惟精環(huán)境藻類智能分析監(jiān)測系統(tǒng),為水源安全貢獻(xiàn)科技力量!
快來擁抱無線遠(yuǎn)程打印新時代,惟精智印云盒、讓打印變得如此簡單
攜手共進(jìn),惟精環(huán)境共探環(huán)保行業(yè)發(fā)展新路徑
惟精環(huán)境:科技賦能,守護(hù)綠水青山
南京市南陽商會新春聯(lián)會成功召開
惟精環(huán)境順利通過“江蘇省民營科技企業(yè)”復(fù)評復(fù)審
“自動?化監(jiān)測技術(shù)在水質(zhì)檢測中的實(shí)施與應(yīng)用”在《科學(xué)家》發(fā)表
熱烈祝賀武漢市概念驗(yàn)證中心(武漢科技大學(xué))南京分中心掛牌成立
解鎖流域水質(zhì)密碼,“三維熒光水質(zhì)指紋”鎖定排污嫌疑人!
重磅政策,重點(diǎn)流域水環(huán)境綜合治理資金支持可達(dá)總投資的80%
快速熔斷器的特性反時限電流保護(hù)特性。熔斷器具有反時延特性,即過載電流小時,熔斷時間長;過載電流大時,熔斷時間短。所以,在一定過載電流和過載時間范圍內(nèi),熔斷器是不會熔斷的,可連續(xù)使用。熔斷器有各種不同的熔斷特性曲線,可以適用于不同類型保護(hù)對象的需要。限流特性由于...
熔斷器由絕緣底座(或支持件)、觸頭、熔體等組成,熔體是熔斷器的主要工作部分,熔體相當(dāng)于串聯(lián)在電路中的一段特殊的導(dǎo)線,當(dāng)電路發(fā)生短路或過載時,電流過大,熔體因過熱而熔化,從而切斷電路。熔體常做成絲狀、柵狀或片狀。熔體材料具有相對熔點(diǎn)低、特性穩(wěn)定、易于熔斷的特點(diǎn)。...
反向擊穿按機(jī)理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況。在高摻雜濃度的情況下,因勢壘區(qū)寬度很小,反向電壓較大時,破壞了勢壘區(qū)內(nèi)共價鍵結(jié)構(gòu),使價電子脫離共價鍵束縛,產(chǎn)生電子-空穴對,致使電流急劇增大,這種擊穿稱為齊納擊穿。如果摻雜濃度較低,勢壘區(qū)寬度較寬,不容易產(chǎn)生齊納擊...
在性能上,可控硅不僅具有單向?qū)щ娦裕疫€具有比硅整流元件(俗稱"死硅")更為可貴的可控性。它只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種狀態(tài)??煽毓枘芤院涟布夒娏骺刂拼蠊β实臋C(jī)電設(shè)備,如果超過此功率,因元件開關(guān)損耗***增加,允許通過的平均電流相降低,此時,標(biāo)稱電流應(yīng)降級使用??煽毓?..
在使用IGBT的場合,當(dāng)柵極回路不正?;驏艠O回路損壞時(柵極處于開路狀態(tài)),若在主回路上加上電壓,則IGBT就會損壞,為防止此類故障,應(yīng)在柵極與發(fā)射極之間串接一只10KΩ左右的電阻。在安裝或更換IGBT模塊時,應(yīng)十分重視IGBT模塊與散熱片的接觸面狀態(tài)和擰緊程...
額定速態(tài)平均屯成系列共分為14個,如表1一5所示。正反向重復(fù)蜂值屯壓級別規(guī)定1000V以下的管子每100V為一級,1000V以上的管子每200V為一級。取電壓教除以100做為級別標(biāo)志,如表1-6所示。通態(tài)平均電壓組別依電壓大小分為9組,用宇毋表示,如表1一所示...
四種觸發(fā)方式可控硅四種觸發(fā)方式可控硅四種觸發(fā)方式由于在雙向可控硅的主電極上,無論加以正向電壓或是反向電壓,也不管觸發(fā)信號是正向還是反向,它都能被觸發(fā)導(dǎo)通,因此它有以下四種觸發(fā)方式:(1)當(dāng)主電極T2對Tl所加的電壓為正向電壓,控制極G對***電極Tl所加的也是...
敞開式熔斷器結(jié)構(gòu)簡單,熔體完全暴露于空氣中,由瓷柱作支撐,沒有支座,適于低壓戶外使用。分?jǐn)嚯娏鲿r在大氣中產(chǎn)生較大的聲光。半封閉式熔斷器的熔體裝在瓷架上,插入兩端帶有金屬插座的瓷盒中,適于低壓戶內(nèi)使用。分?jǐn)嚯娏鲿r,所產(chǎn)生的聲光被瓷盒擋住。管式熔斷器的熔體裝在熔斷...
