MEMS制作工藝ICP深硅刻蝕: 在半導(dǎo)體制程中,單晶硅與多晶硅的刻蝕通常包括濕法刻蝕和干法刻蝕兩種方法各有優(yōu)劣,各有特點(diǎn)。濕法刻蝕即利用特定的溶液與薄膜間所進(jìn)行的化學(xué)反應(yīng)來(lái)去除薄膜未被光刻膠掩膜覆蓋的部分,而達(dá)到刻蝕的目的。因?yàn)闈穹涛g是利用化學(xué)反...
MEMS制作工藝-聲表面波器件的特點(diǎn): 1.聲表面波具有極低的傳播速度和極短的波長(zhǎng),它們各自比相應(yīng)的電磁波的傳播速度的波長(zhǎng)小十萬(wàn)倍。在VHF和UHF波段內(nèi),電磁波器件的尺寸是與波長(zhǎng)相比擬的。同理,作為電磁器件的聲學(xué)模擬聲表面波器件SAW,它的尺寸也是...
芯棄疾JX-8B數(shù)字ELISA產(chǎn)品,為什么能做到? 芯棄疾JX-8B數(shù)字ELISA產(chǎn)品基本原理同somoa類似, 技術(shù)開(kāi)創(chuàng)性領(lǐng)頭產(chǎn)品:simoa單分子蛋白檢測(cè)技術(shù); 芯棄疾JX-8B數(shù)字ELISA產(chǎn)品參考simoa原理;Simoa?由現(xiàn)任...
MEMS具有以下幾個(gè)基本特點(diǎn),微型化、智能化、多功能、高集成度和適于大批量生產(chǎn)。MEMS技術(shù)的目標(biāo)是通過(guò)系統(tǒng)的微型化、集成化來(lái)探索具有新原理、新功能的元件和系統(tǒng)。 MEMS技術(shù)是一種典型的多學(xué)科交叉的前沿性研究領(lǐng)域,幾乎涉及到自然及工程科學(xué)的所有領(lǐng)域,如電子技...
MEMS制作工藝柔性電子的常用材料-PI: 柔性PI膜是一種由聚酰亞胺(PI)構(gòu)成的薄膜材料,它是通過(guò)將均苯四甲酸二酐(PMDA)與二胺基二苯醚(ODA)在強(qiáng)極性溶劑中進(jìn)行縮聚反應(yīng),然后流延成膜,然后經(jīng)過(guò)亞胺化處理得到的高分子絕緣材料。柔性PI膜擁有...
MEMS組合慣性傳感器不是一種新的MEMS傳感器類型,而是指加速度傳感器、陀螺儀、磁傳感器等的組合,利用各種慣性傳感器的特性,立體運(yùn)動(dòng)的檢測(cè)。組合慣性傳感器的一個(gè)被廣為熟悉的應(yīng)用領(lǐng)域就是慣性導(dǎo)航,比如飛機(jī)/導(dǎo)彈飛行控制、姿態(tài)控制、偏航阻尼等控制應(yīng)用、以及中...
微流控與金屬片電極的鑲嵌工藝技術(shù):微流控與金屬片電極的鑲嵌工藝實(shí)現(xiàn)了流體通道與固態(tài)電極的無(wú)縫集成,適用于電化學(xué)檢測(cè)、電滲流驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景。加工過(guò)程中,首先在硅片或玻璃基板上制備微流道(深度50-200μm,寬度100-500μm),然后將預(yù)加工的金屬片電極(如不銹...
MEMS發(fā)展的目標(biāo)在于,通過(guò)微型化、集成化來(lái)探索新原理、新功能的元件和系統(tǒng),開(kāi)辟一個(gè)新技術(shù)領(lǐng)域和產(chǎn)業(yè)。MEMS可以完成大尺寸機(jī)電系統(tǒng)所不能完成的任務(wù),也可嵌入大尺寸系統(tǒng)中,把自動(dòng)化、智能化和可靠性水平提高到一個(gè)新的水平。21世紀(jì)MEMS將逐步從實(shí)驗(yàn)室走向?qū)嵱没?..
