產(chǎn)品優(yōu)勢：多元化布局與專業(yè)化延伸 全品類覆蓋 吉田產(chǎn)品涵蓋芯片光刻膠、納米壓印光刻膠、LCD光刻膠、半導(dǎo)體錫膏等，形成“光刻膠+配套材料”的完整產(chǎn)品線。例如： ? 芯片光刻膠：覆蓋i線、g線光刻膠，適用于6...

廣東吉田半導(dǎo)體材料有限公司多種光刻膠產(chǎn)品，主要涵蓋厚板、負性、正性、納米壓印及光刻膠等類別，以滿足不同領(lǐng)域的需求。 UV 納米壓印光刻膠：JT-2000 型號，耐強酸強堿，耐高溫達 250°C，長期可靠性高，粘接強度高，重量 100g。適用于需要...

以無鹵無鉛配方與低 VOC 工藝為，吉田半導(dǎo)體打造環(huán)保光刻膠，助力電子產(chǎn)業(yè)低碳轉(zhuǎn)型。面對全球環(huán)保趨勢，吉田半導(dǎo)體推出無鹵無鉛錫膏與焊片，通過歐盟 RoHS 認證，焊接可靠性提升 30%。其 LCD 光刻膠采用低 VOC 配方（<50g/L），符合歐盟 REAC...

晶粒尺寸的「強度密碼」：通過控制軋制溫度（150℃以下），錫片的晶粒尺寸可細化至50μm以下，使抗拉強度從20MPa提升至50MPa，這種「細晶強化」讓超薄錫片（0.05mm）能承受100g的拉力而不斷裂，滿足柔性電路板的彎曲需求（彎折半徑＜5mm）。 ...

吉田半導(dǎo)體獲評 "專精特新" 企業(yè)，行業(yè)技術(shù)標準，以技術(shù)創(chuàng)新與標準化生產(chǎn)為，吉田半導(dǎo)體榮獲 "廣東省專精特新企業(yè)" 稱號，樹立行業(yè)。 憑借在光刻膠領(lǐng)域的表現(xiàn)，吉田半導(dǎo)體獲評 "廣東省專精特新企業(yè)"" "，承擔(dān)多項國家 02 專項課題。公司主導(dǎo)制定《半導(dǎo)體光...

光伏電池（半導(dǎo)體級延伸） ? HJT/TOPCon電池：在硅片表面圖形化金屬電極，使用高靈敏度光刻膠（曝光能量≤50mJ/cm2），線寬≤20μm，降低遮光損失。 ? 鈣鈦礦電池：用于電極圖案化和層間隔離，需耐有機溶劑（適...

綠色制造與循環(huán)經(jīng)濟 公司采用水性光刻膠技術(shù)，溶劑揮發(fā)量較傳統(tǒng)產(chǎn)品降低60%，符合歐盟REACH法規(guī)和國內(nèi)環(huán)保標準。同時，其光刻膠廢液回收項目已投產(chǎn)，通過膜分離+精餾技術(shù)實現(xiàn)90%溶劑循環(huán)利用，年減排VOCs（揮發(fā)性有機物）超100噸。 ...

在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域，廣東吉田半導(dǎo)體材料有限公司憑借 23 年技術(shù)沉淀，已成為國內(nèi)光刻膠行業(yè)的企業(yè)。公司產(chǎn)品線覆蓋正性、負性、厚膜、納米壓印等多類型光刻膠，廣泛應(yīng)用于芯片制造、LCD 顯示、PCB 電路板等領(lǐng)域。 技術(shù)：自主研發(fā)的光刻膠產(chǎn)品具備高分...

納米壓印光刻膠 微納光學(xué)器件制造：制作衍射光學(xué)元件、微透鏡陣列等微納光學(xué)器件時，納米壓印光刻膠可實現(xiàn)高精度的微納結(jié)構(gòu)復(fù)制。通過納米壓印技術(shù)，將模板上的微納圖案轉(zhuǎn)移到光刻膠上，再經(jīng)過后續(xù)處理，可制造出具有特定光學(xué)性能的微納光學(xué)器件，應(yīng)用于光通信...

國際廠商策略調(diào)整 應(yīng)用材料公司獲曝光后處理，可將光刻膠工藝效率提升40%。杜邦因反壟斷調(diào)查在中國市場面臨壓力，但其新一代乾膜式感光型介電質(zhì)材料（CYCLOTENE DF6000 PID）仍在推進，試圖通過差異化技術(shù)維持優(yōu)勢。日本企業(yè)則通過技術(shù)授權(quán)（...

