浙江3微米光刻膠

來源： 發(fā)布時(shí)間：2025-05-29

  1. 全品類覆蓋
    吉田半導(dǎo)體產(chǎn)品線涵蓋正性 / 負(fù)性光刻膠、納米壓印光刻膠、LCD 光刻膠、厚膜光刻膠及水性光刻膠等，覆蓋芯片制造、顯示面板、PCB 及微納加工等多領(lǐng)域需求，技術(shù)布局全面性于多數(shù)國內(nèi)廠商。
  2. 關(guān)鍵技術(shù)突破
    納米壓印技術(shù)：JT-2000 納米壓印光刻膠耐高溫達(dá) 250℃，支持納米級精度圖案復(fù)制，適用于第三代半導(dǎo)體（GaN/SiC）及 Mini LED 等新興領(lǐng)域，技術(shù)指標(biāo)接近國際先進(jìn)水平。
    水性環(huán)保配方：JT-1200 水性感光膠以水為溶劑替代傳統(tǒng)有機(jī)溶劑，低 VOC 排放，符合 RoHS 和 REACH 標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保性能優(yōu)于同類產(chǎn)品。
    厚膜工藝能力：JT-3001 厚板光刻膠膜厚可控（達(dá)數(shù)十微米），滿足高密度像素陣列及 MEMS 器件的制造需求。
光刻膠廠家推薦吉田半導(dǎo)體。浙江3微米光刻膠

浙江3微米光刻膠,光刻膠

憑借多年研發(fā)積累，公司形成了覆蓋光刻膠、焊接材料、電子膠等領(lǐng)域的豐富產(chǎn)品線。在焊接材料方面，不僅提供常規(guī)錫膏、助焊膏，還針對特殊場景開發(fā)了 BGA 助焊膏、針筒錫膏等定制化產(chǎn)品，滿足精密電子組裝的多樣化需求。同時(shí)，感光膠系列產(chǎn)品分為水性與油性兩類，兼具耐潮性與易操作性，廣泛應(yīng)用于印刷電路板制造。

公司產(chǎn)品遠(yuǎn)銷全球，并與多家跨國企業(yè)及電子加工企業(yè)建立長期合作關(guān)系。通過在重點(diǎn)區(qū)域設(shè)立辦事處，提供快速響應(yīng)的技術(shù)支持與售后服務(wù)。依托東莞 “世界工廠” 的產(chǎn)業(yè)資源，公司強(qiáng)化供應(yīng)鏈協(xié)同，縮短交付周期，為客戶提供高效解決方案。

未來，廣東吉田半導(dǎo)體材料有限公司將繼續(xù)深化技術(shù)創(chuàng)新，拓展產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域，以可靠的產(chǎn)品與專業(yè)的服務(wù)，持續(xù)鞏固其在半導(dǎo)體材料行業(yè)的重要地位。

福州紫外光刻膠報(bào)價(jià)光刻膠技術(shù)突破加速，對芯片制造行業(yè)有哪些影響？

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吉田半導(dǎo)體厚板光刻膠 JT-3001：國產(chǎn)技術(shù)助力 PCB 行業(yè)升級

JT-3001 厚板光刻膠支持 500nm/min 深蝕刻，成為國產(chǎn) PCB 電路板制造推薦材料。
吉田半導(dǎo)體自主研發(fā)的 JT-3001 厚板光刻膠，分辨率 1.5μm，抗深蝕刻速率 > 500nm/min，適用于高密度 PCB 制造。其無鹵無鉛配方通過歐盟 RoHS 認(rèn)證，已應(yīng)用于華為 5G 基站主板量產(chǎn)。產(chǎn)品采用國產(chǎn)原材料與全自動(dòng)化工藝，批次穩(wěn)定性達(dá) 99.5%，幫助客戶提升生產(chǎn)效率 20%，加速國產(chǎn) PCB 行業(yè)技術(shù)升級，推動(dòng) PCB 行業(yè)國產(chǎn)化進(jìn)程。

以無鹵無鉛配方與低 VOC 工藝為，吉田半導(dǎo)體打造環(huán)保光刻膠，助力電子產(chǎn)業(yè)低碳轉(zhuǎn)型。面對全球環(huán)保趨勢，吉田半導(dǎo)體推出無鹵無鉛錫膏與焊片，通過歐盟 RoHS 認(rèn)證，焊接可靠性提升 30%。其 LCD 光刻膠采用低 VOC 配方（<50g/L），符合歐盟 REACH 法規(guī)，生產(chǎn)過程中通過多級廢氣處理與水循環(huán)系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)零排放。公司嚴(yán)格執(zhí)行 8S 現(xiàn)場管理，工業(yè)固廢循環(huán)利用率超 90%，為新能源汽車、光伏儲能等領(lǐng)域提供綠色材料解決方案，成為全球客戶信賴的環(huán)保材料供應(yīng)商。聚焦封裝需求，吉田公司提供從光刻膠到配套材料的一站式服務(wù)。

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吉田半導(dǎo)體 SU-3 負(fù)性光刻膠：國產(chǎn)技術(shù)賦能 5G 芯片封裝

自主研發(fā) SU-3 負(fù)性光刻膠支持 3 微米厚膜加工，成為 5G 芯片高密度封裝材料。
針對 5G 芯片封裝需求，吉田半導(dǎo)體自主研發(fā) SU-3 負(fù)性光刻膠，分辨率達(dá) 1.5μm，抗深蝕刻速率 > 500nm/min。其超高感光度與耐化學(xué)性確保復(fù)雜圖形的完整性，已應(yīng)用于高通 5G 基帶芯片量產(chǎn)。產(chǎn)品采用國產(chǎn)原材料與工藝，不采用國外材料，成本較進(jìn)口產(chǎn)品降低 40%，幫助客戶提升封裝良率至 98.5%，為國產(chǎn) 5G 芯片制造提供關(guān)鍵材料支撐。
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正性光刻膠的工藝和應(yīng)用場景。浙江3微米光刻膠

 晶圓制造（前道工藝）
? 功能：在硅片表面形成高精度電路圖形，是光刻工藝的主要材料。

? 細(xì)分場景：

? 邏輯/存儲芯片：用于28nm及以上成熟制程的KrF光刻膠（分辨率0.25-1μm）、14nm以下先進(jìn)制程的ArF浸沒式光刻膠（分辨率≤45nm），以及極紫外（EUV）光刻膠（目標(biāo)7nm以下，研發(fā)中）。

? 功率半導(dǎo)體（如IGBT）：使用厚膜光刻膠（膜厚5-50μm），滿足深溝槽刻蝕需求。

? MEMS傳感器：通過高深寬比光刻膠（如SU-8）實(shí)現(xiàn)微米級結(jié)構(gòu)（如加速度計(jì)、陀螺儀的懸臂梁）。

 芯片封裝（后道工藝）

? 先進(jìn)封裝技術(shù)：

? Flip Chip（倒裝芯片）：用光刻膠形成凸點(diǎn)（Bump）下的 Redistribution Layer（RDL），線寬精度要求≤10μm。

? 2.5D/3D封裝：在硅通孔（TSV）工藝中，光刻膠用于定義通孔開口（直徑5-50μm）。

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標(biāo)簽： 錫片 光刻膠