MEMS制作工藝-太赫茲超導(dǎo)混頻陣列的MEMS體硅集成天線與封裝技術(shù): 太赫茲波是天文探測(cè)領(lǐng)域的重要波段,太赫茲波探測(cè)對(duì)提升人類認(rèn)知宇宙的能力有重要意義。太赫茲超導(dǎo)混頻接收機(jī)是具有代表性的高靈敏天文探測(cè)設(shè)備。天線及混頻芯片封裝是太赫茲接收前端系統(tǒng)的關(guān)...
通過(guò)MEMS技術(shù)制作的生物傳感器,圍繞細(xì)胞分選檢測(cè)、生物分子檢測(cè)、人工聽(tīng)覺(jué)微系統(tǒng)等方向,突破了高通量細(xì)胞圖形化、片上細(xì)胞聚焦分選、耳蝸內(nèi)聲電混合刺激、高時(shí)空分辨率相位差分檢測(cè)等一批具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的關(guān)鍵技術(shù),取得了一批原創(chuàng)性成果,研制了具有世界很高水平的高通量...
MEMS微納加工的產(chǎn)業(yè)化能力與技術(shù)儲(chǔ)備:公司在MEMS微納加工領(lǐng)域構(gòu)建了完整的技術(shù)體系與產(chǎn)業(yè)化能力,涵蓋從設(shè)計(jì)仿真(使用COMSOL、Lumerical等軟件)到工藝開(kāi)發(fā)(10+種主流加工工藝)、批量生產(chǎn)(萬(wàn)級(jí)潔凈車間,月產(chǎn)能50,000片)的全鏈條服務(wù)。技術(shù)...
加速度傳感器是很早廣泛應(yīng)用的MEMS之一。MEMS,作為一個(gè)機(jī)械結(jié)構(gòu)為主的技術(shù),可以通過(guò)設(shè)計(jì)使一個(gè)部件(圖中橙色部件)相對(duì)底座substrate產(chǎn)生位移(這也是絕大部分MEMS的工作原理),這個(gè)部件稱為質(zhì)量塊(proofmass)。質(zhì)量塊通過(guò)錨anchor,鉸...
MEMS發(fā)展的目標(biāo)在于,通過(guò)微型化、集成化來(lái)探索新原理、新功能的元件和系統(tǒng),開(kāi)辟一個(gè)新技術(shù)領(lǐng)域和產(chǎn)業(yè)。MEMS可以完成大尺寸機(jī)電系統(tǒng)所不能完成的任務(wù),也可嵌入大尺寸系統(tǒng)中,把自動(dòng)化、智能化和可靠性水平提高到一個(gè)新的水平。21世紀(jì)MEMS將逐步從實(shí)驗(yàn)室走向?qū)嵱没?..
芯棄疾JX-8B數(shù)字ELISA,多重超敏、微量極速、靈活開(kāi)放,每個(gè)實(shí)驗(yàn)室都用得起的單分子免疫檢測(cè)產(chǎn)品 ,創(chuàng)新型多通道ELISA檢測(cè); 芯棄疾JX-8B數(shù)字化高靈敏ELISA芯片檢測(cè)產(chǎn)品應(yīng)用場(chǎng)景:適合生物實(shí)驗(yàn)室、醫(yī)學(xué)實(shí)驗(yàn)室、科研市場(chǎng)、產(chǎn)品預(yù)研、產(chǎn)品開(kāi)發(fā)...
超薄石英玻璃雙面套刻加工技術(shù)解析:在厚度100μm以上的超薄石英玻璃基板上進(jìn)行雙面套刻加工,是實(shí)現(xiàn)高集成度微流控芯片與光學(xué)器件的關(guān)鍵技術(shù)。公司采用激光微加工與紫外光刻結(jié)合工藝,首先通過(guò)CO?激光切割實(shí)現(xiàn)玻璃基板的高精度成型(邊緣誤差<±5μm),然后利用雙面光...