國際廠商策略調(diào)整 應(yīng)用材料公司獲曝光后處理，可將光刻膠工藝效率提升40%。杜邦因反壟斷調(diào)查在中國市場面臨壓力，但其新一代乾膜式感光型介電質(zhì)材料（CYCLOTENE DF6000 PID）仍在推進，試圖通過差異化技術(shù)維持優(yōu)勢。日本企業(yè)則通過技術(shù)授權(quán)（...

現(xiàn)代科技的「焊接使命」：20世紀80年的時候，貼裝技術(shù)（SMT）推動錫片向微米級進化，0.4mm引腳間距的QFP芯片焊接成為可能；21世紀初，無鉛化浪潮促使錫片合金配方從「經(jīng)驗試錯」轉(zhuǎn)向「分子模擬設(shè)計」，通過原理計算優(yōu)化Ag、Cu原子排列，焊點可靠性提升5...

焊點缺陷控制不同 無鉛錫片焊接操作 有鉛錫片焊接操作 常見缺陷 易出現(xiàn) 焊點空洞、裂紋、不潤濕（因冷卻收縮率大，約2.1%），尤其在BGA等大面積焊點中風(fēng)險高。 主要缺陷為 虛焊、短路（因操作不當(dāng)），收縮率低（1.4%），裂紋風(fēng)險低。 ...

晶須生長的「隱患與對策」：純錫片在長期應(yīng)力下可能產(chǎn)生「錫晶須」（直徑1-5μm，長度可達1mm），導(dǎo)致電路短路。通過添加0.05%的鎳或銻，可抑制晶須生長速率90%以上，保障精密儀器（如衛(wèi)星導(dǎo)航系統(tǒng)）10年以上無故障運行。 相圖原理的...

國產(chǎn)替代進程加速 日本信越化學(xué)因地震導(dǎo)致KrF光刻膠產(chǎn)能受限后，國內(nèi)企業(yè)加速驗證本土產(chǎn)品。鼎龍股份潛江工廠的KrF/ArF產(chǎn)線2024年12月獲兩家大廠百萬大單，二期300噸生產(chǎn)線在建。武漢太紫微的T150A光刻膠性能參數(shù)接近日本UV1610，已通...

設(shè)備與工具要求不同 無鉛錫片焊接操作 有鉛錫片焊接操作 焊接設(shè)備 需適配高溫的設(shè)備：- 回流焊爐：需更高溫區(qū)（如峰值溫度255℃~265℃）- 波峰焊：需耐鉛-free焊料的鈦合金焊料槽（普通銅槽易被錫腐蝕）- 手工焊臺：功率≥60W，帶溫度...

人才與生態(tài)：跨學(xué)科團隊的“青黃不接” 前段人才的結(jié)構(gòu)性短缺 光刻膠研發(fā)需材料化學(xué)、半導(dǎo)體工藝、分析檢測等多領(lǐng)域。國內(nèi)高校相關(guān)專業(yè)畢業(yè)生30%進入光刻膠行業(yè)，且缺乏具有10年以上經(jīng)驗的工程師。日本企業(yè)通過“技術(shù)導(dǎo)師制”培養(yǎng)人才，...

憑借綠色產(chǎn)品與可持續(xù)生產(chǎn)模式，吉田半導(dǎo)體的材料遠銷全球，并與多家跨國企業(yè)建立長期合作。其環(huán)保焊片與靶材被廣泛應(yīng)用于光伏、儲能等清潔能源領(lǐng)域，助力客戶實現(xiàn)產(chǎn)品全生命周期的環(huán)境友好。公司通過導(dǎo)入國際標準認證（如 ISO14001 環(huán)境管理體系），進一步強化了在...

市場拓展 ? 短期目標：2025年前實現(xiàn)LCD光刻膠國內(nèi)市占率10%，半導(dǎo)體負性膠進入中芯國際、華虹供應(yīng)鏈，納米壓印膠完成臺積電驗證。 ? 長期愿景：成為全球的半導(dǎo)體材料方案提供商，2030年芯片光刻膠營收占比超40...

合金的「性能調(diào)節(jié)器」：當(dāng)錫中加入0.5%-3%的銀（如SAC305焊錫片），合金熔點從231.9℃降至217℃，同時焊點抗拉強度提升40%，這種「溫柔的強化」讓錫片能在手機芯片焊接中承受高頻振動而不斷裂。 導(dǎo)電性的「微米級橋梁」：在電...

