線探測器。碳化硅磨料通常以石英、石油焦炭為主要原料。徐匯區(qū)碳化硅哪個牌子好 目前用直拉法，72小時能生長出2-3米左右的硅單...

碳化硅、氮化鎵的市場潛力還遠(yuǎn)未被全部挖掘：5G、智慧交通、新能源已經(jīng)成為全球發(fā)展的方向，但作為上游材料的氮化鎵、碳化硅的市場潛力其實還遠(yuǎn)未被全部挖掘。因為如果從產(chǎn)業(yè)鏈中游來看，我國第三代半導(dǎo)體器件市場有著巨大的增長空間，或能成為倒逼上游材料發(fā)展的一大動力。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展至今經(jīng)歷了三個階段，一代半導(dǎo)體材料以硅為反映;第二代半導(dǎo)體材料砷化鎵也已經(jīng)普遍應(yīng)用;而以氮化鎵和碳化硅、氧化鋅、氧化鋁、金剛石等寬禁帶為反映的第三代半導(dǎo)體材料，相較前兩代產(chǎn)品性能優(yōu)勢顯著。 在半導(dǎo)體高功率元件的應(yīng)用上，不少人試著用碳化硅來取代硅。浦東新區(qū)碳化硅批發(fā)公司對比熱數(shù)據(jù)，全SiC模塊顯示出比傳統(tǒng)硅模塊更低的熱阻。這是由...

全SiC模塊的功率密度比IGBT模塊要高得多，甚至在開關(guān)頻率低于5kHz時。因此，通過使用更大的芯片面積來優(yōu)化用于低開關(guān)頻率的全SiC模塊是可能的。 只要SiC芯片尺寸合適，SiC器件可以在普遍的開關(guān)頻率范圍內(nèi)提供更高的輸出電流和輸出功率。大功率要求功率芯片和模塊大量并聯(lián)。目前，可以獲得額定電流高達(dá)200A的硅IGBT和傳統(tǒng)續(xù)流二極管，SiC MOSFET和肖特基二極管的較大額定電流迄今為止小于100A。因此，不得不并聯(lián)大量的SiC晶片以實現(xiàn)大額定功率?？紤]到SiC器件的快速開關(guān)特性和振蕩趨勢，需要低電感模塊設(shè)計和DCB基板上優(yōu)化的芯片布局。在下文中，1200V、900A全SiC模塊與130...