微納結(jié)構(gòu)的多圖拼接測(cè)量技術(shù):針對(duì)大尺寸微納結(jié)構(gòu)的完整表征,公司開(kāi)發(fā)了多圖拼接測(cè)量技術(shù),結(jié)合SEM與圖像算法實(shí)現(xiàn)亞微米級(jí)精度的全景成像。首先通過(guò)自動(dòng)平移臺(tái)對(duì)樣品進(jìn)行網(wǎng)格掃描,獲取多幅局部SEM圖像(分辨率5nm,視野范圍10-100μm);然后利用特征點(diǎn)匹配算法...
MEMS超表面對(duì)特性的調(diào)控: 1.超表面meta-surface對(duì)偏振的調(diào)控:在偏振方面,超表面可實(shí)現(xiàn)偏振轉(zhuǎn)換、旋光、矢量光束產(chǎn)生等功能。 2.超表面meta-surface對(duì)振幅的調(diào)控。超表面可以實(shí)現(xiàn)光的非對(duì)稱透過(guò)、消反射、增透射、磁鏡、類E...
智能手機(jī)迎5G換機(jī)潮,傳感器及RFMEMS用量逐年提升。一方面,5G加速滲透,拉動(dòng)智能手機(jī)市場(chǎng)恢復(fù)增長(zhǎng):今年10月份國(guó)內(nèi)5G手機(jī)出貨量占比已達(dá)64%;智能手機(jī)整體出貨量方面,在5G的帶動(dòng)下,根據(jù)IDC今年的預(yù)測(cè),2021年智能手機(jī)出貨量相比2020年將增長(zhǎng)11...
MEMS超表面對(duì)特性的調(diào)控: 1.超表面meta-surface對(duì)偏振的調(diào)控:在偏振方面,超表面可實(shí)現(xiàn)偏振轉(zhuǎn)換、旋光、矢量光束產(chǎn)生等功能。 2.超表面meta-surface對(duì)振幅的調(diào)控。超表面可以實(shí)現(xiàn)光的非對(duì)稱透過(guò)、消反射、增透射、磁鏡、類E...
MEMS制作工藝-聲表面波器件的特點(diǎn): 1.聲表面波具有極低的傳播速度和極短的波長(zhǎng),它們各自比相應(yīng)的電磁波的傳播速度的波長(zhǎng)小十萬(wàn)倍。在VHF和UHF波段內(nèi),電磁波器件的尺寸是與波長(zhǎng)相比擬的。同理,作為電磁器件的聲學(xué)模擬聲表面波器件SAW,它的尺寸也是...
基于MEMS技術(shù)的SAW器件的工作模式和原理: 聲表面波器件一般使用壓電晶體(例如石英晶體等)作為媒介,然后通過(guò)外加一正電壓產(chǎn)生聲波,并通過(guò)襯底進(jìn)行傳播,然后轉(zhuǎn)換成電信號(hào)輸出。聲表面波傳感器中起主導(dǎo)作用的主要是壓電效應(yīng),其設(shè)計(jì)時(shí)需要考慮多種因素:如相...
智能手機(jī)迎5G換機(jī)潮,傳感器及RFMEMS用量逐年提升。一方面,5G加速滲透,拉動(dòng)智能手機(jī)市場(chǎng)恢復(fù)增長(zhǎng):今年10月份國(guó)內(nèi)5G手機(jī)出貨量占比已達(dá)64%;智能手機(jī)整體出貨量方面,在5G的帶動(dòng)下,根據(jù)IDC今年的預(yù)測(cè),2021年智能手機(jī)出貨量相比2020年將增長(zhǎng)11...
玻璃與硅片微流道精密加工:深圳市勃望初芯半導(dǎo)體科技有限公司依托深硅反應(yīng)離子刻蝕(DRIE)技術(shù),實(shí)現(xiàn)玻璃與硅片基材的高精度微流道加工。針對(duì)玻璃芯片,通過(guò)光刻掩膜與氫氟酸濕法刻蝕工藝,可制備深寬比達(dá)10:1、表面粗糙度低于50nm的微通道網(wǎng)絡(luò),適用于高通量單細(xì)胞...