吉田半導(dǎo)體 YK-300 正性光刻膠：半導(dǎo)體芯片制造的材料 YK-300 正性光刻膠以高分辨率與耐蝕刻性，成為 45nm 及以上制程的理想選擇。 YK-300 正性光刻膠分辨率達 0.35μm，線寬粗糙度（LWR）≤3nm，適用于半導(dǎo)體芯片前道工藝...

綠色制造與循環(huán)經(jīng)濟 公司采用水性光刻膠技術(shù)，溶劑揮發(fā)量較傳統(tǒng)產(chǎn)品降低60%，符合歐盟REACH法規(guī)和國內(nèi)環(huán)保標準。同時，其光刻膠廢液回收項目已投產(chǎn)，通過膜分離+精餾技術(shù)實現(xiàn)90%溶劑循環(huán)利用，年減排VOCs（揮發(fā)性有機物）超100噸。 ...

錫渣回收的「零浪費哲學(xué)」：電子廠的廢料錫渣（含錫95%以上）通過真空蒸餾技術(shù)（溫度500℃，真空度＜1Pa）提純，回收率可達99.5%，在提純后的錫片雜質(zhì)含量＜0.05%，重新用于偏高級方向芯片焊接，真正實現(xiàn)「從焊點到焊點」的閉環(huán)利用。 ...

錫渣回收的「零浪費哲學(xué)」：電子廠的廢料錫渣（含錫95%以上）通過真空蒸餾技術(shù)（溫度500℃，真空度＜1Pa）提純，回收率可達99.5%，在提純后的錫片雜質(zhì)含量＜0.05%，重新用于偏高級方向芯片焊接，真正實現(xiàn)「從焊點到焊點」的閉環(huán)利用。 ...

根據(jù)已有信息，錫片的常見規(guī)格主要按厚度范圍和應(yīng)用場景劃分 按應(yīng)用場景細分的規(guī)格 錫片的分類和應(yīng)用場景。天津預(yù)成型錫片報價 應(yīng)用場景 常見厚度范圍 特殊要求 電子焊接與封裝 0.03~0.1mm（純錫箔） 高純度（≥99.99%）、表面無...

物理與機械性能 無鉛錫片 有鉛錫片 熔點 較高，通常在217℃~260℃之間（取決于合金成分，如SAC305熔點217℃，Sn-Cu合金熔點227℃），焊接需更高溫度（240℃~260℃）。 較低，共晶合金（63Sn-37Pb）熔點183...

作為深耕半導(dǎo)體材料領(lǐng)域二十余年的綜合性企業(yè)，廣東吉田半導(dǎo)體材料有限公司始終將技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)品質(zhì)量視為重要發(fā)展動力。公司位于東莞松山湖產(chǎn)業(yè)集群，依托區(qū)域產(chǎn)業(yè)鏈優(yōu)勢，持續(xù)為全球客戶提供多元化的半導(dǎo)體材料解決方案。 公司產(chǎn)品涵蓋芯片光刻膠、納米壓印...

技術(shù)優(yōu)勢：23年研發(fā)沉淀與細分領(lǐng)域突破 全流程自主化能力 吉田在光刻膠研發(fā)中實現(xiàn)了從樹脂合成、光引發(fā)劑制備到配方優(yōu)化的全流程自主化。例如，其納米壓印光刻膠通過自主開發(fā)的樹脂體系，實現(xiàn)了3μm的分辨率，適用于MEMS傳感器、光學(xué)...

納米電子器件制造 ? 半導(dǎo)體芯片：在22nm以下制程中，EUV光刻膠（分辨率≤10nm）用于制備晶體管柵極、納米導(dǎo)線等關(guān)鍵結(jié)構(gòu)，實現(xiàn)芯片集成度提升（如3nm制程的FinFET/GAA晶體管）。 ? 二維材料器件：在石墨烯、二...

技術(shù)突破與產(chǎn)業(yè)重構(gòu)的臨界點 光刻膠技術(shù)的加速突破正在推動芯片制造行業(yè)進入“材料定義制程”的新階段。中國在政策支持和資本推動下，已在KrF/ArF領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)局部突破，但EUV等領(lǐng)域仍需5-10年才能實現(xiàn)替代。未來3-5年，EUV光刻膠研發(fā)、...