快速熔斷器是一種熔斷器的一種,快速熔斷器主要用于半導(dǎo)體整流元件或整流裝置的短路保護(hù)。由于半導(dǎo)體元件的過載能力很低。只能在極短時間內(nèi)承受較大的過載電流,因此要求短路保護(hù)具有快速熔斷的能力。快速熔斷器的結(jié)構(gòu)和有填料封閉式熔斷器基本相同,但熔體材料和形狀不同,它是以...
再由這三組英文名詞的較早字母組合而成:“BCR”中文譯意:雙向可控硅。以“BCR”來命名雙向可控硅的典型廠家如日本三菱,如:BCR1AM-12、BCR8KM、BCR08AM等等。雙 向:Bi-directional(取***個字母)三 端:Triode(取**...
確定IGBT 的門極電荷對于設(shè)計(jì)一個驅(qū)動器來說,**重要的參數(shù)是門極電荷QG(門極電壓差時的IGBT 門極總電荷),如果在IGBT 數(shù)據(jù)手冊中能夠找到這個參數(shù),那么我們就可以運(yùn)用公式計(jì)算出:門極驅(qū)動能量 E = QG · UGE = QG · [ VG(on)...
通常為達(dá)到更好的驅(qū)動效果,IGBT開通和關(guān)斷可以采取不同的驅(qū)動速度,分別選取 Rgon和Rgoff(也稱 Rg+ 和 Rg- )往往是很必要的。IGBT驅(qū)動器有些是開通和關(guān)斷分別輸出控制,只要分別接上Rgon和Rgoff就可以了。有些驅(qū)動器只有一個輸出端,這就...
(2)限幅電路在電子電路中,常用限幅電路對各種信號進(jìn)行處理。它是用來讓信號在預(yù)置的電平范圍內(nèi),有選擇地傳輸一部分信號。大多數(shù)二極管都可作為限幅使用,但有些時候需要用到**限幅二極管,如保護(hù)儀表時。 [6](3)穩(wěn)壓電路在穩(wěn)壓電路中通常需要使用齊納二極管,它是一...
確定IGBT 的門極電荷對于設(shè)計(jì)一個驅(qū)動器來說,**重要的參數(shù)是門極電荷QG(門極電壓差時的IGBT 門極總電荷),如果在IGBT 數(shù)據(jù)手冊中能夠找到這個參數(shù),那么我們就可以運(yùn)用公式計(jì)算出:門極驅(qū)動能量 E = QG · UGE = QG · [ VG(on)...
雙向可控硅固定到散熱器的主要方法有三種,夾子壓接、螺栓固定和鉚接。前二種方法的安裝工具很容易取得。 很多場合下,鉚接不是一種推薦的方法。 [1]夾子壓接:是推薦的方法,熱阻**小。夾子對器件的塑封施加壓力。這同樣適用于非絕緣封裝(sot82 和sot78 ) ...
因硼原子只有三個價電子,它與周圍的硅原子形成共價鍵,因缺少一個電子,在晶體中便產(chǎn)生一個空位,當(dāng)相鄰共價鍵上的電子獲得能量時就有可能填補(bǔ)這個空位,使硼原子成了不能移動的負(fù)離子,而原來的硅原子的共價鍵則因缺少一個電子,形成了空穴,但整個半導(dǎo)體仍呈中性。這種P型半導(dǎo)...
圖7是雙向觸發(fā)二極管與雙向可控硅等元件構(gòu)成的臺燈調(diào)光電路。通過調(diào)節(jié)電位器R2,可以改變雙向可控硅的導(dǎo)通角,從而改變通過燈泡的電流(平均值)實(shí)現(xiàn)連續(xù)調(diào)光。如果將燈泡換電熨斗、電熱褥還可實(shí)現(xiàn)連續(xù)調(diào)溫。該電路在雙向可控硅加散熱器的情況下,可控負(fù)載功率可達(dá)500W,各...
路器一般由觸頭系統(tǒng)、滅弧系統(tǒng)、操作機(jī)構(gòu)、脫扣器、外殼等構(gòu)成。當(dāng)短路時,大電流(一般10至12倍)產(chǎn)生的磁場克服反力彈簧,脫扣器拉動操作機(jī)構(gòu)動作,開關(guān)瞬時跳閘。當(dāng)過載時,電流變大,發(fā)熱量加劇,雙金屬片變形到一定程度推動機(jī)構(gòu)動作(電流越大,動作時間越短)。有電子型...
b、主電路用螺絲擰緊,控制極g要用插件,盡可能不用焊接方式。c、裝卸時應(yīng)采用接地工作臺,接地地面,接地腕帶等防靜電措施。 d、儀器測量時,將1000電阻與g極串聯(lián)。e、要在無電源時進(jìn)行安裝。f,焊接g極時,電烙鐵要停電并接地,選用定溫電烙鐵**合適。當(dāng)手工焊...