MEMS傳感器的主要應(yīng)用領(lǐng)域有哪些? 消費(fèi)電子產(chǎn)品在MEMSDrive出現(xiàn)之前,手機(jī)攝像頭主要由音圈馬達(dá)移動(dòng)鏡頭組的方式實(shí)現(xiàn)防抖(簡(jiǎn)稱鏡頭防抖技術(shù)),受到很大的局限。而另一個(gè)在市場(chǎng)上較好的防抖技術(shù):多軸防抖,則是利用移動(dòng)圖像傳感器(ImageSens...
MEMS具有以下幾個(gè)基本特點(diǎn),微型化、智能化、多功能、高集成度和適于大批量生產(chǎn)。MEMS技術(shù)的目標(biāo)是通過(guò)系統(tǒng)的微型化、集成化來(lái)探索具有新原理、新功能的元件和系統(tǒng)。 MEMS技術(shù)是一種典型的多學(xué)科交叉的前沿性研究領(lǐng)域,幾乎涉及到自然及工程科學(xué)的所有領(lǐng)域,如電子技...
超聲影像芯片的全集成MEMS設(shè)計(jì)與性能突破:針對(duì)超聲PZT換能器及CMUT/PMUT新型傳感器的收發(fā)需求,公司開(kāi)發(fā)了**SoC超聲收發(fā)芯片,采用0.18mm高壓SOI工藝實(shí)現(xiàn)發(fā)射與開(kāi)關(guān)復(fù)用,大幅節(jié)省芯片面積的同時(shí)提升性能。在發(fā)射端,通過(guò)MEMS高壓驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)...
MEMS制作工藝-太赫茲超導(dǎo)混頻陣列的MEMS體硅集成天線與封裝技術(shù): 太赫茲波是天文探測(cè)領(lǐng)域的重要波段,太赫茲波探測(cè)對(duì)提升人類認(rèn)知宇宙的能力有重要意義。太赫茲超導(dǎo)混頻接收機(jī)是具有代表性的高靈敏天文探測(cè)設(shè)備。天線及混頻芯片封裝是太赫茲接收前端系統(tǒng)的關(guān)...
芯棄疾JX-8B數(shù)字ELISA,多重超敏、微量極速、靈活開(kāi)放,每個(gè)實(shí)驗(yàn)室都用得起的單分子免疫檢測(cè)產(chǎn)品 ,創(chuàng)新型多通道ELISA檢測(cè); 芯棄疾JX-8B數(shù)字化高靈敏ELISA芯片檢測(cè)產(chǎn)品應(yīng)用場(chǎng)景:適合生物實(shí)驗(yàn)室、醫(yī)學(xué)實(shí)驗(yàn)室、科研市場(chǎng)、產(chǎn)品預(yù)研、產(chǎn)品開(kāi)發(fā)...
微針器件的干濕法刻蝕與集成傳感:基于MEMS干濕法混合刻蝕工藝,公司開(kāi)發(fā)出多尺度微針器件。通過(guò)光刻膠模板與各向異性刻蝕,制備前列曲率半徑<100nm、高度500微米的中空微針陣列,可無(wú)創(chuàng)穿透表皮提取組織間液。結(jié)合微注塑工藝,在微針內(nèi)部集成直徑10微米的流體通道...
硅基金屬電極加工工藝與生物相容性優(yōu)化:在硅片、LN(鈮酸鋰)、LT(鉭酸鋰)、藍(lán)寶石、石英等基板上加工金屬電極,需兼顧電學(xué)性能與生物相容性。公司采用濺射沉積與剝離工藝,首先在基板表面沉積50-200nm的鈦/金種子層,增強(qiáng)金屬與基板的附著力;然后旋涂光刻膠并曝...