大電流高電壓的IGBT已模塊化,它的驅(qū)動電路除上面介紹的由分立元件構(gòu)成之外,已制造出集成化的IGBT**驅(qū)動電路。其性能更好,整機(jī)的可靠性更高及體積更小。選擇IGBT模塊的電壓規(guī)格與所使用裝置的輸入電源即試電電源電壓緊密相關(guān)。其相互關(guān)系見下表。使用中當(dāng)IGBT...
最高反向工作電壓加在二極管兩端的反向電壓高到一定值時,會將管子擊穿,失去單向?qū)щ娔芰Α榱吮WC使用安全,規(guī)定了最高反向工作電壓值。 [4]小功率晶體二極管1. 判別正、負(fù)電極(1)觀察外殼上的符號標(biāo)記。通常在二極管的外殼上標(biāo)有二極管的符號,帶有三角形箭頭的一端...
實(shí)際這一過程是“一觸即發(fā)”的過程,對可控硅來說,觸發(fā)信號加入控制極,可控硅立即導(dǎo)通。導(dǎo)通的時間主要決定于可控硅的性能??煽毓枰唤?jīng)觸發(fā)導(dǎo)通后,由于循環(huán)反饋的原因,流入BG1基極的電流已不只是初始的Ib1,而是經(jīng)過BG1、BG2放大后的電流(β1*β2*Ib1)這...
它們在反向電壓作用下參加漂移運(yùn)動,使反向電流明顯變大,光的強(qiáng)度越大,反向電流也越大。這種特性稱為“光電導(dǎo)”。光敏二極管在一般照度的光線照射下,所產(chǎn)生的電流叫光電流。如果在外電路上接上負(fù)載,負(fù)載上就獲得了電信號,而且這個電信號隨著光的變化而相應(yīng)變化。光敏二極管是...
Philips公司的產(chǎn)品型號前綴為“BTA”字頭的,通常是指三象限的雙向可控硅。而意法ST公司,則以“BT”字母為前綴來命名元件的型號并且在“BT”后加“A”或“B”來表示絕緣與非絕緣組合成:“BTA”、“BTB”系列的雙向可控硅型號,如:三象限/絕緣型/雙向...
1、英標(biāo)熔斷器英式熔斷器主要用于英聯(lián)邦國家生產(chǎn)的設(shè)備。英標(biāo)熔斷器殼體采用陶瓷材質(zhì),產(chǎn)品具有體積小、性價比高等特點(diǎn),特別受到240V以下的UPS廠商青睞。2、美標(biāo)熔斷器美式熔斷器應(yīng)用**為***,涵蓋了大部分電力電子產(chǎn)品應(yīng)用。美標(biāo)熔斷器殼體采用三聚氰胺網(wǎng)格布加陶...
觸發(fā)二極管又稱雙向觸發(fā)二極管(DIAC)屬三層結(jié)構(gòu),具有對稱性的二端半導(dǎo)體器件。常用來觸發(fā)雙向可控硅 ,在電路中作過壓保護(hù)等用途。圖1是它的構(gòu)造示意圖。圖2、圖3分別是它的符號及等效電路,可等效于基極開路、發(fā)射極與集電極對稱的NPN型晶體管。因此完全可用二只N...
為了抑制n+pn-寄生晶體管的工作IGBT采用盡量縮小p+n-p晶體管的電流放大系數(shù)α作為解決閉鎖的措施。具體地來說,p+n-p的電流放大系數(shù)α設(shè)計(jì)為0.5以下。 IGBT的閉鎖電流IL為額定電流(直流)的3倍以上。IGBT的驅(qū)動原理與電力MOSFET基本相同...
對于大功率IGBT,選擇驅(qū)動電路基于以下的參數(shù)要求:器件關(guān)斷偏置、門極電荷、耐固性和電源情況等。門極電路的正偏壓VGE負(fù)偏壓-VGE和門極電阻RG的大小,對IGBT的通態(tài)壓降、開關(guān)時間、開關(guān)損耗、承受短路能力以及dv/dt電流等參數(shù)有不同程度的影響。門極驅(qū)動條...
圖7是雙向觸發(fā)二極管與雙向可控硅等元件構(gòu)成的臺燈調(diào)光電路。通過調(diào)節(jié)電位器R2,可以改變雙向可控硅的導(dǎo)通角,從而改變通過燈泡的電流(平均值)實(shí)現(xiàn)連續(xù)調(diào)光。如果將燈泡換電熨斗、電熱褥還可實(shí)現(xiàn)連續(xù)調(diào)溫。該電路在雙向可控硅加散熱器的情況下,可控負(fù)載功率可達(dá)500W,各...
通過改變控制極上觸發(fā)脈沖Ug到來的時間,就可以調(diào)節(jié)負(fù)載上輸出電壓的平均值UL(陰影部分的面積大小)。在電工技術(shù)中,常把交流電的半個周期定為180°,稱為電角度。這樣,在U2的每個正半周,從零值開始到觸發(fā)脈沖到來瞬間所經(jīng)歷的電角度稱為控制角α;在每個正半周內(nèi)可控...